电力电子变流技术2013.10.12答案

《电力电子变流技术2013.10.12答案》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在行业资料-天天文库。

1、2013年电力电子变流技术试卷（A)专业------姓名-------座号-------成绩---------一、填空：（15分）1.使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流。2.电力MOSFET的栅极绝缘层很薄弱，容易被击穿而损坏。3.IGBT是电压驱动型器件，IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。4.三相半波可控整流电路带电阻性负载时，晶闸管承受的最大反向电压为_______，设变压器二次相电压有效值为U2。5.单相全控桥式整流电路带电感性负载，晶闸管的移相范围是_______。6.晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是_______措施。7.

2、单相半控桥式整流电路有续流二极管电感性负载，设触发角为α，则整流二极管的导通角为_______。8.门极可关断晶闸管是一种_______________层结构的三端器件。9.功率晶体管开通时间ton=_______________。10.功率晶体管的反向偏置安全工作区比正向偏置安全工作区_______________。11.产生有源逆变的条件之一是变流电路输出的直流平均电压的极性必须与整流工作状态输出平均电压的极性_______________。12.三相全控桥式变流电路带大电感负载，当α=75°时，在自然换相点之前整流输出电压为正值，交流电源提供能量，电感______________

3、_。13.直流到直流的变换器有两种主要形式：一种是逆变整流型，另一种是_______________型。14.晶闸管的三个引出电极分别是阳极、门极和_______________。15.晶闸管的维持电流IH是指晶闸管维持导通所需的_______________电流。二、单项选择题（15分）1．将交流电能转换成直流电能的变换器为（　　　）A．整流器B．逆变器C．斩波器D．交交变频器2．电流型逆变器中间直流环节储能元件是（　　　）A．电容B．电感C．蓄电池D．电动机3．采用多重化电压源型逆变器的主要目的是（　　　）A．减小输出电压幅值B．增大输出电压幅值C．减小输出电压谐波D．减小输出电压

4、功率4．若增大SPWM逆变器的输出电压基波频率，可采用的控制方法是（　　　）A．增大三角波幅度B．增大三角波频率C．增大正弦调制波频率D．增大正弦调制波幅度5．快速熔断器可用于过电流保护的电力电子器件是（　　　）A．功率晶体管B．IGBTC．功率MOSFETD．晶闸管6．如下变流器中，输出电压可能出现负值的变流电路是（　　　）A．三相半波可控整流带阻感负载电路B．单相桥式半控整流带电阻性负载电路C．接有续流二极管的三相半控桥式整流电路D．接有续流二极管的单相半波可控整流电路7．三相桥式变流电路工作于有源逆变状态，其整流侧平均输出电压Uo与直流反电动势电源Ed的关系为（　　　）A．

5、Uo

6、

7、<

8、Ed

9、B．

10、Uo

11、>

12、Ed

13、C．Uo=EdD．

14、Uo

15、=

16、Ed

17、8．逆变电路的功能是将直流电能转换为（　　　）A．直流电能B．交流电能C．磁场能D．化学能9．下面四个电力电子器件中，属于全控型电力电子器件的是（　　　）A．二极管B．晶闸管C．功率晶体管D．逆导晶闸管10．单相全控桥式电阻性负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为（　　　）。设U2为变压器二次侧相电压有效值。A．U2B．2U2C．U2D．U211．单相全控桥式整流大电感负载电路中，控制角α的移相范围是（　　　）A．0°~90°B．0°~180°C．90°~180°D．180°~360°12．单相全控桥式整流带反电

18、动势负载电路中，当控制角α大于不导电角δ时，晶闸管的导通角θ等于（　　　）A．π-αB．π+αC．π-δ-αD．π+δ-α13．三相半波可控整流电路，换相重叠角与哪几个参数有关_________，设U2为整流输入相电压有效值，α为控制角，Id为负载电流，Xc为变压器漏抗（　　　）A．α、Id及XcB．α及IdC．α及U2D．α、U2及Xc14．三相半波可控整流电路的自然换相点是（　　　）A．交流相电压的过零点B．本相相电压与相邻相电压的交点C．比三相不控整流电路的自然换相点超前30°D．比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°15．单相全控桥式整流大电感负载电路中，晶闸管可能承受的最

19、大正向电压为_______，设U2为整流输入相电压有效值（　　　）A．U2B．U2C．2U2D．U2三、问答题（40分）1.如何防止电力MOSFET因静电感应应起的损坏？答：电力MOSFET的栅极绝缘层很薄弱，容易被击穿而损坏。MOSFET的输入电容是低泄漏电容，当栅极开路时极易受静电干扰而充上超过20的击穿电压，所以为防止MOSFET因静电感应而引起的损坏，应注意以下几点：①一般在不用时将其三个电极短接；②装配时人体、工作台、电烙铁必须接地，