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1、21世纪初微电子技术发展展望本文由☆梦幻岛主☆贡献pdf文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。第36卷第1期1999年2月半导体情报1综述21世纪初微电子技术发展展望赵正平(电子部第十三研究所,石家庄050051)摘要综述了微电子领域中纳米技术,EMS,Si和GaAs集成电路,微波毫米波器件M及宽禁带半导体技术目前的发展状况.在此基础上,对其在21世纪初期的发展做了展望.关键词纳米技术EMS集成电路宽禁带半导体MProspectsfortheMicroelectro
2、nicsattheBeginningofTwentyFirstCenturyZhaoZhengping(The13thInstitute,MinistryofEI,Shijiazhuang050051)1引言收稿日期:1998-07-20人们刚刚庆祝过晶体管发明50周年,就面临跨世纪的时机.在此历史时刻,预测一下作为现代信息社会的核心技术——微电子的发展具有很重要的意义.微电子的主流自然是以第一代Si半导体材料为主.根据美国的15年半导体技术发展规划,到2000年,最小设计线宽为0118∧;DRAM达到1
3、Gb,MPU和ASICm集成度分别达到13和7M个晶体管cm2,衬M底最大尺寸300mm,芯片时钟频率达300～AbstractThecurrentstatusofnanotechnology,MEMS,SiandGaAsIC,microwavemillimeterwavedevicesaswellaswidebandgapsemiconductortechnologyinmicroelec2tronicsarereviewedinthispaper.Andthedevelopmenttendencyco
4、ncerningtheabove2mentionedaspectsatthebeginningoftwentyfirstcenturyisforecasted.KeywordsNanotechnologyEMSICidebandgapsemiconductorMW1994-2009ChinaAcademicJournalElectronicPublishingHouse.Allrightsreserved.DRAM达到64Gb;MPU和ASIC集成度分别达到90M和40M个晶体管cm2,衬底最大尺寸达到4
5、00mm.由异质结技术所引发的GeSiSi技术,在高频,高速性能和低成本统一的设想下又开辟出新的领域.随着尺寸突破011∧,这一10年前人们认为的物理极限后,m现在专家们预测在20102020年可以实现纳～米电子学中单原子存储技术.和纳米电子学同时伴生以硅材料为基础的微电子机械系统(MEMS)被人们认为是21世纪的革命性的新http://www.cnki.net600MHz.到2010年,最小线宽为0107∧;m2半导体情报第36卷第1期1999年2月向发展.半导体技术虽然已有50年的发展历史,但在未来2
6、0年的发展中,仍然生机勃勃,支撑着信息社会的进一步发展,为各国所关注.技术,对21世纪的科学技术,生产方式和人类生活质量都会有深远影响.这是第一代半导体材料的全新生命的开始.第二代半导体材料化合物半导体仍然是重要的不可缺的方面,特别是在微波毫米波和超高速领域表现出的很强生命力.美国继硅VHSIC计划之后,实施了以化合物为基础的MIIC计划,把工作频率提高到100GHz,线M宽达到011∧,并带动了异质结技术的发展,m使之成为微波毫米波的主流.GaAsVHSIC在MIIC计划实施过程中进行了插入研究计M划,
7、在电子对抗的射频存储器和频率综合方面实现了更新换代的作用,工作频率提高到千兆比特以上.在1997年发布的《联合作战科学技降至现在的15和110.SiC高功率放大器在尺寸,可靠性和寿命周期方面优于Si,GaAs固态放大器和电子管发射系统.GaAsVHSIC将在AD,DA中发挥重要作用.第三代半导体材料,宽禁带半导体技术,在几十年艰苦的研究中没有大的突破,进入90年代以后,由于SiC单晶体的突破和异质结技术的发展,世界范围内掀起研究宽禁带半导体的热潮,各国争相制定了发展计划.美国"国防高科学计划"中规定宽禁带
8、半导体发展目标是:1000V,1000Acm2大功率开关,1840GHz,～50发射机,1000小时以上的蓝光LED,蓝W2Si集成电路半导体存储器是Si集成电路的主要产品.存储器种类有:DRAM,SRAM,ROM,E2PROM,ERPOM,FLASHT等.DRAM是存术计划》之中,把毫米波单片,高温高功率电路和多功能的模块电路作为重点.并且充分利用第三代半导体材料宽禁带半导体的发展.将产生118GHz,1840GHz,407
