石墨相氮化碳的制备、改性及其光催化性能研究

石墨相氮化碳的制备、改性及其光催化性能研究

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1、;10426分类号:学校代码密级:学号:2012060503来f化义净订著息QindaoUnrgivesityofScience&Technology硕±学位论文MASTERDEGREETHESIS石累相氮化碳的制备、改性及真光催化性能研究作者:王俊虎指导教师;李镇江学科专业;材料加工王程080503专业代码;研究方向;纳米功能材料的制备与性能研究2015年4月19日石墨相氮化碳的制备、改性及其光催化性能研究学位论文完成日期2日-4-巧:^马i、、指导

2、教师签字:疋答辩委员会成员签字:禾i牛麟、捉草、——>著义ft巧气J青岛科技大学研究生学位论文石墨相氣化碳的制备、改性及其光催化性能研究摘要由于普通方法制备的石墨相氮化碳-N(gC34)巧料存在比表面积大、结晶度-空穴对复合率高等弊病低、光生电子,严重阻碍了其在光催化领域的应用发展。针对送些问题-,本文主要通过两个方面对gC3N4光催化性能的提升进行了研巧。一第-N,分别通过氧化刻蚀、A负载和机械球磨对C4进行改性,从而达到对ggs其进斤分散及提升量子利用效率的目的;第二,通过W尿素和H聚氯胺

3、为混合前驱体-CN,半封闭细口瓶作为反应容器,般烧制得比表面积大、结晶程度高的gs4纳米片。论文的具体研巧内容及成果如下:°C-N(1)首先通过在550热缩聚H聚氯胺的方法制备gC34块体材料,然后-]!^1双氧水为氧化剂,芒酸和浓硫酸为分散及辅助氧化剂,对gC3N4块体材料进行氧化刻蚀改性。本文系统研巧了双氧水加入量、乙酸加入量及温度对氧化刻蚀-N后样品光催化性能的影响。实验结果表明,当gCs4为Ig、浓战S〇420ml、己ml、m-N酸20吐〇21l时,经氧化刻蚀处理的gCs4光催化性能最佳,10的甲基授溶液经模

4、拟日光福照化,降解率可达到%.2%,并且随着温度的升高,氧化刻蚀后样品的催化性能越好,但收率越低。XRD结果表明,氧化刻蚀可一在定程度去除-CN4gs样品中部分非晶区域,从而使梓品总体结晶性有所升高;IR和EDS表征结果表明氧化刻蚀可在样品中渗入少量氧元素;TEM和SEM结果表明-,氧化刻蚀改性可大大提升CN4。高结晶性、高gs样品的分散性能分散性化及氧元素的渗入是样品光催化性能提升的根本原因。‘-(2)^>C热缩聚H聚氯胺[1550的方法制备gC3N4块体材料,通过超声粉碎得到-CN纳米片-g34,然后将gC3N4纳米片加

5、入AgN〇溶液中,光照条件下使3AN〇还原制备A-g3g/gC3N4复合纳米片。文章研究了不同理论质量百分数Ag负载对-CNA/-CNgs4纳米片光催化性能的影响,并对gg34复合纳米片进行XRD、化-s、-、XPS、TEM、UVvi扎表征。结果表明,当Ag在Ag/gC3N4复合纳米片i8%0’中的理论质量百分比为时,其光催化性能最佳,1mgI/的罗丹明B溶液经30m。-N模拟日光竊照in,降解率可W达到92.7%经分析认为,Ag/gC34复合纳米片优异的光催化性能可归功于Ag纳米颗粒的表面等离子共振和Ag纳米粒子-C纳米片界

6、面处有效的光生载流子的分离与gsN4。‘-N(3)1^550C热缩聚H聚氯胺的方法制各gCs4块体材料,通过机械球磨I石墨相氮化碳的制备、改性及其光催化性能研究-CN法对g34进行改性。本文系统研究了球磨时间为12h、1天、3天、5天的样-v品的光催化性能,并对球磨改性后样品进行XRD、TEM、UVis表征。结果表明,随着球磨改巧时间的延长,祥晶的光催化性能逐次变好。经分析认为,球磨-N改性可大大提升gC4的分散性,降低其厚度,从而提供更多的光催化反应3活性位,提升样品光催化性能。4-()将尿素和H聚氯胺研磨混

7、合并作为制备gCsN4纳米片的混合前驱体,使用细口狼作为反应容器,并用错滔纸制各的塞子封闭细口瓶,然后在程序升温条件下锻烧制备g-CNs4纳米片。本文系统的研巧了尿素与H聚氯胺的质量配比、般烧时间-CN纳米片可见光下光催化降解罗、温度和反应容器密闭性对制备g43丹明B性能的影响,并对部分样品进行了光催化降解亚甲基蓝的实验研巧。通-v-过XRD、TEM、UVis、化、阻抗对gC3N4纳米片样品进行表化结果表明,°当尿素:H聚氛胺质量比为5:2、般烧时间为6h、般烧温度为575C时,制备-CN的gs4纳米片具有高结晶性、高分散性、

8、低电阻的优异性能,光催化性能最佳,并且反应容器密

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