《小家电知识》PPT课件

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1、小家电知识一、基础知识二、加热器具三、清洁器具四、电炊器具五、食品加工器具六、保健器具七、其他小家电1.1PN结的形成在同一片半导体基片上,分别制造P型半导体和N型半导体,经过载流子的扩散,在它们的交界面处就形成了PN结。1、PN结基础知识P型半导体------------------------N型半导体++++++++++++++++++++++++扩散运动内电场E漂移运动扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽。内电场越强,漂移运动越强,而漂移使空间电荷区变薄。空间电荷区,也称耗尽层。基础知识漂移运动P型半导体

2、------------------------N型半导体++++++++++++++++++++++++扩散运动内电场E所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡,相当于两个区之间没有电荷运动,空间电荷区的厚度固定不变。基础知识------------------------++++++++++++++++++++++++空间电荷区N型区P型区电位VV0基础知识1.空间电荷区中没有载流子。2.空间电荷区中内电场阻碍P区中的空穴.N区中的电子(都是多子)向对方运动(扩散运动)。3.P区中的电子和N区中的空穴(

3、都是少子),数量有限,因此由它们形成的电流很小。小结基础知识(1)加正向电压(正偏)——电源正极接P区,负极接N区外电场的方向与内电场方向相反。外电场削弱内电场→耗尽层变窄→扩散运动>漂移运动→多子扩散形成正向电流IF正向电流1.2PN结的单向导电性基础知识(2)加反向电压——电源正极接N区,负极接P区外电场的方向与内电场方向相同。外电场加强内电场→耗尽层变宽→漂移运动>扩散运动→少子漂移形成反向电流IRPN在一定的温度下,由本征激发产生的少子浓度是一定的,故IR基本上与外加反压的大小无关,所以称为反向饱和电

4、流。但IR与温度有关。基础知识PN结加正向电压时,具有较大的正向扩散电流,呈现低电阻,PN结导通;PN结加反向电压时,具有很小的反向漂移电流,呈现高电阻,PN结截止。由此可以得出结论:PN结具有单向导电性基础知识1.3半导体二极管基本结构PN结加上管壳和引线,就成为半导体二极管。引线外壳线触丝线基片点接触型PN结面接触型PN二极管的电路符号:阳极+阴极-基础知识伏安特性UI死区电压硅管0.5V,锗管0.1V。导通压降:硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。反向击穿电压UBR基础知识主要参数1.最大整流电

5、流IOM二极管长期使用时,允许流过二极管的最大正向平均电流。3.反向击穿电压UBR二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增,二极管的单向导电性被破坏,甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压UWRM一般是UBR的一半。2.反向工作峰值电压UBWM保证二极管不被击穿时的反向峰值电压。基础知识二极管:死区电压=0.5V,正向压降0.7V(硅二极管)理想二极管:死区电压=0,正向压降=0RLuiuouiuott二极管的应用举例:二极管半波整流二极管的应用是主要利用它的单向导电性,主要应用于整流、限幅、保护

6、等等。基础知识1.4稳压二极管UIIZIZmaxUZIZ稳压误差曲线越陡,电压越稳定。+-UZ动态电阻:rz越小,稳压性能越好。基础知识(4)稳定电流IZ、最大、最小稳定电流Izmax、Izmin。(5)最大允许功耗稳压二极管的参数:(1)稳定电压UZ(2)电压温度系数U(%/℃)稳压值受温度变化影响的的系数。(3)动态电阻基础知识在电路中稳压管只有与适当的电阻连接才能起到稳压作用。UIIZIZmaxUZIZUZ基础知识2.1基本结构BECNNP基极发射极集电极NPN型PNP集电极基极发射极BCEP

7、NP型2、半导体三极管基础知识BECNNP基极发射极集电极基区:较薄,掺杂浓度低集电区:面积较大发射区:掺杂浓度较高BECNNP基极发射极集电极发射结集电结基础知识BECIBIEICNPN型三极管BECIBIEICPNP型三极管三极管的符号:基础知识ICmAAVVUCEUBERBIBECEB实验电路:2.2电流分配和放大原理基础知识结论:1.IE=IC+IB3.IB=0,IC=ICEO4.要使晶体管放大,发射结必须正偏,集电结必须反偏。基础知识电流放大原理BECNNPEBRBECIE基区空穴向发射区的扩散可

8、忽略。IBE进入P区的电子少部分与基区的空穴复合,形成电流IBE,多数扩散到集电结。发射结正偏,发射区电子不断向基区扩散,形成发射极电流IE。基础知识BECNNPEBRBECIE集电结反偏,有少子形成的反向电流ICBO。ICBOIC=ICE+ICBOICEIBEICE从基区扩散来的电子作为集电结的少子,漂移进入集电结而被收集,形成ICE。基础知识IB=IBE-ICBOIBEIBBECNNPEBR

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