同步辐射光电离质谱技能.ppt

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1、提纲概述光电离质谱技术实验装置介绍应用同步辐射光电离质谱技术及应用概述离子源光电离同步辐射光电离光吸收谱技术；荧光激发谱技术；光电子能谱技术；光电离质谱技术：A.电子离子谱B.成像技术C.场致电离技术概述1.离子源电子电离（EI）商业质谱计，70eV，能量分辨低气相分子离子轰击电离Ar++MAr+M+,热离子金属表面概述1.离子源直流放电1kV，热离子金属+介质（Ar）交流放电：射频放电、微波放电500MHz，热离子,自由基气相分子概述1.离子源激光等离子体源（电子、离子、原子、分子、自由基等）激光能量高，热解固体表面电感耦合等离子体

2、（ICP）高温气化热解，元素凝聚体概述1.离子源电喷雾电离（ESI）样品溶液+高压（3kV），多价离子,生物大分子基质辅助激光解析电离（MALDI）样品混合基质，热离子固体样品概述1.离子源化学电离（CI）H3O++MMH++H2O，质子转移气相大分子光电离（PI）M+hvM++e，气相样品概述2.光电离真空紫外灯氢气、惰性气体放电，特征谱线强度弱，单波长输出，不可调谐射频放电灯氢气、惰性气体射频放电强度提高，部分调谐概述2.光电离激光多光子电离吸收多光子过程：308,266,248,193nm等强度高，不可调谐真空紫外激光混频技术

3、：两束激光+Xe气117nm波长部分调谐：150—70nm概述2.光电离同步辐射光电离（SR-PI）强度高，准直性好,能量连续调谐：7—120eV选择性好，“软电离”，能区分异构体！概述2.光电离红外多光子电离红外激光器自由电子激光概述3.同步辐射光电离同步辐射真空紫外光电离（SR-VUV-PI）AB+hvAB++e（光电离）A++B+e（离解光电离）AB+++2e（多价电离）A++B-（正负离子对）AB+*+e+hv’（荧光激发）概述3.同步辐射光电离光吸收谱技术1Beer吸收定律I=I0exp(-nsL)吸收截面si=l

4、n(i1/i2)/nL热化学、天体物理的基本数据！概述3.同步辐射光电离光吸收谱技术2光电离量子产率h=si/st=(st–sd)/st质谱中离子的丰度，并不等于中性强度！热化学、天体物理的基本数据！概述3.同步辐射光电离荧光激发谱技术处于高激发态的离子或中性，可通过荧光衰变回到基态。可以获得能态、动力学特性！概述3.同步辐射光电离光电子能谱技术（略）KEe=hv–E0概述3.同步辐射光电离光电离质谱技术1A.电子离子谱（阈值）光电子谱（TPES）正/负光离子谱（PIE）（阈值）光电子-光离子符合谱（TPEPICO）B.成像技术光电子成

5、像光离子成像（阈值）光电子-光离子符合-成像（TPEPICO-Imaging）概述3.同步辐射光电离光电离质谱技术2C.场致电离技术零动能电子谱（ZEKE）脉冲场致电离-光电子谱（PFI-PE）质量分辨阈值电离谱（MATI）概述4.总结离子源光电离同步辐射光电离光吸收谱技术；荧光激发谱技术；光电子能谱技术；光电离质谱技术：A.电子离子谱B.成像技术C.场致电离技术光电离质谱技术电子离子谱（阈值）光电子谱（TPES）正/负光离子谱（PIE）（阈值）光电子-光离子符合谱（TPEPICO）成像技术光电子成像光离子成像（阈值）光电子-光离子符合

6、-成像（TPEPICO-Imaging）场致电离技术零动能电子谱（ZEKE）脉冲场致电离-光电子谱（PFI-PE）质量分辨阈值电离谱（MATI）光电离质谱技术1.电子离子谱（阈值）光电子谱1（TPES）能量分辨极限：10meV(80cm-1)振动能级！光电离质谱技术1.电子离子谱（阈值）光电子谱2（TPES）光电离质谱技术1.电子离子谱正/负光离子谱（PIE）获得电离能、离解能、能级结构和Rydberg态等信息。光电离质谱技术1.电子离子谱（阈值）光电子-光离子符合谱（TPEPICO）光电离质谱技术2.成像技术光电子成像光电离质谱技术2

7、.成像技术1、光离子成像2、（阈值）光电子-光离子符合-成像1（TPEPICO-Imaging）光电离质谱技术3.场致电离技术零动能电子谱（ZEKE）能量分辨极限：0.1meV(0.1cm-1)转动能级！脉冲场致电离-光电子谱（PFI-PE）能量分辨：转动能级！光电离质谱技术3.场致电离技术质量分辨阈值电离谱（MATI）Step1–Exciteaneutral(M)toaveryhighRydbergstateStep2–Ionizeitwithpulsedelectricfield(PFI)Step3–Detecte-signalvs

8、.h=>PFI-PE–DetectM+generatedbyPFI=>MATI能量分辨：转动能级！光电离质谱技术3.场致电离技术质量分辨阈值电离谱（MATI）可区分不同构型VUV-MATIof1-iodo