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1、利用8139C网卡读写EPROMzz 2008-04-0114:23:57
2、 分类:嵌入式开发
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4、字号大中小 订阅一. 27C256引脚和模式只读存储器随着技术的发展,主要经历了ROM、PROM、EPROM、EEPROM等。EPROM的擦除只能借助于长时间暴露于紫外线,使用不太方便,常用于产品开发阶段。常用的EPROM大小有:128K位、256K位、512K位等等。由于我手上只有128K和256K大小的EPROM,所以本文主要以256K的EPROM来讲述的。 所谓256K位
5、的EPROM,是指它有256*1024位(BIT),也就是32K字节的EPROM。它是一个28插脚的芯片。DIP封装的27C256的管脚图如下: 图927C256 Q0~Q7:数据脚A0~A14:地址线VSS:接地端VPP:编程电压+12VVCC:+5V电压E:片选线G:输出允许 下面是它的操作模式: 模式EGA9VPPQ7~Q0读出VILVIL任意VCC数据输出禁止输出VILVIH任意VCC高阻编程VIL脉冲VIH任意VPP输入数据校验VIHVIL任意VPP输出数据禁止编程VIHVIH任意VP
6、P高阻维持VIH任意任意VCC高阻电子标志VILVILVPPVCC标志 二. 8139C引脚和ROM插槽我们在前言部分看到了8139C网卡的实物图,根据网卡的核心部件就是中间部分的8139C芯片(如图10)。图108139C 8139C共有128脚,这些引脚中与网卡上扩展ROM插槽连接的情况如下: 插槽(27C256脚)网卡上28阵插座与8139C的连接插槽(27C256脚)1(VPP)69(MA15)46(VDD)+3.3V28(VCC)+5V2(A12)66(MA12)68(MA14
7、)27(A14)3(A7)60(MA7)67(MA13)26(A13)4(A6)57(MA6)61(MA8)25(A8)5(A5)53(MA5)63(MA9)24(A9)6(A4)52(MA4)65(MA11)23(A11)7(A3)51(MA3)接地22(G)8(A2)49(MA2)64(MA10)21(A10)9(A1)48(MA1)110(CS)20(E)10(A0)47(MA0)100(MD7)19(D7)11(Q0)108(MD0)101(MD6)18(D6)12(Q1)107(MD1)1
8、02(MD5)17(D5)13(Q2)105(MD2)103(MD4)16(D4)14(VSS)GND接地104(MD3)15(D3) 8139C利用一个32位寄存器来读写和扩展ROM有关的引脚,该寄存器地址在存储器空间的偏移00D4H~00D7H。所以寄存器读写地址为存储器基地址加00D4H。寄存器格式如下:位读/写定义描述31-24R/WQ7-Q0反映数据线状态,当外部高阻时为输出,否则为输入23-21--保留20W(只写)CS设置CS线,8139C的110线19WOE设置OE线,8139C的8
9、8线。很多8139C网卡并没有将其和插槽相连。18WWR设置WR线,8139C的89线。很多8139C网卡并没有将其和插槽相连。17WSWRWEn准许软件访问flashmemory:0:不准许通过软件访问flashmemory1:准许通过软件访问flashmemory并且在通过软件访问flashmemory期间不准许访问EEPROM(我也不太懂什么意思,不过似乎没什么用,下面是原文) 16-0WA16-A0设置地址线 好了,有了上面的资料,我们下面就开始来利用PCI网卡上的扩展ROM插槽来读写EPR
10、OM吧。 三. 27C256的读操作当G和E脚都为低电平,而VCC和VPP脚都接5V电压时,27C256便进入到读操作模式下。由于网卡插槽上G总是低电平(接地),所以只需要E进入低电平即可。图11是27C256的读时序图:图1127C256读时序图 从读时序图中我们可以看到:在地址A0~A14有效tAVQV时间后、在E低电平tELQV时间后、在G低电平tGLQV时间后,输出脚Q0~Q7开始输出有效数据。 根据这个时序关系,我们写出写出了自己的读27C256程序(见附件R256.asm),
11、这些读ROM并不是通过PCI的地址映射,而是直接通过ROM寄存器直接读写。需要注意的是:在我其中上扩展ROM的基地址为0EC00H,所以ROM的寄存器地址为0ECD4H,而读者在编译该程序之前,需要更新上自己机器上ROM寄存器的地址,千万不要忘了J。 四. 27C256的写/编程操作写操作的时序图如图12: 图1227C256写/编程时序图 27C256的写操作最特别的一点是要在引脚1(VPP)上加上+12V的编程电压。而插槽中该引脚是对应在8139C的第
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