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《单片集成TFT-LCD手机驱动芯片内置稳压器的设计》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、维普资讯http://www.cqvip.com第23卷第2期液晶与显示Vo1.23.NO.22008年4月ChineseJournalofLiquidCrystalsandDisplaysApr.,2008文章编号:1007—2780(2008)02—0225—05单片集成TFT—LCD手机驱动芯片内置稳压器的设计陈升,魏廷存,樊晓桠(西北工业大学教育部嵌入式系统集成工程研究中心,陕西西安710072,E-mail:csnpu.eager@gmail.corn)摘要:研究并设计了一种用于单片集成TFT—LCD手机驱动芯
2、片的稳压器电路,该电路产生恒定的直流电压(1.8V)给芯片内的逻辑控制电路和GRAM提供工作电源。在详细分析带隙基准电路和LDO电路的基础上,提出了一种负载调整率低、稳定性能好、温度系数小以及低功耗的稳压器电路解决方案。通过对采用0.18mCMOS中压工艺设计的电路进行Hspice仿真表明,负载调整率为1.1,负载电流突变时的稳定时间小于5s,温度系数6.5ppm/℃,静态功耗小于0.04mw,均满足设计要求。关键词:TFT-LCD;驱动芯片;带隙基准;LDO中图分类号:TN27~TN710文献标识码:A结果。1引言2设
3、计要求.TFT—LCD(ThinF订mTransistor—LiquidCrystalDisplay)由于具有亮度高,画质好,响应速度快等图1为单片集成TFT—LCD驱动芯片的结构优点口],目前被广泛应用于各种型号的中高档手图。在驱动芯片中集成了稳压器(Regulator),栅机产品中_2]。TFT—LCD驱动控制芯片是TFT—驱动、源驱动、Gamma校正电路,接口及控制电LCD面板与MPU之间的接口电路,控制和驱动路,GRAM电路,内置电源电路和OSC电路等,显示屏显示彩色图像,其性能直接影响着液晶显其中稳压器电路为整
4、个芯片的数字电路和示画面的质量和系统功耗_2]。GRAM电路提供电源电压。由于采用0.18ttm通常从芯片外部提供的电源电压由于受到外CMoS工艺流片,数字电路和GRAM的电源电界噪声干扰、温度变化以及芯片内部电路工作状压设定为1.8±0.1V。态变化而产生波动,可能导致数字电路不能正常图1粗箭头为能够显示26万色、支持176工作。另外,为了降低数字电路的动态功耗,需要(RGB)X220分辨率的单片集成TFT—ICD手机将外部输入电压稳定在一个较低的值。因此,在驱动芯片的数据通路。在彩色TFT-LCD中,采芯片内部产生一
5、个稳定的工作电压,不仅可以提用3个子像素(RGB)排列组成一个像素的办法来高芯片的工作性能,而且可以兼容各种手机的供实现彩色显示_3“]。显示原理是将MPU送来的电电压范围。稳压器的作用是产生恒定的直流电一帧RGB显示数据存入GRAM中,然后采用逐压,作为内部逻辑控制电路和GRAM的全局电行扫描方式,将一行的显示数据转变成相应的驱源。稳压器提供的电压必需具有很高的电源抑制动电压加到TKI'-LCD面板上显示彩色图像E1,5]。和温度抑制特性,同时能提供足够的负载电流能基于版图布线和驱动能力的考虑,数据分左右同力,并对电源
6、电压和负载电流的突变有一定的抗时传输、存储、显示_6]。因为采用行扫描,负载工干扰能力。作电流基本等于176X3X6个GRAM单元工作本文从手机驱动芯片的性能要求出发,设计电流的总和,芯片对稳压器电路的设计要求是负并实现了稳压器电路,最后给出了Hspice仿真载电流必须大于30mA。显示屏的刷新率(帧频)收稿日期:2007—10—08;修订日期:2007—11-05基金项目:国家“863”计划资助项目(No.2005AAt21193);西安应用材料创新基金项目(No,XAAM一200511)维普资讯http://www.
7、cqvip.com226液晶与显示第23卷TFT—LCDPanelfs。urce。erf彳88×3×6彳88×3×6DrGivaeterLAdjustmentGammaIGate—cOlTectioncircuitIDfiverR一PowetLGRAMLoSCGRAMRPowerRDigitalInterfaceandLogicCircuitMPUINPUT图1TFT_LCD驱动芯片结构图Fig.1DiagramofTFT—LCDdriverIC为60Hz,每帧有220行,所以负载电流每隔1/数电压与一个负温度系数电压加
8、权求和,削弱或(60X220)一75pts有一次突变,频繁的负载电流消除温度的影响,获取低温度系数的电压。图3突变对电源电压稳定性提出了要求。在设计中,给出了带隙电压基准的原理示意图,BE是三极管我们要求电流突变时供电电压的稳定时间小于的结压降,在室温下的温度系数约一2.0mV/K,1Os。而热电压(一志。T/q)在
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