TTL和CMOS的区别(全面-自己整理).doc

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1、TTL和CMOS的区别TTL和COMS电平比较：(一)TTL高电平3.6~5V，低电平0V~2.4VCMOS电平Vcc可达到12VTTL电路不使用的输入端悬空为高电平另外，CMOS集成电路电源电压可以在较大范围内变化，因而对电源的要求不像TTL集成电路那样严格。(二)TTL电平是5V，CMOS电平一般是12V。因为TTL电路电源电压是5V，CMOS电路电源电压一般是12V。5V的电平不能触发CMOS电路，12V的电平会损坏TTL电路，因此不能互相兼容匹配。(三)TTL电平标准输出L：<0.8V；H：>2.4V。输入L：<1.2V；H：>2.0VTTL器件输出低电平要小于0.8

2、V，高电平要大于2.4V。输入，低于1.2V就认为是0，高于2.0就认为是1。CMOS电平：输出L：<0.1*Vcc；H：>0.9*Vcc。输入L：<0.3*Vcc；H：>0.7*Vcc.TTL和COMS电路比较：TTLCMOSTTL电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。COMS电路的速度慢，传输延迟时间长(25--50ns),但功耗低。COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常现象总体特性比较：1.CMOS是场效应管构成，TTL为双极晶体管构成2.COMS的逻辑电

3、平范围比较大（5～15V），TTL只能在5V下工作3.CMOS的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强，TTL则相差小，抗干扰能力差4.CMOS功耗很小，TTL功耗较大（1～5mA/门）5.CMOS的工作频率较TTL略低，但是高速CMOS速度与TTL差不多相当。3、COMS电路的锁定效应：COMS电路由于输入太大的电流，内部的电流急剧增大，除非切断电源，电流一直在增大。这种效应就是锁定效应。当产生锁定效应时，COMS的内部电流能达到40mA以上，很容易烧毁芯片。防御措施：(1)、在输入端和输出端加钳位电路，使输入和输出不超过不超过规定电压。(2)、芯片的电源输入端加去耦电路，防止

4、VDD端出现瞬间的高压。(3)、在VDD和外电源之间加限流电阻，即使有大的电流也不让它进去。(4)、当系统由几个电源分别供电时，开关要按下列顺序：开启时，先开启COMS电路得电源，再开启输入信号和负载的电源；关闭时，先关闭输入信号和负载的电源，再关闭COMS电路的电源。4、COMS电路的使用注意事项(1)、COMS电路时电压控制器件，它的输入总抗很大，对干扰信号的捕捉能力很强。所以，不用的管脚不要悬空，要接上拉电阻或者下拉电阻，给它一个恒定的电平。(2)、输入端接低内组的信号源时，要在输入端和信号源之间要串联限流电阻，使输入的电流限制在1mA之内。(3)、当接长信号传输线时，

5、在COMS电路端接匹配电阻。(4)、当输入端接大电容时，应该在输入端和电容间接保护电阻。电阻值为R=V0/1mA.V0是外界电容上的电压。(5)、COMS的输入电流超过1mA，就有可能烧坏COMS。5、TTL门电路中输入端负载特性（输入端带电阻特殊情况的处理）：1、悬空时相当于输入端接高电平。因为这时可以看作是输入端接一个无穷大的电阻。2、在门电路输入端串联10K电阻后再输入低电平，输入端出呈现的是高电平而不是低电平。因为由TTL门电路的输入端负载特性可知，只有在输入端接的串联电阻小于910欧时，它输入来的低电平信号才能被门电路识别出来，串联电阻再大的话输入端就一直呈现高电平

6、。这个一定要注意。COMS门电路就不用考虑这些了。6、TTL电路有集电极开路OC门，MOS管也有和集电极对应的漏极开路的OD门，它的输出就叫做开漏输出。