电力电子技术思考题与作业解答

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1、第一章电力电子技术思考题与习题解答1与信息电子电路中的二极管相比，电力二极管具有怎样的结构特点才使得它具有耐受高电压和大电流的能力？电力二极管大都是垂直导电结构，使硅片中通过电流的有效面积增大，可显著提高通流能力；在P和N区之间多了一层低掺杂N区即漂移区，可承受高电压不致击穿；虽然漂移区具有高电阻率不利于正向导通，但可通过电导调制效应来解决。矚慫润厲钐瘗睞枥庑赖。2.使晶闸管导通的条件是什么？答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或：uAK>0且uGK>0。另外在其它条件下，比如阳极电压过高产生雪崩效

2、应，阳极电压上升率过高，结温较高，光直接照射硅片，也可能使晶闸管导通。聞創沟燴鐺險爱氇谴净。 3.维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。要使晶闸管由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。残骛楼諍锩瀨濟溆塹籟。 4.图1-43中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为Im，试计算各波形的电流平均值Id1、Id2、Id3与电流有

3、效值I1、I2、I3。酽锕极額閉镇桧猪訣锥。图1-43 晶闸管导电波形解：a)           b)               c)                         5.上题中如果不考虑安全裕量,问100A的晶闸管能送出的平均电流Id1、Id2、Id3各为多少？这时，相应的电流最大值Im1、Im2、Im3各为多少?彈贸摄尔霁毙攬砖卤庑。解：额定电流IT(AV)=100A的晶闸管，由上题计算结果知a)                       Id10.2717Im189.48Ab)            ,      

4、     Id20.5434Im2126.56Ac)                Im3=2I=314A,                       Id3=Im3=78.5A謀荞抟箧飆鐸怼类蒋薔。三相桥式电路，，工作于逆变状态，，设电流连续，计算：（1）输出电流平均值；（2）输出电流有效值；（3）晶闸管电流有效值；（4）交流电源端功率因数。解：6GTO和普通晶闸管同为PNPN结构，为什么GTO能够自关断，而普通晶闸管不能？答：GTO内部有数十个甚至数百个共阳极的小GTO元，且阴极和门极在器件内部并联在一起，这种多元集成结构使每个GTO元

5、阴极面积很小，门极和阴极间距离大为缩短，使得P2基区的横向电阻很小，使从门极抽出较大的电流成为可能；从等效电路原理上讲，设计时较大，V2控制灵敏，使得GTO易于关断；接近于临界饱和，没有晶闸管饱和程度深，有利于门极控制关断。多元集成结构还使得比普通晶闸管开能快，承受电流变化率能力更强。厦礴恳蹒骈時盡继價骚。7电力MOSFET具有怎样的结构特点才具有耐受高电压和大电流的能力？MOSFET驱动电路简单、驱动功率小；开关速度快、工作频率高；但容量低、耐压低，10KW以下。采用垂直导电结构和多元集成结构，还有一个漂移区来承受高电压，但无电导调制效应，

6、因而通态电阻大，通态压降高，通态损耗大。茕桢广鳓鯡选块网羈泪。8试分析IGBT和电力MOSFET在内部结构和开关特性上的相似与不同之处？IGBT比VDMOSFET多一层p+注入区，形成面积很大的P+N结，可实现对漂移区电导率进行调制，具有很强的通流能力；而后者总存在高耐压和低通态电阻的矛盾。其开通和关断过程与MOSFET相似。同时，电导调制效应也带来了少子储存现象，因而IGBT开关速度要低于MOSFET。二者的开关过程都受到主回路结构、控制方式、缓冲电路及主电路寄生参数等条件的影响，必须在实际电路设计时加以考虑。鹅娅尽損鹌惨歷茏鴛賴。9宽禁带

7、半导体材料做成的电力电子器件有哪些方面的优越性？宽禁带是指3电子伏特以上的半导体材料如碳化硅、氮化镓、金刚石等材料。比硅有高得多的临界雪崩击穿电场强度和载流子饱和漂移速度、较高的热导率和相差不大的载流子迁移率。因而耐压高、通态电阻低、导热好热稳定性好，在耐高温和射线辐射方面的性能成数量级的提高。这些器件可能成为将来的发展方向。籟丛妈羥为贍偾蛏练淨。10电力电子集成技术可带来哪些益处？功率集成电路与集成电力电子模块实现集成的思路有何不同？模块化是电力电子器件研制和开发的一个趋势。功率模块是按拓扑结构将主回路的电力电子器件集成在一个模块中，可降低

8、成本、缩小体积和提高可靠性，对于工作频率较高的电路还可大大减小线路电感，从而减少对保护和缓冲电路的要求。如IGBT模块、晶闸管模块。預頌圣鉉儐歲龈讶骅籴。功率集成电