模电第1单元检测题(有答案)

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1、第1单元检测题（共100分，120分钟）一、填空题：（每空1分，共28分）1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为口由电子,少数载流子为空穴,定域的朵质离子带止电。2、双极型三极管内部有基区、发射区和集电区,有发射结和集电结及向外引出的三个铝电极。3、PN结正向偏置吋，内、外电场方向相反,PN结反向偏置吋，内、外电场方向相同。4、二极管的伏安特性曲线上可分为死_区、正向导通区、反向截止一区和反向击穿区四个工作区。5、用指针式力•用表检测二极管极性时，需选用欧姆挡的RXlk档位,检测屮若指针偏转较大，可判断与红表棒相接触

2、的电极是二极管的止极；与黑表棒相接触的电极是二极管的JL极。检测二极管好坏吋，若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大，说明二极管已经被击穿;两表棒位置调换前后万川表指针偏转都很小时，说明该二极管已经老化不通o6、双极型三极管简称晶体管，属于电流控制型器件，单极型三极管称为MOS管,属于电压控制型器件。MOS管只冇多鑿载流子构成导通电流。7、晶闸管既有单向导电的整流作用，又何可以控制导通时间的作用。晶闸管正向导通的条件是一阳极加正电压时，门控极也要何正向触发电压,关断的条件是晶闸管反偏或电流小丁•维持电流O8、晶闸管有阳极、止极和门控极三个电极。二、判断正误：（

3、每小题1分，共12分）1、P型半导体中定域的杂质离子呈负电，说明P型半导体带负电（X）2、晶体管和场效应管一样,都是由两种载流子同时参与导电。（X）3、用万用表测试晶体管好坏和极性时，应选择欧姆档RX10K档位。（X）4、PN结正向偏置时，其内电场和外电场的方向相同。（X）5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放人能力。（X）6、只要在二极管两端加正向电压，二极管就一定会导通。（X）7、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿而造成永久损坏。（X）8、三极管集电极电流人于它的最人允许电流ICM时，该管必定被击穿。（X）9、场效应管若出厂前衬底与源极和连，则漏极和

4、源极就不能互换使用。（J）10、双极型三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。（X）11、晶闸管门极上加正向触发电压，品闸管就会导通。（X）12、品闸管触发脉冲与主电路不需要同步。（X）三、选择题：（每小题2分，共20分）1、单极型半导体器件是（C）oA、二极管；B、双极型三极管；C、场效应管；D、稳压管。2、P型半导体是在木征半导体中加入微量的（A）元素构成的。A、三价；B、四价；C^五价；D、六价。3、稳压二极管的正常工作状态是（C）。A、导通状态；B、截止状态；C、反向击穿状态；D、任意状态。4、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等1K

5、?,说明该二极管（A）oA、已经击穿；B、完好状态；C、内部老化不通；D、无法判断。5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（A）而成。A、多子扩散；B、少子扩散；C、少子漂移；D、多子漂移。6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE=2.1V,VB=2.8V,VC=4.4V,说明此三极管处在（A）0A、放大区；B、饱和区；C、截止区；D、反向击穿区。7、绝缘栅型场效应管的输入电流（CD、无法判断。C、正弦半波;A、较人；B、较小；C、为零;8、正眩电流经过二极管整流后的波形为（CA、矩形方波；B、等腰三角波；仍为正弦波。9、三极管超过（C）所示极限参数时

6、，必定被损坏。A、集电极最人允许电流ICM；B、集一射极间反向击穿电压U（BR>CEO；C、集电极最人允许耗散功率Pcm；D、管子的电流放大倍数?。10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（B）A、发射结正偏、集电结正偏；B、发射结反偏、集电结反偏;C、发射结正偏、集电结反偏；D、发射结反偏、集电结正偏。四、简述题：（每小题3分，共24分）1、N型半导体屮的多子是带负电的H由电子载流子，P型半导体屮的多子是带正电的空穴载流子，因此说N型半导体带负电，P型半导体带正电。上述说法对吗？为什么？答：这种说法是错课的。因为，晶体在掺入杂质后，只是共价键上多

7、出了电子或少了电了，从而获得了N型半导体或P型半导体，但報块晶体屮既没有失电了也没有得电了，所以仍呈电中性。2、某人用测电位的方法测出品体管三个管脚的对地电位分別为管脚①12V、管脚②3V、管脚③3.7V,试判断管子的类空以及各管脚所属电极。答：管脚③和管脚②电压相差0.7V,显然一个硅管，是基极，一个是发射极，而管脚①比管脚②和③的电位都高，所以一定是一个NPN型硅管。再根据管了在放人时的原则可判断出管脚②是发射极，管脚③是基极，管脚①是集电极。3、齐纳击穿和雪崩击穿能否造成二极管的永久损坏？为什么？答：齐纳击穿和雪崩击穿都属于电击穿，其过程口J逆，只要控制使

8、其不发生质变引起热击穿，