霍尔位移传感器地设计

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1、实用标准霍尔位移传感器的设计学院（系）：电气信息工程学院年级专业：电自09102学号：40309201学生姓名：黄晶晶文档大全实用标准摘要:霍尔传感器是基于霍效应而将被测量转化成电动势输出的一种传感器。霍尔元件已发展成一个品种多样的磁传感器产品簇，并且得到广泛的应用。霍尔器件是一种磁传感器，用它可以检测磁场及其变化，可以在各种与磁有关的场合中使用。霍尔期间以霍尔效应为其工作原理。本文主要研究霍尔位移传感器的设计。如图所示，被测物体分别与恒定电流I和恒定磁场B垂直。当被测物体相对于原来位置有微小位移变化时，会产生变化的磁通量，会在导体垂直于磁场和电流的两个端面

2、之间产生电势差，即UH（霍尔电压）。本文主要研究微小位移与霍尔电压的关系来设计霍尔位移传感器。关键字：霍尔传感器位移霍尔电压霍尔效应原理图文档大全实用标准正文：一．霍尔传感器的工作原理1、霍尔效应如霍尔效应原理图所示，在半导体薄片两端通以恒定电流I，并在薄片的垂直方向施加磁感应强度为B的匀强磁场，则在垂直于电流和磁场的方向上，将产生电势差为UH的霍尔电压，它们之间的关系为UH=KHIBCOSA，式中KH称为霍尔系数，它的大小与薄片的材料有关。上述效应称为霍尔效应，它是德国物理学家霍尔于1879年研究载流导体在磁场中受力的性质时发现的。I为所加的电流（一般为恒

3、流源），B为均匀磁场，A为磁场与法线的夹角。EH为电场（图中所示）2、霍尔元件霍尔元件是半导体四端薄片，一般做成正方形，在薄片的相对两侧对称的焊上两对电极引出线（一对称激励电流端，另一对称霍尔电势输出端），如下图所示。霍尔元件结构文档大全实用标准3、霍尔元件的主要特性及材料1）霍尔元件的主要特性参数灵敏度KH：表示元件在单位的磁感应强度和单位控制电流所得到的开路霍尔电动势霍尔输入电阻：霍尔控制及间的电阻值霍尔最大允许激励电流：以霍尔元件允许的最大温度为限所对应的激励电流不等位电势：当霍尔元件的控制电流为额定值时，若元件所处位置的磁感应强度为零，测得的空载霍尔

4、电势。（不等位电势是由霍尔电极2和之间的电阻决定的，r0称不等位电阻）寄生直流电势（霍尔元件零位误差的一部分）：当没有外加磁场，霍尔元件用交流控制电流时，霍尔电极的输出有一个直流电势控制电极和霍尔电极与基片的连接是非完全欧姆接触时，会产生整流效应。两个霍尔电极焊点的不一致，引起两电极温度不同产生温差电势霍尔电势温度系数：在一定磁感应强度和控制电流下，温度每变化1度时，霍尔电势变化的百分率。文档大全实用标准基本应用电路2)霍尔元件的材料目前最常用的霍尔元件材料是锗（Ge）、硅（Si）、锑化铟（InSb）、砷化铟（InAs）和不同比例亚砷酸铟和磷酸铟组成的In（

5、AsyP1-y）型固熔体（其中y表示百分比）等半导体材料。其中N型锗容易加工制造，其霍尔系数、温度性能和线性度都较好。N型硅的线性度最好，其霍尔系数、温度性能同N型锗，但其电子迁移率比较低，带负载能力较差，通常不用作单个霍尔元件。锑化铟对温度最敏感，尤其在低温范围内温度系数大，但在室温时其霍尔系数较大。砷化铟的霍尔系数较小，温度系数也较小，输出特性线性度好。In（AsyP1-y）型固熔体的热稳定性最好。文档大全实用标准二．霍尔元件的误差及补偿1、霍尔元件的零位误差与补偿霍尔元件的零位误差是指无外加磁场或无控制电流情况下霍尔元件产生输出电压并由此产生误差。它主

6、要表现有以下几种形式：1）不等位电动势它是零位误差中最重要的一种，他是当霍尔元件在额定控制电流下，不外加磁场时，霍尔输出端之间的空载电动势。2）寄生直流电势再无磁场的情况下，元件通入交流电流，输出端除交流不等位电压以外的直流分量3）感应零电动势感应零电动势是在未通电流情况下，由于脉动或交变磁场作用在输出端产生的电动势。4)自激场零电动势霍尔元件控制电流产生自激场文档大全实用标准2、霍尔元件的温度误差及补偿1）温度误差产生原因：霍尔元件的基片是半导体材料，因而对温度的变化很敏感。其载流子浓度和载流子迁移率、电阻率和霍尔系数都是温度的函数。当温度变化时，霍尔元件

7、的一些特性参数，如霍尔电势、输入电阻和输出电阻等都要发生变化，从而使霍尔式传感器产生温度误差。2)减小霍尔元件的温度误差的方法选用温度系数小的元件、采用恒温措施、采用恒流源供电、采用适当的补偿电路恒流源温度补偿电路注：当霍尔元件的输入电阻随温度升高而增加时，旁路分流电阻自动地加强分流，减少了霍尔元件的控制电流。文档大全实用标准三．霍尔传感器的应用1、霍尔传感器的优点及应用1)优点：结构简单，体积小，重量轻，频带宽，动态特性好和寿命长2)应用：电磁测量：测量恒定的或交变的磁感应强度、有功功率、无功功率、相位、电能等参数；自动检测系统：多用于位移、压力的测量。2

8、、微位移和压力的测量测量原理：霍尔电势与磁感应强度成