石墨烯场效应晶体管研究进展

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1、------------------------------------------------------------------------------------------------石墨烯场效应晶体管研究进展第３４卷　第４期２０１４年８月　　固体电子学研究与进展　　ＲＥＳＥＡＲＣＨ＆ＰＲＯＧＲＥＳＳＯＦＳＳＥＶｏｌ．３４，Ｎｏ．４，２０１４Ａｕ．ｇ檸殠檸檸檸檸檸殠射频与微波檸殠檸檸檸檸檸殠杨正龙１　刘芯岩１　卜弋龙１　徐晓黎１　刘永生２＊＊＊１（）同济大学材料科学与工程学院，先进土木工程材料教育部重点实验室，上海，２０００９２２（）上

2、海电力学院太阳能研究所，上海，２０００９０２０１４０２０８收稿，２０１４０４０４收改稿－－－－摘要：制备场效应晶体管的石墨烯主要分三种类型：大面积单层石墨烯、石墨烯纳米带和双层石墨烯片。文中探讨了石墨烯对于场效应晶体管的影响。研究介绍了这三类石墨烯场效应晶体管器件的研究进展和标志性成果，认为：与大面积单层石墨烯晶体管相比，由石墨烯纳米带制得的石墨烯场效应晶体管的开关比和电流密度等性能能够大幅度提升，可应用于逻辑电路；与大面积单层石墨烯和石墨烯纳米带相比，双层石——————————————————————————————————————-----

3、-------------------------------------------------------------------------------------------墨烯晶体管具有更高的开关比，因此其实际应用的潜力最大。关键词：石墨烯；场效应晶体管；大面积单层石墨烯；石墨烯纳米带；双层石墨烯片（）中图分类号：ＴＮ３０４．１；Ｏ６１３．７；ＴＮ３８６　　文献标识码：Ａ　　文章编号：１０００３８１９２０１４０４０３４５０５－－－ＲｅｓｅａｒｃｈＰｒｏｒｅｓｓｏｆＧｒａｈｅｎｅｂａｓｅｄＦｉｅｌｄＥｆｆｅｃｔＴｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ－ｇ

4、ｐ１１１１２ＹＡＮＧＺｈｅｎｌｏｎＩＵ　ＸｉｎａｎＵ　ＹｉｌｏｎＸｉａｏｌｉＩＵ　Ｙｏｎｓｈｅｎ　　Ｂ　　Ｌｇｇ　Ｌｙｇ　ＸＵ　ｇｇ１　（ＳｃｈｏｏｌｏＭａｔｅｒｉａｌｓＳｃｉｅｎｃｅａｎｄ　ＥｎｉｎｅｅｒｉｎＫｅＬａｂｏｒａｔｏｒｏＡｄｖａｎｃｅｄ　ＣｉｖｉｌＥｎｉｎｅｅｒｉｎ　ｆ　ｇｇ，ｙ　ｙｆ　ｇｇ　，ＭａｔｅｒｉａｌｓｏＭｉｎｉｓｔｒｏＥｄｕｃａｔｉｏｎ，ＴｏｎｉＵｎｉｖｅｒｓｉｔＳｈａｎｈａｉ２０００９２，ＣＨＮ）　　ｆ　ｙｆ　ｇｊｙ，ｇ　，（２ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏＳｏｌａｒＥｎｅｒＳｈａｎｈａｉＵｎｉｖｅｒｓｉｔｏＥｌｅｃｔｒｉｃＰ

5、ｏｗｅｒ，Ｓｈａｎｈ——————————————————————————————————————------------------------------------------------------------------------------------------------ａｉ２０００９０，ＣＨＮ）　　ｆ　ｇｙ，ｇｙｆ　ｇ　：，ＡｂｓｔｒａｃｔＧｒａｈｅｎｅ－ｂａｓｅｄｆｉｅｌｄｅｆｆｅｃｔｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ（ＦＥＴ）ａｒｅｍａｉｎｌｄｉｖｉｄｅｄｉｎｔｏｔｈｒｅｅｔｅｓ　ｐｙｙｐ　，ｒａｈｅｎｅｒａｈｅｎｅｒａｈｅｎｅｉ．ｅ

6、．ｌａｒｅａｒｅａｍｏｎｏｌａｅｒｎａｎｏｒｉｂｂｏｎｓａｎｄｂｉｌａｅｒｓｈｅｅｔｓ．Ｉｎｔｈｉｓ－　　ｇｐｇｐｇｐｇｙｙｒｅｖｉｅｗ，ａｃｏｍｒｅｈｅｎｓｉｖｅｓｕｍｍａｒｉｓｒｏｖｉｄｅｄｆｏｒｓｕｃｈｔｈｒｅｅｔｅｓｏｆｒａｈｅｎｅｂａｓｅｄＦＥＴｄｕｒｉｎ－　　ｐｙｐｙｐｇｐｇ　，ｔｈｅｌａｓｔｅｉｈｔｅａｒｓ．Ｔｈｅｉｍａｃｔｏｆｒａｈｅｎｅｏｎｔｈｅｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｉｎｄｕｓｔｒｉｓａｌｓｏｄｉｓｃｕｓｓｅｄｉｎｄｅｔａｉｌ　　ｇｙｐｇｐｙ　，ａｎｄｉｔｉｓｆｏｕｎｄｔｈａｔｃｏｍａｒｅｄｗｉｔｈｌａｒｅａｒｅａｔｈｅｎａｎｏ

7、ｒｉｂｂｏｎｓｂａｓｅｄＦＥＴｈａｓｒａｈｅｎｅｒａｈｅｎｅ　－——————————————————————————————————————------------------------------------------------------------------------------------------------ｐｇｇｐｇｐ，，ｏｎ／ｏｆｆｃｕｒｒｅｎｔｒａｔｉｏａｎｄｃｕｒｒｅｎｔｄｅｎｓｉｔａｎｄｉｔｃａｎｂｅｕｓｅｄｆｏｒｌｏｉｃｃｉｒｃｕｉｔａｎｄｔｈａｔｂｅｔｔｅｒ　　ｙｇ，ｃｏｍａｒｅｄｗｉｔｈｌａｒｅａｒｅａｒａ

8、ｈｅｎｅａｎｄｒａｈｅｎｅｎａｎｏｒｉｂｂｏｎｓｂｉｌａｅｒｒａｈｅｎｅｂａｓｅｄＦＥＴｈａｓ　　－　　－　　ｐｇｇｐｇｐｙｇｐ，ｔｈｅｈｉｈｅｓｔｏ