基于碳化硅MOSFET变温度参数模型的器件建模与仿真验证.pdf

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5、号：Ｓ２１．３密级公开硕±学位论文基于碳化枉Ｍ０ＳＦＥＴ变温度参数模型的器件建模与仿真验证硕±研究生：徐国林导师：赵志斌教授申请学位；工学硕±学科：电气工程专业：电工理论与新技术所在学院：电气与电子工程学院答辩日期：２０巧年３月授予学位单位：华北电力大学ＣｌａｓｓｉｆｉｅｄＩｎｄｅｘＸＸＸＸ：Ｕ．Ｄ．仁的１．３ＴｈｅｓｉｓｆｏｒｔｈｅＭａｓｔｅｒＤｅｇｒｅｅＳｉＣＭＯＳＦＥＴＤｅｖｉｃｅＭｏｄｅｌｉｎａｎｄＳｉｍｕｌａｔｉｏｎｂａｓｅｇｏｎＶａｒｉａｂｌｅＴｅｍｅｒａｔｕｒｅ

6、ＰａｒａｍｅｔｅｒＭｏｄｅｌｐＣａｎ化ｄａｔｅ：ＸｕＧｕｏｌｉｎＳｕｅｒｖｉｓｏｒ；Ｐｒｏｆ．ＺｈａｏＺｈｉｂｉｎｐＳｃｈｏｏＳｃｈｏｏｌｏｆＥｌｅｃｔｒｉｃａｌａｎｄＥｌｅｃｔｒｉｃｌ：ＥｎｉｎｅｅｒｉｎｇｇＤａ化ｏｆＤｅｆｅｎｃｅ：Ｍａｒ２０１５，－－ＤｅｒｅｅＣｏｎｆｅｒｒｉｎＩｎｓ社ｔｕ村ｏｎ！ＮｏｒｔｈＣｈｉｎａＥｌｅｃｔｒｉｃＰｏｗｅｒＵｎｉｖｅｒｓｉｔｇｇｙ华北电力大学硕±学位论文原创性声明本人游重声明：此处所提交的硕±学位论文《基于碳化桂ＭＯＳＦＥＴ变温度参数器件建模的仿真与验证》，是本人在

7、导师指导下，在华北电力大学攻读硕±学位期间独立进行研究工作所取得的成果。据本人所知，论文中除已注明部分外不包含他人己发表或撰写过的研巧，均己在文中Ｗ明确方式注明成果。对本文的研究工作做出重要贡献的个人和集体。本声明的法律结果将完全由本人承担。＇必曰作者签名：妹曰期始屬：必年３月华北电力大学硕±学位论文使用授权书《基于碳化桂ＭＯＳＦＥＴ变温度参数器件建模的仿真与验证》系本人在华北电力大学攻读硕±学位期间在导师指导下完成的硕±学位论文。本论文