最新4-三极管及放大电路解读PPT课件.ppt

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1、4-三极管及放大电路解读§4.1晶体三极管一、基本结构NNPNPN型PNP集电极集电极基极基极发射极发射极BBCCEEPNP型基区：较薄，掺杂浓度低集电区：面积较大发射区：掺杂浓度较高BECNNP基极发射极集电极发射结集电结三、V-I特性曲线及结论iCmAAVVvCEvBERBiBECEB实验线路(一)、输入特性:vCE1ViB(A)vBE(V)204060800.40.8工作压降：硅管VBE0.5~0.7V,锗管UBE0.1~0.3V。vCE=0VvCE=0.5V死区电压:硅管0.5-0.7V，锗管0.1-

2、0.3V。(二)、输出特性:iC(mA)1234vCE(V)36912IB=020A40A60A80A100AVB>VE和VC>VB，IC只与IB有关且IC=IB，称为放大区VCE0.3V,VB>VE和VB>VC，称为饱和区。IB=0,IC=ICEO,VBIC，VCE0.3V(3)截止区：发射结反偏，集电结反偏，IB=0，IC=ICEO01、三极

3、管工作在三个区域的条件及特点:C、E间相当于短路C、E间相当于开路2、电流的放大作用及分配电流分配关系IB=020A40A60A80AiC(mA)1234vCE(V)36912思考1：处于放大区时，NPN型、PNP型两种三极管的各电极电位如何？EBCBECNNPPPNVB、VC、VE大于零VB、VC、VE小于零且VC>VB>VE且-VC>-VB>-VE总的来说:处于放大区时，NPN型、PNP型两种三极管，满足思考2：在同一坐标上绘制NPN型、PNP型三极管的输出特性曲线IB=020A40A60A80Ai

4、C2(mA)1234vCE(V)-12-9-6IB=020A40A60A80A-3IB=020A40A60A80AiC1(mA)1234vCE(V)36912BECNNPiC1EBCPPNiC2vCE(V)iC2(mA)四、主要参数前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。共射直流电流放大倍数：工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为IB，相应的集电极电流变化为IC，则交流电流放大倍数为：1.电流放大倍数和四、主要参

5、数前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。共射直流电流放大倍数：工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为IB，相应的集电极电流变化为IC，则交流电流放大倍数为：1.电流放大倍数和2.集-基极反向饱和电流ICBOAICBOICBO是集电结反偏由少子的漂移形成的反向电流，受温度的变化影响。BECNNPICBOICEO=IBE+ICBOIBEIBEICBO进入N区，形成IBE。根据放大关系，由于IBE的存在，必有电流IBE。集电

6、结反偏有ICBO3.集-射极反向饱和电流ICEOICEO受温度影响很大，当温度上升时，ICEO增加很快，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。4.集电极最大电流ICM集电极电流IC上升会导致三极管的值的下降，当值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。5.集-射极反向击穿电压U(BR)CEO当集---射极之间的电压UCE超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25C、基极开路时的击穿电压。6.集电极最大允许功耗PCM集电极电流IC流过三极管，所发出的焦耳热为：PC=ICUCE必定导致结温

7、上升，所以PC有限制。PCPCMICUCEICUCE=PCMICMU(BR)CEO安全工作区五、温度对ＢＪＴ参数及特性的影响T、ICEO、ICBOICiCuCE温度上升时，输出特性曲线上移六、常见三极管实物外形三极管放大电路有三种形式共射放大器共基放大器共集放大器以共射放大器为例讲解工作原理一、放大电路的分类§4.2基本共射极放大电路二、共射放大电路的基本组成iCiBRsvSC1vBEVCCRCT~RBVBC2RB+VCCvotvStvItiCtv0t未加电容Ｃ２加电容Ｃ２vIv0三、符号规定VA:大写字母、大写下

8、标，表示直流量。vA:小写字母、大写下标，表示交直流量(全量)。va:小写字母、小写下标，表示交流分量。vAva全量交流分量tVA直流分量(一）、放大的概念、放大器的组成框图１、放大就是将微弱的变化信号放大成较大的信号，包括对电压、电流的放大。２、放大器的一般组成框图：电压放大功率放大负载输入信号放大器引言:(§1.4--§1.5