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时间:2020-03-25
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1、声表面波工艺原理第三章光刻工艺原理三,声表器件光刻工艺原理:目录:(一)光刻胶:1,正性光刻胶2,负性光刻胶3,光刻胶的性质(二)光刻工艺原理(湿法):1,匀胶:1)匀胶方法2)粘附性3)光刻胶的厚度4)膜厚均匀性5)对胶面要求6)注意事项2,前烘:1)前烘目的2)对前烘温度和时间的选择3)前烘方法3,暴光:1)暴光目的2)暴光技术简介3)暴光条件选择4)暴光不良原因4,显影:1)显影目的2)显影方法3)影响显影质量的因素4)常见问题5)其它5,坚膜:1)坚膜目的2)坚膜方法3)问题讨论6,腐蚀:1)腐蚀目的2)腐蚀因子3)腐蚀方法4)影响因素5
2、)注意事项7,去胶:1)去胶目的2)去胶方法3)注意事项8,问题分析:1)光刻分辨率2)控制光刻线宽的方法3)浮胶4)毛刺及钻蚀5)小岛6)针孔9,小结(光刻各工序需控制的工艺参数)(三)光刻工艺原理(干法)简介:1,干法腐蚀原理:1)等离子体腐蚀2)离子腐蚀3)反应离子腐蚀2,干法工艺:1)干法显影2)铝的干法刻蚀3)干法去胶(四)金属剥离工艺简介:1)剥离工艺特点2)剥离技术3)有关问题(五)微细光刻技术简介:1)抗蚀剂2)暴光技术3)刻蚀技术4)问题及原因序:光刻是SAW器件制造的关键工艺,是一种复印图象同化学腐蚀相结合的综合技术。它先采用
3、照相复印的方法,将光刻版上的图形精确的复印在涂有感光胶的金属膜层上,然后利用光刻胶的保护作用,对金属层进行选择性化学腐蚀,从而在金属层上得到与光刻版相应的图形,并要求图形线条陡直、无钻蚀、无断条和连指等。影响光刻质量的因素很多,除暴光技术外,还有掩膜版、金属膜、光刻胶等的质量以及操作技术和环境条件等。实践表明,光刻质量对器件性能有很大影响,是生产中影响成品率的关键因素。(一)光刻胶:按光化学反应的不同,光刻胶大体可分为正性光刻胶和负性光刻胶两类。1,正性光刻胶:它的特点是原来的胶膜不能被某些溶剂溶解,当受适当波长光照射后发生光分解反应,切断树脂聚
4、合体主链和从链之间的联系,使其变为可溶性物质。因此当用正胶光刻时,可在基片表面得到与光刻版遮光图案完全相同的光刻胶图形,方向相差180度。正性胶分辨率较高,对一些常用金属表面有较好粘附性;但与负胶相比,其稳定性和抗蚀能力较差。目前常用的正性胶为DQN和PMMA。1)DQN:DQN是一种近紫外NUV(365、435nm)光刻胶,主要由感光剂DQ、基体材料N和溶剂组成。通常使用的基体材料是酸催化酚醛树脂,具有良好的成膜性和耐磨性,能溶于碱溶液和许多普通溶剂;感光剂DQ(邻叠氮醌化合物)如同基体材料N在碱溶液中溶解的抑制剂,当在基体N中加入20-50%
5、的DQ,混合物(光刻胶)将变为不可溶;溶剂是用来溶解感光剂和基体材料、同时又易挥发的液体,由于溶剂的用量决定光刻胶的黏度(黏度也与温度有关),从而影响光刻胶的涂敷厚度,而厚度又与光聚合反应所需暴光量有关,与胶膜的分辨率有关,所以对溶剂用量的控制也十分重要。DQN感光机理是,经近紫外光照射,感光剂发生分解,并重新组合为乙烯酮,乙烯酮和空气中的水气反应,产生酸性基,酸性基可与碱性溶液发生中和反应,使不溶性光刻胶可溶Page1of20声表面波工艺原理第三章光刻工艺原理于碱溶液,而未经暴光的光刻胶仍为不可溶。我们常用的美国AE-1350系列,北化的202
6、、205、212,上试一厂的702,703等都属该类光刻胶。2)PMMA:主要成分是甲基丙烯酸脂及其衍生物。其感光机理是,PMMA在深紫外光(DUV)照射下,聚合体发生断链降解,分子量迅速降低,变为可被碱溶液溶解的物质,有资料介绍,暴光后的光刻胶在显影时的溶解度几乎十倍于没暴光的光刻胶。PMMA对波长220nm的光最敏感,而对波长大于240nm的光完全不敏感,通过添加光敏剂,如t-丁基苯酸,可使其紫外光谱吸收率增加。PMMA常用于深紫外暴光,电子束光刻、离子束光刻、X射线光刻。2,负性光刻胶:它的特点是原来的胶膜可被某些溶剂溶解,当受适当波长照射
7、后,发生光聚合或交联反应,使其键结成高分子聚合物,变为不可溶物质。因此当用负胶光刻时,可在基片表面得到与光刻版遮光图案完全相反的光刻胶图形,方向也相差180度。负性光刻胶一般由感光剂(光致抗蚀剂)、溶剂和增感剂组成。感光剂是对光敏感的高分子化合物,受光照射后,能吸收一定波长的光能量,发生交联、聚合等光化学反应,使光刻胶改变性质。增感剂在光化学反应时起催化或引发作用,当用适当光源照射时,增感剂分子能在比感光剂响应波长更长一些的光谱范围吸收能量,并与感光剂分子进行能量转移,从而加快感光剂光聚合速度,提高感光度;但是在光刻胶中,感光剂也不宜过多,因为当
8、感光度已达饱和,多余的感光剂会使胶质变脆,减弱胶的抗蚀能力。溶剂是用来溶解感光剂和增感剂、同时又易挥发的液体,其用量与暴光量及胶膜的分辨
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