cmos 集成电路的设计规则

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1、铝栅CMOS集成电路的设计规则1.下面是6微米铝栅CMOS电路设计规则最小尺寸单位：微米序号名称低压13-6V低压23-6VCC4000-13-15VCC4000-23-18V1扩散区1.1P+，N+扩散区宽度6.07.57.57.51.2P+-P+，N+-N+间距6.07.57.57.51.3同电位的P+与N+间距00001.4P阱边缘的P+区环绕宽度101010101.5P阱边缘到P+外边缘间距8.07.55.05.01.6P阱边缘的P+区与外界N+间距101012.512.51.7P阱与P阱间距202025251.8隔离区（保护环）宽度007.5102沟道、栅2.1

2、沟道长度6.07.57.57.52.2栅氧化层覆盖源漏2.02.52.52.52.3栅端超出隔离区长度002.52.52.4铝条覆盖源漏2.02.52.52.52.5铝条覆盖栅端2.02.52.52.53.引线孔3.1引线孔尺寸6.0*6.05.0*7.57.5*7.57.5*7.53.2预刻孔各边比引线孔大1.01.51.51.53.3孔到扩散区（N+，P+）边缘2.02.52.52.53.4铝覆盖引线孔（各边）2.02.52.52.54铝引线4.1铝条宽度8.07.57.57.54.2短距离铝条间距6.07.57.57.54.3长距离铝条间距6.07.57.57.54

3、.4内部Vss、VDD铝条宽度（驱动部分除外）141515155压焊点（铝）5.1压焊铝块大小120*120125*125125*125125*1255.2压焊铝块间距808080805.3压焊铝块下到P阱（除VDD）各边间距4.05.05.05.05.4压焊铝块下到P+或N+间距16.017.517.517.55.5与周围铝条间距（金丝球焊）353535355.6与内侧、两边铝条间距（超声焊）404040405.7与外围铝条间距（超声焊）505050505.8到划片槽间距（无外包铝条）707070705.9压焊铝块比各边钝化孔大4.05.05.05.06其它6.1划片槽

4、宽度606060606.2划片槽边缘到内部N+区间距303030306.3外包铝条外侧到划片槽间距707070706.4图形套刻精度1.01.01.01.06.5过桥线尽量使用N+电阻连接6.6输出端若一定要过桥，必须考虑到串联电阻和输出驱动电流2CAD设计倍率关系内部单位尺寸0.5μm1.0μm2.0μm2.5μm5.0μm10.0μm放大倍数200010005004002001003.光刻版次序（铝栅P阱）序号低压1低压2CC4000-1CC4000-2标记阴阳（黑白）第一次P阱P阱P阱P阱M1黑负胶第二次磷掺杂(N+)磷掺杂(N+)硼掺杂(P+)硼掺杂(P+)M2黑

5、负胶第三次硼掺杂(P+)硼掺杂(P+)磷掺杂(N+)磷掺杂(N+)M3黑负胶第四次栅+预孔栅+预孔栅+预孔栅+预孔M4黑负胶第五次VTP调制VTP调制VTP调制VTP调制M5黑负胶第六次孔孔孔孔M6黑负胶第七次铝引线铝引线铝引线铝引线M7白负胶第八次钝化钝化钝化钝化M8黑负胶4.光刻版套准次序M2→M1;M3→M1;M4→M1;M5→M1;M6→M1;M7→M6;M8→M75.MOSFET宽长比的选择MOS管的宽长比由要求的驱动电流、管子内压降、导通电阻等条件决定。通常对一般驱动管，宽长比W/L在50-200对一般逻辑控制管，W/L在5-10即可。6.光刻对位标记对位标记

6、可依据方便、可靠、习惯选取。早期的对位标记在每块芯片上都有，目前采用在圆片的上下、左右、中心一个，包括调管、电阻、电容、胖瘦标记等测试图形。对位标记一般用“十”字形，胖瘦标记一般用“品”字形。7.调管调管有NMOS和PMOS两种，它们与芯片同时完成，主要用来检测开启电压、漏电、击穿电压等。调管的W/L小于5。8.测试电阻测试电阻用来检测P阱、P+、N+等掺杂浓度，通常可根据要求电阻的大小，选择图形的方块数，并用与铝块相连，以便测量。9.光刻版的阴阳光刻版的阴阳由采用的光刻胶决定，当要求图形窗口去除时，用正胶则光刻版为黑板，即只有曝光区的胶在曝光、显影后去除；反之，用负胶则

7、为白版。除非有特殊要求，一套版子最好采用相同的光刻胶。1.0套孔在场氧化层很厚时，为了保证光刻胶的保护作用和图形的质量，对引线孔采用套刻，套刻孔与栅区光刻同时进行，但套刻区不腐蚀到底。在下次刻孔时完成孔区介质的完全刻蚀。