非晶硅太阳能电池zn0(ai) a1复合背电极增反工艺优化

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1、非晶硅太阳能电池Zn0(AI)A1复合背电极增反工艺优化.txt9母爱是一滴甘露，亲吻干涸的泥土，它用细雨的温情，用钻石的坚毅，期待着闪着碎光的泥土的肥沃；母爱不是人生中的一个凝固点，而是一条流动的河，这条河造就了我们生命中美丽的情感之景。本文由leepingpang贡献pdf文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。．２ｆ｝＊一一－１　＃ＬＣＶ　｝ｌｄＥ｝Ｉ晶硅太阳能电池Ｚ０：Ｉ１ＶｎＡ／复合背电极Ａ增反工艺优化王稚欣，薛俊明２李养贤‘周祯华２任慧志“王凯杰“耿新华２Ｉ河北Ｉ业大学，　　－天津，０３３１００２南开大学光电子

2、所，，００１天津３０７摘要：在硅基薄膜太阳能电池中，常使用透明导电氛化物（Ｃ）ＴＯ与金属组成的复合背反射电极，以增加对太阳光的收集效率，从而提高太阳能电池的转化效率。实验发现，透明导电膜自身性能、厚度大小及其与ｎ层界面匹配情况是影响背反射电极性能的重要因素，所以本文将着眼点放在优化ＴＯ的制备工艺以得到性能良Ｃ好的ＴＯ膜，Ｃ同时选择合适的膜厚并改善界面匹配以提高背反射效果。通过实验和理论计葬，得到最合适的膜厚１０　左右。与ｎ－ｉ０ｒａｎ－Ｓ相ａ比，－－Ｓ与ＴＯ匹配更好。ｎＷｃｉＣ－关词透导膜背射极膜梦反界ｘ键，明电反电Ｉ透壁面‘己ＡｓａｔＰｏｌｏｔｎ　ｐｙ　ｕｔ

3、ｌｅｂｃｒｆｃｒｉｃｄｎｔｎｐｒｎｃｎｕｔｇｂｔｃ：　ｐｅ　ｅａｌｍｌ－ｙｒ　ｋ　ｌｔｓ　ｌｉｇ　ｓａｅｔ　ｄｃｎｒｅｆｐｉａａｅｅｏｎｕｒａｏｉｏｉｓ　ｍｔｔａｉ　ｒ　ｓｗｉｈｌｉｃｌｃｎｍｒｓｎｇｔ　ｉｒｓｇｘｅａｄ　ａｏ　ｓｌｃｌｈｈ　ｐｎ　ｌｔｇ　ｅ　ｌｈａｄ　ｅｉｄｎｅｌ　－ｏｅ，　ｃｅｓ　ｏｅｉｏｕｉｎｎａｎＳａｌｃｔｅ　ｎｅｓｎ　ｆｉｃｏｔｅ　ｌｃｌ．　ｏｓｍｅｐｒｅｔ，　ｆｕｄ　ｍｈｃｖｒｏｅｉｅｙ　ｈｓａｅｓｒｍ　ｅ　ｅｉｎｓｗｏｎｓｅｏｉｆｃｎｆ　ｏｒ　ｌ　Ｆｏｘｍｅ　ｏｉｐｒｎｔｉｓ　ｉｅｅｔ　ｂｃｒｌｔｒｓｃａｔｅ　ｐｒｅｏＴＯ，　ｃｎ

