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时间:2018-08-08
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1、传感器与检测技术试题库一、填空题1、测量系统的静态特性指标主要有线性度、迟滞、重复性、分辨力、稳定性、温度稳定性、各种抗干扰稳定性等。2、霍尔元件灵敏度的物理意义是表示在单位磁感应强度相单位控制电流时的霍尔电势大小。3、光电传感器的理论基础是光电效应。通常把光线照射到物体表面后产生的光电效应分为三类。第一类是利用在光线作用下光电子逸出物体表面的外光电效应,这类元件有光电管、光电倍增管;第二类是利用在光线作用下使材料内部电阻率改变的内光电效应,这类元件有光敏电阻;第三类是利用在光线作用下使物体内部产生一定方向电动势
2、的光生伏特效应,这类元件有光电池、光电仪表。4、热电偶所产生的热电势是两种导体的接触电势和单一导体的温差电势组成的,其表达式为Eab(T,To)=。在热电偶温度补偿中补偿导线法(即冷端延长线法)是在连接导线和热电偶之间,接入延长线,它的作用是将热电偶的参考端移至离热源较远并且环境温度较稳定的地方,以减小冷端温度变化的影响。5、压磁式传感器的工作原理是:某些铁磁物质在外界机械力作用下,其内部产生机械压力,从而引起极化现象,这种现象称为正压电效应。相反,某些铁磁物质在外界磁场的作用下会产生机械变形,这种现象称为负压电
3、效应。(2分)6.变气隙式自感传感器,当街铁移动靠近铁芯时,铁芯上的线圈电感量增加7.仪表的精度等级是用仪表的引用误差来表示的;8.电容传感器的输入被测量与输出被测量间的关系,除变极距型外是线性的。9.电位器传器的(线性),假定电位器全长为Xmax,其总电阻为Rmax,它的滑臂间的阻值可以用Rx=x/XmaxRmax来计算,其中电阻灵敏度Rr=2p(b+h)/At10、变面积式自感传感器,当衔铁移动使磁路中空气缝隙的面积增大时,铁心上线圈的电感量增大。11、在平行极板电容传感器的输入被测量与输出电容值之间的关系中
4、,变面积型是线性的关系。12、在变压器式传感器中,原方和副方互感M的大小与原方线圈的匝数成反比,,与副方线圈的匝数成正比,与回路中磁阻成不成比例。13、传感器是能感受规定的被测量并按照一定规律转换成可用输出信号的器件或装置,传感器通常由直接响应于被测量的敏感元件和产生可用信号输出的转换元件以及相应的信号调节转换电路组成。14、热电偶所产生的热电热是由两种导体的接触电热和单一导体的温差电热组成。15、电阻应变片式传感器按制造材料可分为金属材料和半导体材料。它们在受到外力作用时电阻发生变化,其中的金属材料电阻变化主要
5、是由电阻应变效应形成的,而半导体材料的电阻变化主要是由温度效应造成的。半导体材料传感器的灵敏度较大。16、在变压器式传感器中,原方和副方互感M的大小与绕组匝数成正比,与穿过线圈的磁通成正比,与磁回路中磁阻成反比,而单个空气隙磁阻的大小可用公式__表示。17、磁电式传感器是利用导体和磁场发生相对运动而在导体两端产生感应电势的。而霍尔式传感器为霍尔元件在磁场中有电磁效应(霍尔效应)而输出电势的。霍尔式传感器可用来测量电流,磁场,位移,压力。18、测量系统的静态特性指标通常用输入量与输出量的对应关系来表征。19、用石英
6、晶体制作的压电式传感器中,晶面上产生的电荷与作用在晶面上的压强成正比,而与晶片几何尺寸和面积无关。20、把被测非电量的变化转换成线圈互感变化的互感式传感器是根据变压器的基本原理制成的,其次级绕组都用同名端反向形式连接,所以又叫差动变压器式传感器。21、闭磁路变隙式电感传感器工作时,衔铁与被测物体连接。当被测物体移动时,引起磁路中气隙尺寸发生相对变化,从而导致圈磁阻的变化。22、电阻应变片是将被测试件上的应变转换成电阻的传感元件。23、影响金属导电材料应变灵敏系数K。的主要因素是导电材料几何尺寸的变化。24.传感器
7、按其传递、转换信息的形式可分为接触式环节、模拟环节和数字环节。25电容式位移传感器的三种类型,即:变极距型、变极板面积型和变介质型。26.传感器检测系统目前正由模拟式、数字式向智能化的方向发展。27.压电式加速度传感器需要接高输入阻抗的前置放大器。这类放大器有电压放大器和电荷放大器。28.人工视觉系统的硬件构成一般由图像输入、图像处理、图像存储和图像输出四个子系统构成。29.固体半导体摄像机的组成由摄像元件、信号处理电路和驱动电路和电源组成。30.热电偶按结构可分为5种,即:普通热电偶、铠装热电偶、薄膜热电偶、并
8、联热电偶和串联热电偶。31.根据所采用测量方法的差异,非接触式温度传感器可分为全辐射式温度传感器、亮度式温度传感器和比色温度传感器。32.常用气敏元件按结构分为烧结型、薄膜型和厚膜型三种。33.电桥调零通常采用串联调零和并联调零两种方法。34.4位T型电阻网络D/A转换器输入的数字量D=1001,参考电压=10V时的输出电压是-5.625V。35.当信号的方差变为原来的1
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