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时间:2018-08-05
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1、《模拟电子技术》习题集一、填空题1.半导体是一种导电能力介于和之间的物质。2.半导体的导电类型分型和型半导体。3.在判别硅、锗晶体二极管时,当测出正向电压为 时就认为此二极管为锗二极管;当测出正向电压为 时,就认为此二极管为硅二极管。4.N型半导体主要依靠载流子导电。5.P型半导体主要依靠载流子导电。6.PN结加正向电压时,扩散电流漂移电流,耗尽层变。PN结加反向电压时,扩散电流漂移电流,耗尽层变。7.PN结具有性能,即加正向电压时PN结,加反向电压时PN结。8.当温度升高时,PN结的反
2、向电流会 。9.用万用表欧姆挡测量二极管好坏时,测量的正反向阻值间相差越越好。10.二极管按结构分类,可分为、、三种。11.硅稳压二极管是一种具有作用的特殊二极管。12.硅稳压二极管的动态电阻rz越其稳压性能越好。13.用硅稳压二级管组成稳压电路时,电路中稳压管必须与负载联。14.晶体三极管有型和型两种。15.当温度上升时,晶体三极管的ICEO会,β值,UBE。16.三极管具有电流放大作用的外部条件必须使结正向偏置,结反向偏置。17.晶体三极管的区与区由同一类型材料组成,区掺杂最重,区掺杂最
3、轻。18.当三极管饱和时,它的发射结必是偏置,集电结必是偏置。19.硅三极管ICEO比锗管小得多,硅管的热稳定性比锗管要。20.NPN型三极管各电极电位关系是VC>VB>VE,该管工作于状态。21.PNP型三极管各电极电位关系是VC<VB<VE,该管工作于状态。22.晶体三极管三个极电流之间的关系式为IE=。23.晶体三极管输出特性中的三个区分别叫区、区和区。24.判断图1--10所示三极管的工作状态,其中也有损坏状态的可能。25.在电路中测得各三极管对地电位如图1-11所示,判断三极管工作状态
4、1051.在一个放大线路板内测得某只三极管三个极的静态电位分别为V1=6V,V2=3V,V3=3.7V可以判断1脚为极,2脚为极,3脚为极,此管为型管,由材料制成。2.在一个放大线路板内测得某只三极管三个极对地电压分别为V1=-6.2V,V2=-6V,V3=-9V,可以判断1脚为极,2脚为极,3脚为极,此管为型管,由材料制成。3.阻容耦合放大电路中,耦合电容的作用是和。4.放大电路未加入信号时的工作状态称为态。5.放大电路未加入信号时晶体管各级的直流电压、电流的数值称电路的工作点。6.放大电路加
5、上输入信号时的工作状态称为态。7.放大电路中直流成分通过的路径称为通路。8.放大电路中交流成分通过的路径称为通路。9.放大电路有三种连接方式,分别为、和。10.共射放大路,增大基极电阻Rb,其它参数不变,则偏流IBQ,静态工作点向移动。11.共射电路中,减小集电极电阻Rc,其它参数不变,则负载线的斜率。12.共射电路,增大直流电源Vcc,其它参数不变,负载线将向变化。13.交流负载线与直流线都通过点。14.某电路的交流负载线与直流负载线重合,可知此电路的负载电阻RL=。15.由于晶体管特性曲线的
6、非线性引起的失真称为失真。16.共射电路,Q点过高易产生失真。17.共射电路,Q点过低易产生失真。18.放大电路的输出电阻越小,带负载能力越。19.射极输出器的电压放大倍数Av≈。20.射极输出器的输出电压与输入电压的相位相。21.射极输出器的输入电压ri较。22.射极输出器的输出电阻ro较。23.射极输出器可用来作为多级放大器中的级、级和级。24.造成单级放大电路的放大倍数在高频段下降的原因是由于晶体管的PN结之间的和电路的影响。25.放大电路的放大倍数
7、Av
8、与频率f的关系曲线称为特性曲线。
9、26.放大倍数下降到中频区放大倍数AVM的0.707倍时,对应的高端频率称为频率。27.放大倍数下降到中频区放大倍数AVM的0.707倍时,对应的低端频率称为105频率。1.上限频率和下限频率之间的范围叫。2.多极放大电路通频带比单级放大电路的通频带要。3.多级放大电路的级间耦合方式有、、和四种。4.当输入信号时,若能保证信号不失真,放大器的静态工作点可以选得些。5.若要求放大器有最大不失真输出,静态工作点应选择在负载线的位置。6.测量放大器的静态工作点的仪器是。7.测量放大器的电压放大倍数的仪
10、器是。8.如图幅频特性曲线,请在图2-1标出上限频率fH,下限频率fL及通频带B。9.两级放大电路,已知第一级AV1=-100,第二级AV2=-50,则总电压放大倍数Av=。10.两级放大电路,已知第一级Ri1=1KΩ,第二级Ri2=1.5K,则总的输入电阻Ri=。11.两级放大电路,已知第一级输出电阻r01=6KΩ,第二级输入电阻r02=3KΩ,则总的输出电阻ri=。12.图2-2所示幅频特性,fL处的电压放大倍数Avi是Avm的倍。13.如图2-3所示电路:由波形可知此电路已出现失真,苦要消
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