最新慢性咽喉炎的原因及预防幻灯片.ppt

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1、慢性咽喉炎的原因及预防慢性咽喉炎是什么引起的1.局部因素慢性咽喉炎多为急性咽炎反复发作或延误治疗转为慢性;另外，患有各种鼻病，因鼻阻塞而长期张口呼吸及鼻腔分泌物下流，致长期刺激咽部，或慢性扁桃体炎，龋病等影响所致。2.物理化学因素刺激如粉尘、颈部放疗、长期接触化学气体、烟酒过度等都可引起本病。3.全身因素，各种慢性病，如贫血、便秘、下呼吸道慢性炎症，心血管疾病，新陈代谢障碍，肝脏及肾脏病等都可继发本病。慢性咽喉炎的预防预防和护理的内容不外乎饮食、居处、劳逸、服药和精神五方面的调理。这五者，对慢性咽炎来说，都是比较重

2、要的。严禁烟、酒、辛辣，注意营养。生活和工作，需在空气新鲜的环境里。居室要寒暖适宜。注意劳逸结合。戒多言。言多损气，气损致津伤。注意锻炼。保持情绪稳定，多阅读些有益文献，以涵养性情。对治疗要有信心、恒心和决心。3.3掺杂与加热均能使半导体的电导率增加，但二者有何不同?以n型半导体为例,掺杂形成的杂质能级靠近导带底部。比禁带宽度小得多。在常温下这种杂质能级上的电子很容易被激发到导带中去，使导带中自由电子浓度增大，大大提高了半导体的导电性。加热使满带中相当数量的电子被激发到空带中去，这些空带中的电子和相应满带中的空穴可

3、参加导电，使半导体的电导率增加。加热需使电子跃过禁带。Eg约为01～2eV掺杂杂质能级与导带底部之间的能量差约为10-2eV显然掺杂对半导体导电率的影响较大。3.4本征半导体与杂质半导体导电机构有何不同？本征半导体中导带中的电子与满带中的空穴数相等。本征半导体的导电机构是电子与空穴并存，所以它有电子导电性同时具有空穴导电性。掺施主杂质的半导体主要靠电子导电，称为电子型半导体或n型半导体,n型半导体中导带中的电子数远大干满带中的空穴数。掺受主杂质的半导你读者可自行讨论。3.5本征半导体掺何种杂质即可成为n型半导体，

4、它的多数载流子是什么？又怎样成为p型半导体它的多数载流子是什么?掺入五价的锑（Sb）或磷（P）原子作为杂质，即可成为n型半导体。多数载流子是电子。掺入三价的硼（B）或铟（In），可形成P型半导体，这时多数载流于是空穴。3.6p-n结为何有单向导电性？p－n结具有单向导电性。该结论读者应该知道。但要把结论讲解清楚，需要相当的篇幅。请读者参阅物理（工）教材P512~P514,从中找到答案。3.7太阳能电池的基本机理是什么？太阳能电池以n型硅半导体作基体，再用掺杂的方法在其表面制作一层薄的p型半导体就构成一个硅太阳能电池

5、,它实际上是一个大面积的p-n结，如囹14-1所示。p型硅的外层表面做得很大，为的是达到最大限度接受太阳的辐照面积。当入射光子的能量大于禁带宽度时在p型硅中产生电子空穴时，由于扩散作用,p区光生电子进入n区边缘积累。p型硅的厚度做得很薄，是为了使得光子所激发的电子在与空穴碰撞而复合前就能够穿过p-n结。随着电子从p型区流经p-n结而到达n型区，使p区相对n型区有一电势差，电势由p型向n型方向减小。这样p型区的电极成为电池的正极；n型区的电极成为负极，p-n结就把光能转换成了电能，是一个太阳能电池。3.8晶体三极管怎

6、么有电流（电压）放大作用？同3.6题，请读者参阅物理（工）教材P515-P516