《课分立元器件设计》PPT课件

《《课分立元器件设计》PPT课件》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在教育资源-天天文库。

1、功率MOS管主要工作特性：1）其工作频率可以达20KHz以上，有的甚至可以达到100KHz~200KHz；2）体积小、重量轻；3）高速、大功率、高耐压（可以达到1400V以上NMOS）；4）高增益，存储时间不受限制，不会热击穿。7/16/2021MOS管的符号NMOS/PMOS的符号为：7/16/2021MOS管原理MOS管是电压控制器件，为了在D极获得一个较大电流，在MOS管的G极和S极间必须加一个受控的电压，因MOS的栅极与源极在电气上是靠硅氧化层相互隔离的，管子加电后只有很少的一点漏电流从所加电源端流入到栅极。因此，可以说MOS管具有极高的增益和阻抗。为了驱动MOS管导通，需要在

2、栅极和源极间加入电压脉冲，用于产生有效的充电电流，给MOS管的输入电容Ciss充电。为提高MOS管的开关速度，驱动电阻Rg不可特大，可用公式得到其值：Rg=tr（或tf）/2.2Ciss驱动电流脉冲值：Ig=Ciss×（dV/dt）其中Rg：驱动阻抗，Ω；Ciss：MOS管的输入电容，F；tr和tf：分别为MOS管的上升时间和下降时间，s；dV/dt：驱动源的电压变化率，V/s；G-S电压无，MOS管关闭，D-S程高阻状态，抑制电流通过。7/16/2021设计MOS管遵守的原则MOS各脚连线尽量短，特别是G极的长度，如实在无法减少其长度，可以用一小磁环或一小电阻与MOS管串接起来。7/

3、16/2021MOS管设计说明图1中R1：R1是驱动电阻，要尽量靠近MOS管的G极，可以消除寄生振荡，因MOS管输入阻抗很高，驱动阻抗必须很低，防止电路发生正反馈自激振荡。图1中R2：为加速MOS关断。在设计MOS管的电路时，因MOS管的栅极G的电压大都为20~30V，所以要加保护（如稳压二极管）。7/16/2021MOS管的开关保护电路为保护MOS管一般要加RC吸收电路，其原因为：1）RC吸收回路可以改变MOS管的负载曲线，增加了它达到最大功率的可靠性。2）吸收回路可以消耗掉多余的关断MOS管的能量。否则，这部分能量要由MOS管开关消耗，这样在不增加成本的情况下，可使MOS管小型化。

4、其计算公式为：C=Ic·（tr+tf）/VceR=Ton/3CP=（C·Vce·Vce·f）/20这里的Ic：最大的输入MOS管电流，A；Vce：最大的电压，V；tr/tf：开关管上升/下降时间，s；Ton：占空比1/f，s（大部分拓扑形式为40%）；例子：Vce=200V，tf=2us，tr=0.5us，变换器的工作频率为20KHz，工作电流为2A，7/16/2021MOS保护电路（举例）计算C=Ic×(tr+tf)/Vce=2(0.5+2)×10-6/200=25（nF）Ton取1/f的40%，所以：Ton=0.4×10-3/20=20（us）R=20×10-6/3×0.022×1

5、0-6=303（Ω）P=（0.025×10-6）×（2002）×（20×103）/20=1W7/16/2021滤波电感共模电感：L=1/（（2×3.14×f）2×C）差模电感：L=（1/2）×（1/（2×3.14×f）2×C）这里的f：设计要求的截止频率；C：接入的X电容或Y电容；7/16/2021稳压管TL431TL431是一是一个有良好的热稳定性能的三端可调分流基准源。它的输出电压用两个电阻就可以任意地设置到从Vref（2.5V）到36V范围内的任何值。该器件的典型动态阻抗为0.2Ω，在很多应用中可以用它代替齐纳二极管，例如，数字电压表，运放电路、可调压电源，开关电源等等。从该器件

6、的符号看。3个引脚分别为：阴极（CATHODE）、阳极（ANODE）和参考端（REF）。从下图可以看到，VI是一个内部的2.5V基准源，接在运放的反相输入端。由运放的特性可知，只有当REF端（同相端）的电压非常接近VI（2.5V）时，三极管中才会有一个稳定的非饱和电流通过，而且随着REF端电压的微小变化，通过三极管图1的电流将从1到100mA变化。当然，该图绝不是TL431的实际内部结构，所以不能简单地用这种组合来代替它。但如果在设计、分析应用TL431的电路时，这个模块图对开启思路，理解电路都是很有帮助的，本文的一些分析也将基于此模块而展开。7/16/2021TL431内部结构图其内

7、部电路图为：7/16/2021TL431在开关电源中的作用1如图7/16/2021在开关电源上的应用2在过去的普通开关电源设计中，通常采用将输出电压经过误差放大后直接反馈到输入端的模式。这种电压控制的模式在某些应用中也能较好地发挥作用，但随着技术的发展，当今世界的电源制造业大多已采用一种有类似拓扑结构的方案。此类结构的开关电源有以下特点：输出经过TL431(可控分流基准)反馈并将误差放大，TL431的沉流端驱动一个光耦的发光部分，而处在电源高压