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深陷阱能态、带尾能态.doc

深陷阱能态、带尾能态.doc

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时间：2020-09-04

深陷阱能态、带尾能态.doc_第1页
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1、什么是深陷阱能态、带尾能态Ec与Ev为能带基本架构,在单晶硅里,红色的区域是不存在的,因为单晶在键结排列上是很整齐的,是为有序排列,在原子键结的键结角度与键长是相同的,故不会形成所谓localizedstate就是现在中间红色的部份,localizestate是不好的,在非晶硅里很常见,深陷阱能态、带尾能态这两个是同样的意似,只是位置不同,一个电子电洞对需要从Ev跳到Ec分离,才会形成电流,localizestate会让电子跃迁的时候被局限在localizestate,因而会有电荷累积,这就是缺陷,中间累积的电荷会使得PNdoping的程度降低,使内建电场下降

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