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时间:2018-07-12
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1、电子教材-沉积氧气压力对纳米晶硅光致发光的影响.txt9母爱是一滴甘露,亲吻干涸的泥土,它用细雨的温情,用钻石的坚毅,期待着闪着碎光的泥土的肥沃;母爱不是人生中的一个凝固点,而是一条流动的河,这条河造就了我们生命中美丽的情感之景。本文由秋天的收获2020贡献pdf文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT,或下载源文件到本机查看。沉积氧气压力对纳米晶硅光致发光的影响罗明学李常青杨柳(郑州大学信息工程学院,河南郑州450052)摘要用脉冲激光(Nd:YAG激光)沉积技术在硅基上沉积富硅SiO2薄膜(SiOx,x<2),沉积时氧气压力分别为1.33,2.66,3.
2、99,5.32,6.65,7.98Pa,膜的厚度约为300nm。随后,在氩(Ar)气中1000℃的温度下对沉积的SiOx薄膜进行热退火处理30min,使在SiO2薄膜中生长出硅纳米晶。用光谱分析仪分析其在室温下的光致发光(PL)光谱时发现,随着沉积氧气压力的增强,峰值波长在减小(即蓝移),表明纳米晶硅颗粒在减小;同时,在本研究中的制作条件下,PL强度与沉积氧气压力有较强的依存关系,在2.66-3.99Pa的氧气压力条件下沉积制作的试样,得到最大的PL强度。关键词纳米晶硅;光致发光;脉冲激光沉积中国分类号TN304.1,TN383photoluminescenceprop
3、ertiesofnanocrystalSiLuoMing-xue,LiChang-qing,YangLiu(CollegeofInformationEngineering,ZhengzhouUnivercity,Zhengzhou450052,China)DepositionoxygenpressureeffectontheAbstractSiliconsuboxides(SiOx,x<2)thinfilmswiththicknessof300nmonSimatriceshavebeenfabricatedbypulsedlaserdeposition(PLD)tech
4、niqueusingaNd:YAGlaserwithdifferentdepositionoxygenpressureof1.33,2.66,3.99,5.32,6.65,and7.98Pa.Afterdeposition,thefilmswereannealedinArambientat1000℃for30min,andSinanocrystals(nc-si)growedinit.Theopticspectrumanalyzerwasusedtoanalyzethephotoluminescence(PL)spectraofthesamplesatroomtempe
5、rature.IthasbeenobservedthatPLpeakwavelengthreduces(blueshift)withincreasingoxygenpressure,whichshowedthesizeofnc-Sireduces.Atthesametime,PLintensitystronglydependingonthedepositionoxygenpressurewasalsoobserved,itreachedthepeakatthepressureof2.66-3.99Pa.KeywordsNanocrystalSi;Photolumines
6、cence;Pulsedlaserdeposition一、引言硅是微电子器件的主要材料,但由于硅是间接带隙半导体材料,发光效率很低,不利于硅基光电集成[1]。自从1990年Canham报道多孔硅的光致发光[2]以来,大大提高了人们研究硅发光的兴趣,并在这方面做了大量的实验工作。尽管纳米晶硅的发光机制仍存在一些争议,但多数的研究认为,纳米晶硅在可见光及近红外领域的发光主要得益于量子限制效应[3-5]。制作纳米晶硅有不同的方法,如:硅离子注入法[6],富氧硅溅射法[7],富氧硅反应蒸发法[8]等,这些都是通过控制硅中氧的含量来实现控制纳米晶硅尺寸的大小。本实验是在脉冲激光沉
7、积过程中,通过控制沉积氧气压力的大小来控制沉积的SiOx薄膜中x(x<2)值的大小,使退火处理后在SiO2薄膜中生成不同尺寸的纳米晶硅。教育部留学回国人员科研启动基金资助的课题,批准号:教外司留(2005)546号二、纳米晶硅的制作本实验中,沉积富硅SiO2薄膜的消融激光器使用掺钕钇铝石榴石(Nd:YAG)脉冲激光器(使用的波长为532nm,激光单脉冲能量为40mJ/Pulse,重复频率为10Hz,脉冲宽度约为10ns)硅靶与沉积硅基板置于真空容器中,。距离为2cm,在背景真空度约为0.0133Pa时,分别注入氧气压力为1.33,2.66
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