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时间:2018-07-19
《自学考试《电子技术基础(一)》历年真题全套试题》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在教育资源-天天文库。
1、自考02234《电子技术基础(一)》历年真题集电子书自考02234《电子技术基础(一)》历年真题集电子书目录1.目录32.历年真题42.102234电子技术基础(一)20040442.202234电子技术基础(一)20050492.302234电子技术基础(一)200604142.402234电子技术基础(一)200704212.502234电子技术基础(一)200804252.602234电子技术基础(一)200904282.702234电子技术基础(一)201004322.802234电子技术基础(一)201104362.902234电子
2、技术基础(一)201204393.相关课程4342自考02234《电子技术基础(一)》历年真题集电子书1.目录历年真题() 02234电子技术基础(一)200404() 02234电子技术基础(一)200504() 02234电子技术基础(一)200604() 02234电子技术基础(一)200704() 02234电子技术基础(一)200804() 02234电子技术基础(一)200904() 02234电子技术基础(一)201004()42自考02234《电子技术基础(一)》历年真题集电子书
3、 02234电子技术基础(一)201104() 02234电子技术基础(一)201204()相关课程()2.历年真题2.102234电子技术基础(一)2004042004年4月高等教育自学考试全国统一命题考试电子技术基础(一)试题课程代码2234一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于( )A.本征半导体B.温度C.杂质浓度D.掺杂工艺2.理想二极管构成的电路如题2图所示
4、,则( )A.V截止U0=-10VB.V截止U0=-3VC.V导通U0=-10VD.V导通U0=-6V3.某电路中晶体三极管的符号如题3图,测得各管脚电位标在图上,则该管处在( )A.放大状态B.饱和状态C.截止状态42自考02234《电子技术基础(一)》历年真题集电子书D.状态不能确定4.FET的转移特性如题4图所示,则该管为( )A.N沟道耗尽型B.N沟道增强型C.P沟道耗尽型D.P沟道增强型5.下列各组态放大电路中,若要求既有电压放大作用,又有电流放大作用,应选( )A.共射组态B.共基组态C.共集组态D.共漏组态6.某
5、单级放大电路的通频带为,由这样两个单级放大电路构成的两级放大电路,其总的通频带应是( )A.=2B.>C.>2D.<7.若要求放大电路取用信号源的电流小,而且带负载能力强,在放大电路中应引入的负反馈类型为( )A.电流串联B.电压串联C.电流并联D.电压并联8.要想使振荡电路获得单一频率的正弦波,主要是依靠振荡器中的( )A.正反馈环节B.稳幅环节C.基本放大电路环节D.选频网络环节9.在单相桥式整流电路中,变压器次级电压为10V(有效值),则每只整流二极管承受的最大反向电压为( )A.10VB.VC.VD.20V10.下列数
6、中,最大的数是( )A.(3D)16B.(57)10C.(65)8D.(111010)211.逻辑函数F=的反函数为( )A.B.C.D.12.逻辑函数F(A、B、C)=m1+m3+m6+m7,其最简与或表达式为( )A.F=AB+B.F=A+CC.F=B+CD.F=AB+BC13.逻辑函数F=A+AB+C+ACDEF的最简与或式为( )A.F=A+CB.F=A+C42自考02234《电子技术基础(一)》历年真题集电子书C.F=AD.F=AB14.TTL集电极开路门构成的电路如题14图所示,其输出函数F为( )A.F=AB
7、C+B.F=+DEC.F=·D.F=15.要使T触发器Qn+1=则T=( )A.QnB.0C.1D.二、填空题(本大题共10小题,每空1分,共10分)请在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均无分。16.PN结正向偏置时,应该是P区的电位比N区的电位________________。17.PN结加正偏导通,加反偏截止,称为PN结的________________性能。18.某放大状态的晶体管,知β=50,测得其IE=2.04mA,忽略穿透电流,则其IB为________________mA。19.在放大电路中,若负载电阻RL越大,则其电
8、压放大倍数________________。20.阻容耦合、变压器耦合和直接耦合三种放大电路,既能放大交流信号又能放大直流信号的是________________耦
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