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时间:2019-08-04
《US Patent 4282440 中英译文》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在教育资源-天天文库。
1、UnitedStatesPatentNEUTRONACCELERATORTUBEHAVINGIMPROVEDIONIZATIONSECTION具有改进的电离层的中子加速器管ABSTRACTAneutronacceleratortubehavingatargetsection,anionizationsection,andareplenishersectionforsupplyingacceleratorgastotheionizationsection.Theionizationsectionislocated
2、betweenthetargetandthereplenishersectionandincludesanionizationchamberadaptedtoreceiveacceleratorgasfromthereplenishersection.Theionizationsectionfurtherincludesspacedcathodeshavingopposedactivesurfacesexposedtotheinterioroftheionizationchamber.Theactivesurf
3、aceofatleastoneofthecathodesisformulatedofaβ-emittingmaterial.Ananodeislocatedintermediatethecathodeswherebyinresponsetoanappliedpositivevoltage,electronsaretransmittedbetweentheopposedactivesurfacesofthecathodesandproducetheemissionofsecondaryelectrons.Thea
4、ctivesurfaceoftheothercathodemaybeformulatedofaβ-rayemitterormaterialhavingasecondaryelectronemissionfactorofatleast2.Onecathodememberlocatedinthetubeadjacenttothereplenishersectionmayhaveaprotuberantportionextendingaxiallyintotheionizationchamberandformulat
5、edofaβ-rayemittingmaterial.Aportionoftheactivesurfaceofthecathodewhichisrecessedwithrespecttotheprotuberantportionmaybeformulatedofamaterialhavingasecondaryelectronemissionfactorofatleast2.Theothercathodespacedfromthefirstcathodememberinthedirectionofthetarg
6、ethasanaperturethereinalongtheaxisoftheprotuberantportion.摘要一个中子加速器管具有目标层,电离层和补充液层,其中补充剂层是用于给电离层提供加速器气体。电离层位于目标层与补充液层之间,并包括用来接收来自补充剂层的加速器气体的电离室。电离层还包括具有相对活性表面的相间隔开的阴极,其中这些活性表面是直接暴露于电离室中的内部。这些阴极中至少有一个阴极的活性表面的是由具有β放射性的材料制成的。一个阳极位于阴极的中间,并提供了一个正电压,使得电子在阴极的相对的活性表
7、面之间传输,从而产生了次级电子的发射。其他阴极的活性表面也可能是由一个β射线发射器或者是由次级电子发射系数的至少是2的材料制成的。中子管里靠近补充剂层的一个阴极可能会有一个突起的部分轴向延伸进入电离室,它可能是由发射β射线的放射性材料制定的。阴极的活性表面上凹嵌于相关突起处的一部分可能是次级电子发射系数至少是2的材料制定的。与第一个阴极成员在目标层方位上间隔的其他阴极,在沿突起部分主轴方向上,有一个孔径在其中。NEUTRONACCELERATORTUBEHAVINGIMPROVEDIONIZATIONSECTI
8、ONBACKGROUNDOFTHEINVENTION本发明的背景Thisinventionrelatestoneutronsourcesandmoreparticularlytoaccelerator-typeneutrontubesourceshavingimprovedionizationsections.本发明涉及中子源,更具体地说,涉及具有改进的电离层的加速器式中子管的源。Ac
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