欢迎来到天天文库
浏览记录
ID:14269915
大小:262.50 KB
页数:14页
时间:2018-07-27
《玻璃钝化深度讲义》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、玻璃钝化深度讲义(2009-09-2616:27:31)转载 对于中小电流,击穿电压低于1600伏的器件,用玻璃钝化是相当普遍的。可以在金属化和划片之前使用简单的腐蚀造型法。玻璃料是由来自某些粘合剂(如异丙基醇,二乙二醇丁醚)中的精制玻璃粉末悬浮液涂敷上去的,在高温下粘合剂被烧掉了,玻璃熔化并在整个结的表面上形成密封保护层。涂敷玻璃主要有三种方法:医用手术刀法,电泳法和旋转匀涂法。 淋式显影的方法来实现选择性保护。这种方法能实现均匀的涂层并利于大批量生产。还可以减轻由于热膨胀系数不匹配产生的应力和变形,并有利于划
2、片。特别适用于具有场环或结终端延伸结构的全平面器件。其缺点是投入略大,材料浪费较多。 沉积之后,粘合剂在低于玻璃熔点的温度上被烧掉,若有微量的粘合剂存在,就会使熔化的玻璃结构变形。 粘合剂烧除以后,将温度升至玻璃熔点以上,降温后玻璃粉就会熔化并结晶。熔凝典型温度在650-900℃之间。它与玻璃成分有关。理想的情形是:温度低一点,使熔凝过程对已完成扩散的器件特性影响最小,并使由此产生热应力最低。 如果可能,让金属化在玻璃钝化之前进行,以减少相互之间的影响。 可惜低熔点玻璃的热膨胀系数较大,若涂层较厚就会造成龟裂现象
3、,而厚涂层因击穿电压较高又是常被乐于采用的。 钝化用玻璃所需具备的特性:a. 可控制的表面电荷密度NFBb. 同硅近似的热膨胀系数。c. 较低的玻璃烧结温度。d. 对p-n结性能无害。 玻璃粉的制备:分别称取各成份所需的重量,纯度要求大于99.99%,并在旋转的搅拌器中混合后,将这些粉末在1300℃下在空气中熔化,然后倒入冷水中,将产生的玻璃料放入球磨机中磨成细粒,平均直径为4μm。 常用的玻璃粉是铅铝硅酸盐玻璃和锌硼硅酸盐玻璃。铅系玻璃的热膨胀系数较低,适用于厚层;而锌系玻璃的温度稳定性较高,且
4、在高场强下也较稳定,但它的熔凝温度要比铅系玻璃高一些。 钝化玻璃的关键特性是玻璃中所含有的固定电荷的数量及类型。它们能改变反偏pn结空间电荷区的扩展范围。对于p+n结来说,希望玻璃层中含有负电荷,以促使空间电荷区展宽,降低表面峰值电场。然而过多的负电荷会使空间电荷区过分展宽,可能使n基区穿通,漏电流增大。(或产生场感应结,使击穿在表面进行并降低击穿电压。)玻璃中固定电荷的数量和极性与玻璃 的类型和工艺条件有关:锌硼硅酸盐玻璃具有纯的正电荷,该正电荷随融凝温度的增高而减少;也随着在氧气中加入氮气而减少。铅铝硅酸盐玻
5、璃带有负电荷,它随着融凝过程中氧气浓度的增加而变得更负。通氧可以减少硅表面悬挂键,从而降低漏电流。 划片工艺 气压:6.5—7.2kg/cm2 转速500-700r/s 速度6-18mm/s 余高5μm 刃宽 25--50μm 裂片工艺 用纯水粘在不锈钢板上冷冻(-18℃ 30min),取出后剥下蓝膜,用水冲入不锈钢筛网内,开水烫后在丙酮里浸泡20分钟后,异丙醇超声三到四次,脱水烘干(如有光刻胶残留须在白炽灯下30—50℃烘干) 由于硼铝在800℃以上会向n基区扩散,且镀镍亦易导致芯
6、片耐压降低,因此,在条件可能时应在玻璃层内外用LPCVD或APCVD(TEOS+O3)淀积SiO2或SIPOS。 熔凝温度在Tcs与Tc1之间。结晶温度的变化会导致玻璃热膨胀系数的变化。由微分热分析结果来解释,Tcs与Tc1之间的温差小一些较为有利(结晶迅速,晶粒小)。降温时在Tf与Ts之间,晶核生长,此时降温速度宜快一些,微晶体直径小,玻璃应力消失快;(用具有大晶体的玻璃钝化的器件具有很大的漏电流)而Ts与Tt之间,降温要慢一些,使应力在玻璃固化过程中消除。表面电荷都是负电荷并随烧结温度的上升而增加。但在获得低
7、热膨胀系数的工艺条件下不易得到高的击穿电压。 开槽之后,在槽内先生长1——2nm厚的氧化层可能对阻断电压的形成更为有利。800℃5分钟或720℃10——15分钟可以生长1.5nm左右的氧化层。(不包括10埃左右的原生氧化层) 电泳方法1).异丙醇(IPA)和乙基醋酸纤维素(EA)作为悬浮媒介,以体积比IPA:EA=50:50混合。2).每100cc悬浮液中加入2——4克玻璃粉,超声4——5分钟后静置4——5分钟后将其倒入石英或具有特氟隆涂层的不锈钢
8、液槽内。3).按2.0——4.0cc/L的比例加入28%的氨水(或通氨鼓泡至浓度为0.03mol/L).4).上述电解液添加好后超声混合4分钟然后将携带硅片及其反电极的装置浸入电解液中,硅片和反电极的最佳距离是2厘米。5).悬浮液静置30秒后由直流电源通过电泳装置的端子(如鳄鱼夹)加以100——200V/cm场强2——4分钟。6).装置将电极和硅片带出的速度为5毫米/秒。
此文档下载收益归作者所有