其他现代加工方法

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1、第九章其他现代加工方法第一节化学加工第二节等离子加工第三节挤压珩磨第四节水射流切割第五节磁性磨料研磨和磁性磨料电解研磨加工第六节铝合金微弧氧化表面陶瓷化处理技术第一节化学加工ChemicalMachining，CHM利用酸、碱或盐的溶液对工件材料的腐蚀溶解作用，以获得所需形状、尺寸或表面状态的工件的特种加工应用：化学铣切光化学腐蚀化学抛光化学镀膜一、化学铣切ChemicalMilling，CHM(一）化学铣切的原理、特点、应用范围1、原理：大面积、深尺寸的化学蚀刻2、特点优点：加工任何难切削金属适于大面积加工、多件加工加工中无应力、裂纹、毛刺，Ra2.

2、5-1.5加工操作技术简单2、特点缺点不适宜加工窄而深的槽和型孔，难以加工出尖角或深槽原材料中缺陷和表面不平度、划痕等不易消除腐蚀液对设备和人体有危害、不环保化学铣削不适合于加工疏松的铸件和焊接的表面不高，一般为±0.05～±0.15毫米3、应用范围化学铣削适合于在薄板、薄壁零件表面上加工出浅的凹面和凹槽如飞机的整体加强壁板、蜂窝结构面板、蒙皮和机翼前缘板等。用于减小锻件、铸件和挤压件局部尺寸的厚度，以及蚀刻图案等，加工深度一般小于13毫米。（二）、工艺过程1、工件表面预处理、涂保护胶、固化、刻型、腐蚀、清洗和去保护层等工序2、保护胶一般用氯丁橡胶或丁

3、基橡胶等3、刻型一般用小刀沿样板轮廓切开保护层，并使之剥除二、光化学腐蚀加工OpticalChemicalMachining，OCM照相复制和化学腐蚀相结合的技术，在工件表面加工出精密复杂的凹凸图形，或形状复杂的薄片零件的化学加工法包括光刻、照相制版、化学冲切(或称化学落料)和化学雕刻等与化学蚀刻区别：不用人工刻形、划线，用照相感光确定工件表面要蚀刻的图形（一）照相制版原理和工艺1、原理利用照相复制和化学腐蚀相结合的技术制取金属印刷版的化学加工方法光刻和化学雕刻等加工工艺的基础2、工艺过程过程：1）把所需文字和图像按要求缩放到底片上，再将底片贴合在涂有

4、感光胶的金属板上进行曝光，经过显影在金属板上形成所需要文字或图像的感光胶膜2）对胶膜进行抗蚀性处理，使之成为一种有很强的耐酸碱性、有光泽的珐琅质薄层。3）再将金属板浸入硝酸或三氯化铁溶液中，无珐琅质胶膜的金属表面便被腐蚀溶解，形成凸出的文字或图像的印刷版（二）光刻加工的原理和工艺1.原版制作2.光刻涂胶暴光显影与烘片刻蚀剥膜与检查光学光刻原理与印像片相同，只是用涂覆了感光胶(抗蚀剂)的硅片取代了相纸，掩模版取代了底片。UV光母板掩膜光刻胶SiO2光刻胶SiO2曝光：将掩模覆盖在涂有光刻胶的硅片上，掩模相当于照相底片，一定波长的光线通过这个“底片”，使光

5、刻胶获得与掩模图形同样的感光图形。显影与后烘：曝光之后进行显影、定影、坚膜等步骤，在光刻胶膜上有的区域被溶解掉，有的区域保留下来，形成了版图图形。刻蚀：把经曝光、显影后光刻胶微图形中下层材料的裸露部分去掉，即在下层材料上重现与光刻胶相同的图形。光刻工艺过程光刻工艺图示涂光刻胶曝光显影与后烘腐蚀剥胶光刻加工过程第二节等离子加工PlasmaArcMachining，PAM一、基本原理1、等离子体：高温电离的气体气体原子或分子在高温下获得能量后离解成带正电荷的离子和带负电的自由电子整体正负电荷数值相等2、等离子弧加工利用电弧放电使气体电离成过热的等离子气体流

6、束，靠局部熔化及气化来去除材料精密等离子弧切割割嘴原理a）普通双气等离子弧切割b）精密等离子弧切割第三节挤压珩磨又称为流动磨料加工，主要用于复杂零件内外表面的抛光及去毛刺。采用一种含有磨料的具有粘弹性的物质做为挤压珩磨介质，在一定压力下强迫在被加工表面流过，由磨料颗粒的刮削作用去除工件表面微观不平材料的加工方法挤压珩磨应用工作原理：加工装置喷嘴材料及工作条件项目材料孔径/mm至工件距离/mm喷射角度/°参数金刚石，蓝宝石，淬火钢0.075～0.42.5～500～30第四节水喷射加工利用超高压水（或水与磨料的混合液）对工件进行切割（或打孔），又称高压水切

7、割，或“水刀”。水喷射加工水喷射加工特点数控设备控制下，进行任意图案切割；高压元件质量可靠，易损件质优价廉，维修成本低；钻孔及切割功能设备可一次完成，降低切割成本；加工一次成型，切口光滑，可节省时间及制造成本；无毒害、无粉尘、无污染，为操作人员提供更健康的工作环境；切缝窄，可减少大量废弃材料的产生；相对其它同类切割设备，加工成本低廉。根据设计及工件材质的不同，可以非常方便、快捷的进行调整，极大的缩短从接单至成品产出的时间，为您的企业带来更多的商机和更大的利润。水喷射加工特点切割精度：0.051-0.254mm,取决于机器精度、切割工件大小及厚度。切割缝

8、隙：与工作材质大小厚薄和喷嘴有关。纯水切割之切口约为0.1-1.1mm，磨料水混流切割之切口约