基于单片机的温度计的设计

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时间:2018-07-29

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1、单片机课程设计论文设计题目:基于单片机的温度计的设计学院:汽车学院班级:2009级电气工程及其自动化3班成员名单:指导教师:课程设计时间:2012年5月14----2012年5月271.芯片功能简介一、AT89C51的功能简介1、AT89C51芯片简介30AT89C51是一种带4K字节FLASH存储器(FPEROM—FlashProgrammableandErasableReadOnlyMemory)的低电压、高性能CMOS8位微处理器,俗称单片机。AT89C2051是一种带2K字节闪存可编程可擦除只读存储器的单片机。单片机的可擦除

2、只读存储器可以反复擦除1000次。该器件采用ATMEL高密度非易失存储器制造技术制造,与工业标准的MCS-51指令集和输出管脚相兼容。由于将多功能8位CPU和闪烁存储器组合在单个芯片中,ATMEL的AT89C51是一种高效微控制器,AT89C2051是它的一种精简版本。AT89C单片机为很多嵌入式控制系统提供了一种灵活性高且价廉的方案。外形及引脚排列如图所示2、引脚功能说明(1)VCC:电源电压(2)GND:地(3)P0口:P0口是一组8位漏极开路型双向I/O口,也即地址/数据总线复用口。作为输出口用时,每位能吸收电流的方式驱动8个

3、TTL逻辑门电路,对端口P0写“1”时可作为高阻抗输入端用。在访问外部数据存储器或程序存储器时,这组口线分时转换地址(低8位)和数据总线复位,在访问期间激活内部上拉电阻。(4)P1口:P1是一个带内部上拉电阻的8位双向I/O口,P1的输出缓冲级可驱动(吸收或输出电流)4个TTE逻辑门电路。对端口写“1”,通过内部的上拉电阻把端口拉到高电平,此时可作输入口。作输入口使用时,因为内部存在上拉电阻,某个引脚被外部信号拉低时会输出一个电流(ILL)。P1.0和P1.1还可分别作为定时/计数器2的外部计数输入(P1.0/T2)和输入(P1.1

4、/T2EX),参见下表。P1.0和P1.1的第二功能引脚号功能特性P1.0T2(定时/计数器2外部计数脉冲输入),时钟输出30P1.1T2EX(定时/计数2捕获/重装载触发和方向控制)(5)P2口:P2是一个带有内部上拉电阻的8位双向I/O口,P2的输出缓冲级可驱动(吸收或输出电流)4个TTL逻辑门电路。对端口P2写“1”,通过内部的上拉电阻把端口拉到高电平,此时可作输入口,作输入口使用时,因为内部存在上拉电阻,某个引脚被外部信号拉低时会输出一个电流(ILL)。在访问外部程序存储器或16位地址的外部数据存储器(例如执行MOVX@DP

5、TR指令)时,P2口送出高8位地址数据。在访问8位地址的外部数据存储器(如执行MOVX@RI指令)时,P2口输出P2锁存器的内容。(6)P3口:P3口是一组带有内部上拉电阻的8位双向I/O口。P3口输出缓冲级可驱动(吸收或输出电流)4个TTL逻辑门电路。对P3口写入“1”时,它们被内部上拉电阻拉高并可作为输入端口。此时,被外部拉低的P3口将用上拉电阻输出电流(ILL)。P3口除了作为一般的I/O口线外,更重要的用途是它的第二功能,如表4-2所示。(7)RST:复位输入。当振荡器工作时,RST引脚出现两个机器周期以上高电平将使单片机复

6、位。P3口的第二功能端口引脚第二功能P3.0RXD(串行输入口)P3.1TXD(串行输出口)P3.2(外中断0)P3.3(外中断1)P3.4T0(定时/计数0)P3.5T1(定时/计数1)P3.6(外部数据存储器写选通)P3.7(外部数据存储器读选通)(8)/VPP:外部访问允许。欲使CPU仅访问外部程序存储器(地址为0000H-FFFFH)。端必须保持低电平(接地)。需注意的是:如果加密位LB1被编程,复位时内部会锁存端状态。如端为高电平(接VCC端),CPU则执行内部程序存储器中的指令。30Flash存储器编程时,该引脚加上+1

7、2V的编程允许电源VPP,当然这必须是该器件是使用12V编程电压VCC。(9)XTAL1:振荡器反相放大器的及内部时钟发生器的输入端。(10)XTAL2:振荡器反相放大器的输出端。(11)数据存储器:AT89C52有256个字节的内部RAM,80H-FFH高128个字节与特殊功能寄存器(SFR)地址是重叠的,也就是高128。字节的RAM和特殊功能寄存器的地址是相同的,但在物理上它们是分开的。当一条指令访问7FH以上的内部地址单元时,指令中使用的寻址方式是不同的,也即寻址方式决定是访问高128字节。RAM还是访问特殊功能寄存器。如果指

8、令是直接寻址方式则为访问特殊功能寄存器。(12)中断:AT89C52共有6个中断向量:两个外中断(INT0和INT1),3个定时器中断(定时器0,1,2)和串行口中断。(13)时钟振荡器:AT89C52中有一个用于构成内部振荡器的高增

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