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时间:2018-05-21
《表面绝缘电阻&离子迁移测试条件》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、三鼎国际检测认证服务机构自成立之日起,着眼于为线路板行业提供最专业、最安全的认证咨询服务,一直深挖技术潜力,勇攀制高点!我司已经完全掌握了线路板UL认证、CQC认证过程中所有的重点、难点,完全有能力协助您在价格更优,服务更优的基础上,顺利通过认证!现隆重推出线路板委托测试服务,给您多一个优质的服务提供商!我们的委托测试项目之一:表面绝缘电阻&离子迁移测试条件无铅制程的相关可靠度问题,对于PCB&FPC还有焊锡业者来说,表面绝缘电阻降低、板材产生离子迁移与CAF(阳极导电性细丝物)..等,都是现今所必
2、须要面对的课题之一,但是相关的试验条件与规范数据,分散而且凌乱,庆声透过多年的经验将其常用的相关试验条件整理给客户参考,让客户在使用SIR或是MIG设备的时候,对于所会使用到的试验条件有初步的了解与认识,缩短客户的学习时间并提高效率,将时间花在自身工司的核心技术的研究上,希望能够透过分享的角度,让相关的技术加速交流与讨论,使产业迈向新的领域与思维。FPC(软性印刷电路板)迁移试验摘要:试验规范温湿度电压时间备注日商迁移试验80℃/85%R.H.50V1000h日商迁移试验80℃/85%R.H.50V
3、1000h日商迁移试验80℃/85%R.H.60V1000h(15/15um)日商表面绝缘电阻试验80℃/85%R.H.60V1000h线距:15um线宽:15um日商HAST+SIR试验120℃/85%R.H.100V1000h线距:50um线宽:50umCAF(导电性细丝物)试验条件摘要:试验规范温湿度电压时间备注台湾厂商01-耐CAF板85℃/85%R.H.50V>2000h(孔径&孔距0.5mm),4层板日系笔记型PCB试验规范85℃/85%R.H.1000h>1.16*10^10Ω日系厂商
4、02-CAF-185℃/85%R.H.50~100V500~1000h日系厂商02-CAF-285℃/85%R.H.50V240h台湾厂商02-耐CAF板85℃/85%R.H.50V>1000h孔径:0.35mm孔距:0.3mm日系-耐CAF85℃50V>2000h>1*10^6Ω铜面积层板/85%R.H.日系PCB-CAF试验85℃/85%R.H.100V>2000h线距0.3mm日系-高耐热多层材料85℃/85%R.H.100V>1000h日系-高TG玻璃环氧PCB材料85℃/85%R.H.50
5、V1000h日系-低诱电率多层板85℃/85%R.H.110℃/85%R.H.50V1000h300h>1*10^8Ω日系-耐CAF&无铅焊锡多层PCB配线材料120℃/85%R.H.100V800h日商-PCB电路板85℃/85%R.H.100V2000h以上线距0.3mm耐CAF试验85℃/85%R.H.50V1000h耐CAF板>小时,(孔径0.35mm、孔距0.35mm)依电压分类:SIR测试条件(单电压)STANDARDTemp./Hum.Testvolt.TestDurationTest
6、CouponEndorse日商-化银层迁移试验(SIR)85℃/85%R.H.1000h日商-化银层迁移试验85℃/85%R.H.504hIPC-4553&J-STD-004>1/10,无树枝状结晶日商-化银层迁移试验85℃/85%R.H.96hIPC-650-2.6.3.5&IPC-4553>10^8符合汽车工业要求日商-化银层迁移试验35℃/85%R.H.100V96hIPC-650-2.6.3.5&IPC-4553&Bellcore>10^10GR-78日商-化银层迁移试验(SIR)高Tg耐热
7、电路板85℃/85%R.H.100V2500h手机PCB测试条件85℃/85%R.H.3.3V500hIEC-61189-540℃/93%R.H.5V72h(每20m测量一次)JESD22-A110JESD22-A1105V96hrsFilpChip封装[耐湿试验]85℃/85%R.H.5V2000h1*10^10Ω以上PCB板结露试验[使用JIS-2梳形电路]16±2℃/60±5%R.H.5V25min25cycle225±2℃/90±5%R.H.5V15min25cycle多层板层间测试109℃
8、/100%R.H.5V/50V168h5*10^7Ω以上数位相机镜头60℃/90%R.H.6V1000h>10^13ΩIPC-TM-650-2.6.14.185℃/90%R.H.10V500h[ResistancetoElectrochmical]最小电流1mA(10kΩ)285℃/85%R.H.10V168h[migration,polymersoldermask]最小电流1mA(10kΩ)银迁移试验(无铅制程)85℃/85%R.H.12V1000h>10^13Ω笔
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