gbt11685-2003 半导体x射线探测器系统和半导体x射线能谱仪的测量方法

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1、GB/T11685-2003月U舀本标准是对GB/T8992-1988((硅(锉)X射线探测器系统测量方法》和GB/T11685-1989《半导体X射线能谱仪的测量方法》的合并和修订。GB/T8992-1988和GB/T11685-1989均是非等效采用IEC60759:1983(见参考文献仁1])编制的。本标准代替GB/T8992-1988和GB/T11685-1989e本标准包括半导体X射线探测器系统和半导体X射线能谱仪的测量方法。由于探测器系统的输出必须通过主放大器输人多道分析器，然后在多道分析器上获取X射线能谱方能观察和确定其性能特性，所以探测器系统和能谱仪基本上采用相同的测量方

2、法。本标准既保留了GB/T11685-1989的完整性和GB/T8992-1988的可操作性，又通过有机地捏合，将两项标准合并为统一的新版本。本标准对GB/T8992-1988和GB/T11685-1989的主要修改如下:a)对半导体X射线探测器系统的测量不限于硅(锉)X射线探测器系统;b)对半导体X射线能谱仪，测量的是多道分析器上能谱(全能峰及峰位或谱线)的性能特性;c)第3章的“术语和定义”按物理意义和逻辑关系排列，增加了“半导体探测器”、“半导体X射线探测器系统”和“主放大器”等术语，修改了“窗”、“基线”、“工作距离”等术语，删去了“门”、“模拟一数字变换器”等简单明了的术语;d

3、)参考IEC60759增加了第11章“过载效应”;e)修改了少量符号，例如，多道分析器的道数(道址)用m，而不用N或X;f)扩展和充实了第5章“一般原则”的内容，而测量要求(原基本要求)仅是其中的一条:—规范了“被测对象”、“测量设备”和“测量系统”的概念;—列出了主要被测的性能特性;—规定了测量的条件(包括环境条件和放射源等);—指出了探测器系统和能谱仪采用相同的测量方法以及细节上的差异B)将“从X能量分辨率计算电噪声的近似值”的内容由正文调整为附录A;b)规范了章条的标题和内容，例如，将第7章的标题由“脉冲幅度线性”直接改为“积分非线性”，第9章的标题由“脉冲幅度稳定性”改为“电压变

4、化影响”、“温度效应”和“长时间不稳定性”;i)为提高本标准的可操作性，适应新技术的发展，测量中一般给出通用方法，特别具体的方法则用示例的形式给出;J)格式按GB/T1.1-200。等标准的要求编写，在一些条中增加了子条标题，将图和表集中到正文的后面。本标准的附录A是资料性附录。本标准由全国核仪器仪表标准化技术委员会提出本标准由核工业标准化研究所归口。本标准起草单位:核工业标准化研究所本标准主要起草人:熊正隆。.www.bzxzk.com.GB/T11685-2003半导体X射线探测器系统和半导体X射线能谱仪的测量方法范围本标准规定了半导体x射线探测器系统和半导体x射线能谱仪主要特性的测

5、量方法。本标准适用于半导体x射线探测器系统和半导体x射线能谱仪主要性能的测量。2规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准，然而、鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。GB/T4079-1994用于电离辐射探测器的放大器和电荷灵敏前置放大器的测试方法(GB/T4079-1994,neqIEC61151;1992,Nuclearinstrumentation-Amplifiersandpreamplifiersu

6、sedwithdetectorofionizingradiation-Testprocedures)GB/T4960.6-1996核科学技术术语核仪器仪表(GB/T4960.6-1996,neqIEC60050(IEV50)，InternationalElectrotechnicalVocabulary,Chapter391^394)3术语和定义GB/T4960.6确立的以及下列术语和定义适用于本标准3.1半导体探测器semiconductordetector通常利用核辐射在半导体中产生的过剩自由电荷载流子的运动来探测人射辐射的探测器。[GB/T4960.6-1996的2.4.1]注:本

7、标准中的术语“探测器”若无特别说明均指半导体探测器。3.2死层(半导体探测器的)deadlayer(ofsemiconductordetector)半导体探测器中的一个层，粒子在该层内损失的能量的大部分对形成的信号无贡献仁GB/T4960.6-1996的2.4.26]3.3窗(探测器的)window(ofdetector)探测器中便于让被测辐射穿透过去的部分[GB/T4960.6-1996的2.1.26]3.4半导体探测器的n何形状