4、ｓｍｏｔｔ　ｇｗｃｆｃｔｅ　ｋ　ｅｏ，　ｈ　ｈｐｏｅｔｓ　Ｃｔｉｅｓａｈｎｈｈ　ｆｈａｅｃｆｕｓ　ｒｉｆ　ｈｋａｄ　ｅａｅ　ｔｉ．　ｗｐｔ　ｈｓｏｏｔｉｎｐｅａｔｎ　ｈｏｇ，　ｃｎｎｉｒｃｍｃｎＳｅ　ｅｐａｓ　ｐｍｚｇ　ｐｒｉｔｎｌｙｓｅｉｎｆｔａｈｇｏ　ｕｍｉｎ　ｉｉｒａｏｅｃｏｅｔｇｌｓｉｂｔｉｎｓａｄ　ｐｏｉｉｅｆｅ　ｔｉ．　ｄａｔｅ　ｃｓｎ　ｔ　ｐｏｅｕａｌｈｋｅｓ　ｉｒｖｇ　ｒｃｍｃｎＷｅ　ｗ　ｃｎｌｉｔａｔｅ　ｐｒｔｅ　ｃｎｍｎｎａａｈｇｔｒｈｏｕｏｈｈｒＴＯ　ｉｎｓｉａｏｔ　ｎａｄ　ｃｉ　ｏｅ　ｔｌｆｒ　ｔｉ．Ｃｔｃｅｓ　ｂｕ１０　ｎｎ－ｉｍｒｓ

5、ｉｂｏｍｃｎｈｋｓ　０ｍ　－Ｓｓ　ｕａｅ　ａｈｇｐＫｙｏｄ：　Ｏ　ｂｃｒｌｔｓ　ｉｔｉｎｓｔｎｍｔｎｅ　ｅｅｔｃｉｅｆｅｅｗｒｓＴ　　ｋ　ｅｏ　ｆｍ　ｃｅｓ　ｒｓｉａｃｒｆｃｎｅ　ｎｒｃＣａｅｃｒｆｌｈｋ　　ａｔ　　ｌａ　　ｔａｍａｃｉｇｔｈｎ池性能。１引言对非晶硅太阳电池来说，　　　　目前的关键问题是进ＺＯ薄膜是一种宽禁带（，．ｅ）型半　　　　ｎＥ＝３３Ｖ的ｎ导体材料，在氧化锌中掺人铝、氟川等杂可有锢、质，效地提商薄膜的电导率，改善薄膜性能。ＺＯ　　ｎ：ｌＡ在可见光区具有高的透射率和低电阻率，其光学带隙可由铝掺杂的比例进行控制，作为一种重要光电子信息材料，ｎ

6、：　ＺＯ　ＩＡ膜近年来得到广泛的研究。制备ＺＯ　ｌ　　　　：　ｎＡ透明导电膜的方法主要有：溅射一步提高光电转换效率和改善稳定性。其中氧化物透明导电膜ＴＯ　ｔｌＣ／ａ复合背反射电极不但可以Ｍｅ使Ｉ层的光吸收增强，从而增大短路电流，提高电池的转化效率［７而且可以进一步减薄Ｉ改善电ｐ，．２层，池的稳定性。早期的背反射电极的ＴＯ膜多采用ＩＯ膜，　　　　ＣＴ但由于ＩＯ中的锢原子容易向硅材料中扩散，Ｔ而且ＩＯ膜对太阳光谱近红外区又有较强的吸收作用，Ｔ因此近年来多用廉价的ＺＯ　　代替ＩＯ作为背ｎ，ＩＡＴ反射电极的ＴＯ层；Ｃ此外，ｎＺＯ可以阻挡金属背电极元素如Ａ或Ａ向ｎ层的扩

7、散，ｇｌ｀改善界面及电法Ｃ３蒸发法、属有机化学汽相沉积法４　．５金（ＯＶ）反应离子镀法、ＭＣＤ，溶胶一凝胶法等，其中磁控溅射法是目前制备ＺＯ　　透明导电膜采用较ｎ：ＩＡ多的一种方法。目前，　　　　国内关于复合背反射电极的研究很少，本文就非晶硅太阳能电池的复合背反射电极中ＴＯＣ膜厚度Ｃ、ｓ不同ｎ材料及其厚度对复合背电极增反科非晶硅太阳能电池ＺＯ　　Ａ复合背电极增反工艺优化ｎ，ＩｌＡ／效果的影响进行了实验研究及理论分析。３实验结果讨论与理论计算实验方法和增反原理２．ｌ实验方法本文首先采用ＰＣＤ设备在玻璃衬底上制备ＥＶｎ材料。制备ｎａｉ－Ｓ材料时，－衬底温度为１５压

8、７＇Ｃ，力６Ｐ，３／．；ｎｕｃｉ０　功