基于max668-max669的升压型dc-dc变换器的设计

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时间:2018-07-09

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1、基于MAX668/MAX669的升压型DC/DC变换器的设计

2、第1内容显示中2管脚功能和使用特点其封装形式如图1所示。各管脚功能如下:脚1LDO5V的芯片调压器输出,该调压器为内部的所有电路供电,包括EXT门极驱动,通过1个1μF的陶瓷电容器与接地端连接;脚2FREQ振荡频率设定的输入端,通过1个电阻ROSC连接FREQ与接地端,设定频率fOSC=5×1010/ROSC,频率为100~500kHz可调,当SYNC/SHDN利用外部时钟时同样使用该电阻;脚3GND逻辑地;脚4REF125V的参考输出,通过022μF的电容与

3、接地端连接,可以有50μA的电流;脚5FB反馈输入,其阈值为125V;脚6CS+电流传感器的正输入端,在CS+与PGND之间接电流传感器电阻RCS;脚7PGNDEXT门极驱动和电流检测负向输入端;脚8EXT外部MOSFET门极驱动输出;脚9VCC电源输入到脚1调压器,VCC可以接受28V的电压,由一个01μF陶瓷电容与接地端连接;脚10SYNC/SHDN停机控制和同步输入,有三种控制模式:当该管脚为低电平时,停机;当为高电平500)this.style.ouseg(this)">图1MAX668/MAX669的封装形式5

4、00)this.style.ouseg(this)">图2升压型DC/DC变换器时,由脚2设置的振荡频率运行;当外同步运行时,由时钟设置运行频率,转换周期起始于输入时钟的上升沿。MAX668与MAX669的不同之处是可以运行于自举或非自举两种状态,输入电压在3~28V,VCC可以连接到输入、输出或其它电压源。在自举时,输出不高于28V,在非自举时,输出可高于28V并可调。MAX669输入电压在1.8~28V之间。必须连接成自举状态,输出电压不高于28V,因为MAX669没有欠压封锁功能,当LDO低于25V时,在开环下以50

5、%的占空比启动振荡器驱动EXT,当LDO高于25V时,运行在闭环状态下。SYNC/SHDN提供外同步运行和关机控制。当SYNC/SHDN为低电平时,芯片关机;当SYNC/SHDN为高电平时,则芯片通过ROSC确定运行频率,ROSC=5×1010/fOSC(Ω)。当芯片为外部同步运行时,时钟信号的上升沿为SYNC/SHDN的输入,当同步信号丢失时,若SYNC/SHDN为高电平,内部振荡器将在最后一个周期起作用,频率仍由ROSC确定;当利用外部时钟时,若不能满足15mV的电流检测器阈值,则将切换为闲置模式,即闲置模式只发生在轻

6、载时,此时,ROSC将被设置为低于同步时钟频率15%的频率,即ROSC(SYNC)=5×1010/(0.85×fSYNC)(Ω)MAX668/MAX669具有软启动功能,而且不需外部电容器。当芯片加电时,或者退出欠压锁定时会出现软启动。MAX669只有LDO的电压达到25V时,才会开始软启动。3DC/DC变换器的设计以升压型DC/DC变换器的设计为例,对其设计过程进行说明。变换器电路如图2所示。3.1设置运行频率频率的确定主要考虑如下因素1)噪声因素,运行频率必须设置高于或低于特定的频段;2)高频率允许使用小容量的电感器和

7、电容器;3)高频将使芯片和FET器件消耗较大的能量,降低系统效率;而小容量的电感和电容器具有较小的等效电阻值,在一定程度上能弥补效率的降低。当利用内部频率时,ROSC(SYNC)=5×1010/fOSC(Ω);当利用外部时钟时,ROSC(SYNC)=5×1010/(0.85×fSYNC)(Ω)。32设置输出电压输出电压由电阻R2和R3确定,首先在10kΩ和1MΩ之间选定R3,则R2为R2=R3(1)式中:VREF为125V。33确定电感值根据芯片内部设置的动态补偿得出的电感量优化值为LID=VOUT/(4×IOUT×f

8、OSC)(2)当计算的电感值不是标准值时,可以在较大的±30%容差范围内选择标准值,当取值小于计算值时,电感电流的峰峰值ILPP将变大,需使用大的输出滤波电容,以满足纹波要求。当取值高于计算值时,需要增大相同比例的滤波电容器。因为其高频损耗较高,推荐应用铁氧体铁芯,不要使用铁粉芯。34确定峰值电感电流峰值电感电流为ILP=ILDC+ILPP/2(3)式中:ILDC为平均直流输入电流;ILPP为电感峰峰纹波电流。ILDC=(4)式中:VD为肖特基整流二极管D1的正向压降;VSOSFET的选择需要选择N沟道的MOSFET,

9、在选择时主要考虑1)总的门极电荷Qg;2)反向传递电容或电荷CRSS;3)通态电阻RDS(ON);4)最大的VDS(max);5)最小的阈值电压VTH(min)。当频率高时,Qg和CRSS对效率的影响更大一些,为主要考虑对象。Qg同时影响器件的导通电流IG=Qg×fOSC(8)36二极管

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