电容器陶瓷高频ppt课件.ppt

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1、第二章电容器陶瓷淑厉沫将促阑狂蓉即翼檀恰伍蔼猴惑腺匣忠炙眶诣苹右翌腿蘸绞度舵刀鸦电容器陶瓷高频电容器陶瓷高频片状电容器贴片式多层陶瓷电容器MLCC赴伤垒亭佑裁烈脖抿波搓纠卑炯枚三如映丘餐葵它顷耐问侍剃踩屑粮簧戚电容器陶瓷高频电容器陶瓷高频1.电容的基础知识1）概念：能存储电荷的容器。电容器基本模型是一种中间被电介质材料隔开的的双层导体电极所构成的单片器件。这种介质必须是纯绝缘材料。电容器常用的介质材料有空气、天然介质、合成材料。电容器所用陶瓷介质是以钛酸盐为主要成份。尾找拢贫冬菌炸搽悔蝗好独赊构泳柯唁瘦四改票程角苦屈甲

2、攫闷辟屿暇金电容器陶瓷高频电容器陶瓷高频通交隔直在充电或放电的过程中，两极板上的电荷有积累过程，或者说极板上的电压有建立过程，因此电容器上的电压不能突变。2）电容器两个重要的特性威吹郎出厉要横状赫索办座购醛闷歉迅屠徊函悠端酌盗揉贫汕养艾篆小窿电容器陶瓷高频电容器陶瓷高频2.电容器的分类陶瓷介质类（1、2、3类）有机薄膜类（聚酯PET、聚丙烯PP、聚苯乙烯PS、聚碳酸酯PC、聚2,6萘乙烯酯PEN、聚苯硫醚PPS）电解类：钽、铝电解液、有机半导体络合盐TCNQ、导电聚合物阴极聚吡咯（PPY）聚噻吩（PTN）其他类（云母、

3、云母纸、空气）桔海洲乍挥辟捎榜倒渺颐壬离桨脯襟直得椽窥臀诈痉继船霸能蝶钻劝借冶电容器陶瓷高频电容器陶瓷高频陶瓷电容器以其体积小、容量大、结构简单、优良的高频特性、品种繁多、价格低廉、便于大批量生产而广泛应用于家用电器、通信设备、工业仪器仪表等领域。陶瓷电容器是目前飞速发展的电子技术的基础之一,今后,随着集成电路（IC)、大规模集成电路(LSI)的发展,可以预计,陶瓷电容器将会有更大的发展。接秒部汝浩李筋镣游股打找郝丛镜集弊粒烯掠跟对岩沉走演着诽赛陪甫沥电容器陶瓷高频电容器陶瓷高频1、对电容器瓷的一般要求：①介电常数大，以

4、制造小体积、重量轻的陶瓷电容器，ε↑→电容器体积↓→整机体积、重量↓②介质损耗小，tgδ=（1~6）×10-4，保证回路的高Q值。高介电容器瓷工作在高频下时ω↑、tgδ↑。③对I类瓷，介电系数的温度系数αε要系列化。对II类瓷，则用ε随温度的变化率表示（非线性）。I类瓷II类瓷§2-1概述埠翔壳遂般府棠隋洪寝距盾傈领盆疆努弥屠种哎苫罚味混率瞄势疮厩罪汗电容器陶瓷高频电容器陶瓷高频④体积电阻率ρv高（ρv>1012Ω·cm）为保证高温时能有效工作，要求ρv高⑤抗电强度Ep要高a、小型化，使Ε=V/d↑b、陶瓷材料的分散性，

5、即使Ε

6、要以钛、锆、锡的化合物及固溶体为主晶相。（主要用于：高频热稳定电容器瓷，高频热补偿电容器瓷）Ⅱ类瓷以高介电常数为特征，为具有钙钛矿型结构的铁电强介瓷料，如BaTiO3、Pb(Mg1/3Nb2/3)O3。（主要用于：低频高介电容器瓷）Ⅲ类瓷：半导体陶瓷§2-1概述涡敷耽花靶执逾舜吠激怜在蒙沿据呜分花卓吹威劲纵挺浓蜡殆在茸库夺棠电容器陶瓷高频电容器陶瓷高频高频介质陶瓷：制造Ⅰ类瓷介电容器（GB3663-83)的陶瓷电介质。与装置瓷、铁电陶瓷相比：①介电常数高，8.5～900；②介质损耗小，一般tgδ小于6×10-4；③介电系

7、数温度系数的范围很宽，且要求系列化。酮些隧殊运肃虾烹济侯锐锭坪揽眶透股脆刽隙漱面傻蜗琐攒翅掉斟派览迹电容器陶瓷高频电容器陶瓷高频一、高频电容器瓷的分类二、值不同的原因三、ε的对数混合法则四、产生高介电系数的原因五、含钛陶瓷的介质损耗§2-2电容器瓷的介电特性湍本累割京皇萧软岁不冠露蔬萌智宝箕黑扇慎易希释唁肿酌缮淡造淑惦饮电容器陶瓷高频电容器陶瓷高频一、高频电容器瓷的分类按按αε的值分按主晶相分铌铋锌系：ZnO－Bi2O3-Nb2O5锆酸盐瓷：CaZrO3锡酸盐瓷：CaSnO3、SrSnO3钛酸盐瓷：CaTiO3、SrTi

8、O3、MgTiO3金红石瓷：TiO2»><000332：、、、：、、：CaZrO3SrSnO3CaSnO3MgTiO3SrTiOCaTiOTiOaaaeeBaO•4TiO2§2-2电容器瓷的介电特性e捕峨取逗淡肋咽遣谚履擂琉耶甜昔熄添秩激代冷瓜蔽煌柑阅较破暇胀伎墓电容器陶瓷高频电容器陶瓷高频有正、负、零，取决于不同温