微机原理与接口技术 存储器.ppt

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1、第6章存贮器6.1概述6.2读写存贮器(RAM)6.3只读存贮器(ROM)6.4外存贮器简介6.1概述6.1.1存贮器的分类1．读写存贮器RAM读写存贮器(RAM)按其制造工艺又可以分为双极型RAM和金属氧化物RAM。(1)双极型RAM双极型RAM的主要特点是存取时间短，通常为几到几十纳秒(ns)。(2)金属氧化物(MOS)RAM用MOS器件构成的RAM又可分为静态读写存贮器(SRAM)和动态读写存贮器(DRAM)。①静态RAM的主要特点是，其存取时间为几十到几百ns，集成度比较高。②动态RAM的存取速度与SRAM的存取速度差不多。2．只读存贮器ROM(1)掩模工艺ROM(2)可

2、一次编程ROM(3)可擦去的PROM6.1.2存贮器的主要性能指标1．存贮容量这里指的是存贮器芯片的存贮容量，其表示方式一般为：芯片的存贮单元数×每个存贮单元的位数。2.存取时间存取时间就是存取芯片中某一个单元的数据所需要的时间。3．可靠性微型计算机要正确地运行，必然要求存贮器系统具有很高的可靠性。4．功耗使用功耗低的存贮器芯片构成存贮系统，不仅可以减少对电源容量的要求，而且还可以提高存贮系统的可靠性。5．价格构成存贮系统时，在满足上述要求的情况下，应尽量选择价格便宜的芯片。6.2读写存贮器(RAM)6.2.1静态读写存贮器(SRAM)1．概述1)8K×8bit的CMOSRAM芯

3、片现以6264(或6164)芯片为例，说明其引线功能。该芯片的引脚图如图5.1所示。(1)引线功能6264(6164)有28条引出线，它们包括：A0～A12为13条地址信号线。图6.1SRAM6264引脚图D0～D7为8条双向数据线。容量213x88KBCS2为两条片选信号的引线。为输出允许信号。是写允许信号。表6.16264真值表(2)6264(6164)的工作过程图6.2SRAM6264数据写入波形图6.3SRAM6264数据读出波形2．连接使用(1)全地址译码方式(2)部分地址译码方式分析图6.6所示的连接图，可以发现，此时的8KB芯片6264所占据的内存地址空间为:DA0

4、00H～DBFFFHDE000H～DFFFFHFA000H～FBFFFHFF000H～FFFFFH图6.4SRAM6264的全地址译码连接地址1111000000000000000011110011111111111111F000H---F3FFH图6.5另一种译码器图6.6SRAM6264的部分地址译码连接11X11X10000000000000—11X11X11111111111111DA000H～DBFFFHDE000H～DFFFFHFA000H～FBFFFHFF000H～FFFFFH(3)译码器电路①利用厂家提供的现成的译码器芯片。②利用厂家提供的数字比较器芯片。③利用R

5、OM做译码器。④利用PLD。3．静态RAM连接举例4．等待的实现图6.7SRAM6116引线图图6.8两片6116与8位总线的连接图容量:2KB地址:第一片0000000000000000000000000000001111111111100000H—007FFH第二片000000001000000000000000000011111111111100800H—00FFFH图6.98086存贮器的高低位库表6.18086存贮器的高低位库的选择图6.10两片6116与16位总线的连接图6.2.2动态读写存贮器(DRAM)1．概述动态读写存贮器(DRAM)以其速度快、集成度高、功耗小

6、、价格低在微型计算机中得到极其广泛的使用。(1)动态存贮器芯片2164A的引线A0～A7为地址输入端。Din和Dout是芯片上的数据线。为行地址锁存信号。为列地址锁存信号。为写允许信号。图6.11DRAM2164引线图(2)DRAM的工作过程①读出数据。②写入数据。③刷新。图6.12DRAM2164的读出过程图6.13DRAM2164的写入过程图6.14DRAM2164的刷新过程2．实现DRAM的刷新下面以PC／XT微型机动态存贮器为例，说明该系统中DRAM的工作及刷新过程。(1)行列控制信号的形成(2)DRAM的读写(3)刷新图6.15PC/XT机DRAM行（）列（）形成电路图

7、6.16DRAM读写简化电路6.3只读存贮器(ROM)6.3.1EPROMEPROM是一种可以擦去重写的只读存贮器。1．2764的引线2764是一块8K×8bit的EPROM芯片，引线图如图6.17所示。A0～A12为13条地址信号输入线，说明芯片的容量为8K个单元。D0～D7为8条数据，表明芯片的每个存贮单元存放一个字节(8位二进制数)。为输入信号。是输出允许信号。为编程脉冲输入端。2．2764的连接使用2764在使用时，仅用于将其存贮的内容读出。其过程与RAM的读出十分类似。