液晶滴下式注入odf介绍.ppt

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1、單位:2LCD工程一部報告者:林吉宏液晶滴下式注入(ODF)介紹VLA-7000C報告內容大綱*裝置構成及各部機構介紹*製程主要參數*ODF製程相關不良加壓&注入口封口Alignment&PressureVAC.液晶注入CF/TFT基板對組後利用液晶通過注入口之方式注入現有方式大氣壓放置&UV照射VAC.ChamberAlignment&PressureLCDropCF/TFT基板對組前利用液晶Drop方式注入Panel內LDF方式ODF注入方式介紹真空貼合部UV照射部控制台LCDP部基板搬送部(2枚搬送)Loader部Powersupply大氣Alignment部

2、Unloader部VACPumpUVPowersupplyUVBlowerINOUT裝置構成(VLA-7000C)LC滴下部對位/組立部框膠硬化部LC滴下部:DispenserDispenser構成:Dispenser作動程序:DispenserLayout:SupplyValveLimitValvePlungerSyringeLCbottleNozzleFilterSupplyValveOpenPlunger上升至原點(補充LC)SupplyValveOffLimitValveOpenPlunger步進下降(LC滴下)Plunger下降至LC滴完位置LimitVa

3、lveOffDispenser精度及LC比抵抗維護精度:LC比抵抗:*液晶移載方式*Dispenser存放環境*Parts清潔組立程序*LC脫泡程序*Dispenser脫泡程序*精度確認(0.5%)LC滴下Pattern及SealPatternSealPattern:LCPattern:Pattern設計重點:1.頭尾結合點位置點2.MainsealtoBM距離3.Dummytomainseal距離LCpattern設計重點:1.滴下點至mainseal距離(25-30mm)2.滴下點間間距:(30-40mm)3.滴下點大小:(80-100Pulse)LC滴下MAR

4、GINThefollowingexaminationsareperformedforbubblesandthegapMurachecked.・Autoclave・Hightemptest・Lowtemptest・LowAtm.testLCquantityvscellgap3.7003.8003.9004.0004.1004.2004.300420430440450460470480490500LCquantity(mg)cellgap(μm）bubblegapmuramarginLIGHTONGAPMURARAGAPMURACELLGAP>4.2umRABubble

5、cellgap<3.85umvisiblebubble對位組立部機構:CFTFT靜電chuckMLOADCELLCC真空CHAMBER加壓機構ESC靜電吸著板構造A電極B電極TOPVIEW對位組立程序說明:Chamber上蓋下降ESCON--同壓配管ON,CHAMBER抽真空真空度1pa時-上ESC下降執行粗對位真空度0.8pa時-上ESC下降至微對位置,執行微對位,加壓力對位完成-最終加壓力,脫離除電-真空開放(N2Purge)大氣加壓保持Chamber上蓋上升UVseal硬化製程對位組立製程主參數及設備ISSUE:*壓合STEP/壓合壓力*靜電ESC施加電壓值*

6、電壓Type(A-/B)及電壓施加時機*Chamber真空度*ESC靜電消除電壓值及電壓施加時機.製程主參數:設備MainIssue:*Chamber真空度維護*上下ESCStage平面度及平行度維護*ESCMaintenance*製程TacttimeUV照射部構造基板DUVcutfilterIRcutfilterMirrorUVLamp*UV波長cut(300nm以下cut).*UV照射強度(80~160mw/cm2).*UV照射能量(SEAL種類:協立,三井…).*UV照射照度/照射時間(段階,積算光量)*UV照射均勻性(±20%以下).UV照射部相關參數:OD

7、F製程相關不良(1):靜電chuck平行度:SPEC±15umchamber真空度Seal斷膠/貫通/局細/剝離等異常Bubble:AirBubble:VacuumBubble:液晶滴下量不足PS高度異常Dispenser精度ODF製程相關不良(2):GravityMura:LCDispenser精度管理:0.5%LCquantityV.S.PSheightPSDensityODF相關sealdefect:SealinBM:結合點,塗佈Shift,膠寬過大Mainseal異物壓寬:ESC上異物LC貫穿:滴下點至mainseal距離,ESC平坦度/平行度空氣貫穿: