材料科学基础试卷和答案

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1、装订线装订线内不要答题学号姓名班级东北大学秦皇岛分校课程名称：材料科学基础（上）试卷：(A)考试形式：闭卷授课专业：材料科学与工程考试日期：2008年06月25日试卷：共4页题号一二三四五六总分得分阅卷人一、填空题（每空1分，共10分）1、Cu（原子序号29）的基态电子组态为1s22s22p63s23p63d104s1。2、聚乙烯高分子材料中C—H化学键属于共价键。3、金属的三种常见晶体结构中，密排六方结构不能称作为一种空间点阵。4、面心立方晶体的孪晶面是__（111）。5、在晶体中形成空位的同时又产生间隙原子，这样的缺

2、陷是弗伦克尔缺陷。6、链段是用来描述高分子的柔顺性。7、固体金属内原子扩散的驱动力是化学位梯度。8、既能提高硬度，又能降低其脆性的手段是细晶强化。9、再结晶的驱动力是储存能（应变能）。10、在金相试样表面上几组交叉滑移线的产生是由于多滑移。二、选择题（每题1.5分，共30分）1、简单立方晶体的致密度为。（C）A、100%B、65%C、52%D、58%2、空间点阵是由在空间作有规律的重复排列。（C）A、原子B、离子C、几何点D、分子3、在SiO2七种晶型转变中，存在两种转变方式：一种为位移转变，另一种为重构转变，位移转变需

3、要的激活能____重构转变的激活能。（B）A、大于 B、小于 C、等于4、每一个面心立方晶胞中有八面体m个，四面体间隙n个，其中：。A、m=4，n=8B、m=13，n=8C、m=1，n=4（A）5、不能发生攀移运动的位错是。（A）A、肖克莱不全位错B、弗兰克不全位错C、刃型全位错6、在一块晶体中有一根刃位错P和一根相同长度的螺位错线Q，比较两者的能量，有：。（A）A、E（P）>E（Q）B、E（P）

4、E1（C）8、f.c.c晶体中Frank不全位错最通常的运动方式是：。（C）A、沿{111}面滑移B、沿垂直于{111}的棱柱面滑移C、沿{111}面攀移9、金属的自扩散的激活能应等于：。（A）A、空位的形成能与迁移激活能的总和B、空位的形成能C、空位的迁移能10、位错运动的方向一般是：。（B）A、晶体滑移的方向B、与位错线垂直的方向C、与位错线平行的方向11、网络型高分子不可能出现_____。（B）A、玻璃态B、橡胶态C、粘流态-4-装订线装订线内不要答题学号姓名班级12、A和A-B合金焊合后发生柯肯达尔效应，测得界面

5、向A试样方向移动，则__________。（A）A、A组元的扩散速率大于B组元B、B组元的扩散速率大于A组元C、和扩散速率大小无关13、在扩散过程中，原子的流量直接正比于。（B）A、温度B、浓度梯度C、时间14、固态金属原子的扩散可沿体扩散与晶体缺陷扩散，其中最快的扩散通道是：。（C）A、位错扩散B、晶界扩散C、表面扩散15、弥散分布的小粒子的存在可增加材料的强度，其强化效果取决于：。A、粒子的尺寸和体积百分数B、溶质原子的化合价C、粒子的粘弹性变形速率（A）16、强化金属材料的各种手段，考虑的出发点都在于。（A）A、制

6、造无缺陷的晶体或设置位错运动的障碍B、使位错增殖C、使位错适当的减少17、在室温下经轧制变形50%的高纯铅的显微组织为。（C）A、沿轧制方向伸长的晶粒B、纤维状晶粒C、等轴晶粒18、单晶体作拉伸时，若拉伸轴与滑移面法线的夹角为Φ，则拉伸轴与滑移方向的夹角Ψ：。（C）A、可由Ψ=90°-Φ求得B、不能确定，可以是任意值C、不能确定，但不大于90°19、在的情况下，再结晶后若在更高温度保温还可能发生二次再结晶。A、临界变形度变形B、冷变形金属中存在着分散分布的第二相微粒C、冷变形前的原始晶粒粗大（B）20、变形金属中储存能的

7、绝大部分是以下列哪种方式存在：。（A）A、第三类内应力B、第二类内应力C、第一类内应力一、名词解释（每个3分，共15分）1、空间点阵：将晶体中原子或原子团抽象为纯几何点（阵点），即可得到一个由无数几何点在三维空间排列成规则的阵列。2、反应扩散：由扩散造成的浓度分布及由合金系统决定的不同相所对应的固溶度势必在扩散过程中产生中间相。这种通过扩散而形成新相的现象称为多相扩散，也称为相变扩散或反应扩散。3、固溶体：合金的组元通过溶解形成一种成分及性能均匀的、且结构与组元之一相同的固相，称为固溶体。4、再结晶：当变形金属被加热到较

8、高温度时，由于原子活动能力增大，晶粒的形状开始发生变化，由破碎拉长的晶粒变为完整的等轴晶粒。这种冷变形组织在加热时重新彻底改组的过程称再结晶。5、交滑移：晶体在两个或多个不同滑移面上沿同一滑移方向进行的滑移。-4-装订线装订线内不要答题学号姓名班级一、简答题（每题5分，共10分）1、离子晶体的结构规则是什么？答：（1