声表面波SAW器件用单晶晶片规范

《声表面波SAW器件用单晶晶片规范》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在应用文档-天天文库。

1、GB/T××××—××××发布中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会））200×-××-××实施200×-××-××发布声表面波（SAW）器件用单晶晶片规范与测量方法Singlecrystalwafersforsurfaceacousticwave(SAW)deviceapplications–Specificationsandmeasuringmethods（IEC62276：2005-05，MOD）（报批稿）GB/T××××—200×中华人民共和国国家标准ICS：31.140L211GB/T××××—××××目次前言Ⅲ1范围12规范性引用文件13术语

2、和定义14技术要求64.1材料规格64.2晶片规格65抽样95.1概述95.2抽样95.3抽样频次95.4全部检查96检验方法96.1直径96.2厚度96.3OF长度96.4OF方向96.5TV596.6翘曲度96.7TTV96.8晶片正面缺陷106.9包裹体106.10背面粗糙度106.11定向106.12居里温度106.13晶格常数107包装、标签和标识、交付条件107.1包装107.2标签和标识107.3交付条件108居里温度的测量108.1概述108.2DTA测量方法108.3介电常数测量方法119晶格常数的测量（Bond方法）1110用X-射线测量晶面角度（定向）的方

3、法1210.1测量原理1210.2测量方法1210.3晶面取向的测量1310.4OF方向的测量1310.5典型的晶片定向和参照平面1321GB/T××××—××××11晶片正面检查方法13附录A（资料性附录）压电单晶的欧拉角表示法15附录B（资料性附录）SAW晶片制作工艺18附录C（资料性附录）本标准与IEC62276：2005-05第一版的技术性差异及其原因2321GB/T××××—××××前言本标准修改采用IEC62276：2005《声表面波（SAW）器件用单晶晶片规范与测量方法》(英文版)。根据我国国情，本标准在采用国际标准时进行了修改。这些技术性差异用垂直单线标识在它们

4、所涉及的条款的页边空白处。在附录C中给出了技术性差异及其原因的一览表以供参考。为便于使用，本标准还作了下列编辑性修改：a)删除了IEC标准前言。b)在引用标准中，用GB/T3505-2000《产品几何技术规范表面结构轮廓法表面结构的术语、定义及参数》代替ISO4287；用GB/T2828.1-2003《技术抽样检验程度第1部分：可接受质量限（AQL）检索逐批检验抽样计划》代替IEC60410；用GB/T3352《人造石英晶体——规范与使用指南》代替IEC60758；此外，还增加了GB/T6618-1995《硅片厚度和总厚度变化测试方法》。c)“3.5图1”：原文中第二基准面与基

5、准面画成一样，是不正确的，产品加工中第二基准面应比基准面短，以便区分。本标准由原中华人民共和国信息产业部提出。本标准由全国频率控制和选择用压电器件标委会归口。本标准起草单位：中国电子科技集团第二十六研究所、中国电子科技集团德清华莹电子有限公司、北京石晶光电科技有限公司。本标准主要起草人：张小梅、蒋春健、吴兆刚、吴剑波、赵雄章、周洋舟。21GB/T××××—××××声表面波（SAW）器件用单晶晶片规范与测量方法1范围本标准适用于人造石英、铌酸锂（LN）、钽酸锂（LT）、四硼酸锂（LBO）和硅酸镓镧（LGS）等单晶晶片。这些单晶晶片用作声表面波(SAW)滤波器和谐振器等基片材料。2

6、规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GB/T3352人造石英晶体——规范与使用指南（MOD，IEC60758:2004）GB/T2828.1计数抽样检验程序第1部分：可接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划（IDT，ISO2859-1:1999）GB/T3505产品几何技术规范表面结构轮廓法表面结构的术语、定义及参数（NEQ，ISO4287-1:1997）GB/T6618硅片厚度和总厚度变化测试方法3术语和定义下列术语和定义适用于本标准。3

7、.1SAW晶片用单晶晶体3.1.1人造石英晶体syntheticquartzcrystalQZ采用水热法生长的右旋或左旋石英单晶晶体。单晶化学式为α-SiO2。注：有关石英晶体更多的说明见GB/T3352。3.1.2铌酸锂lithiumniobateLN采用Czochralski法（提拉法）或其它方法生长的，单晶化学式为LiNbO3的单晶晶体。3.1.3钽酸锂lithiumtantalateLT采用Czochralski法（提拉法）或其它方法生长的，单晶化学式为LiTaO3的单晶晶体。3.1