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时间:2019-02-06
《磁控溅射法合成纳米βfesilt2gtαsi多层结构》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库。
1、人连理I一人学硕士学位论文摘要为了实现间接带隙材料一硅的高效发光,人们在材料工程方面探索具有直接带隙的半导体材料。[3-FeSi2是少有的几种半导体型金属硅化物,它是一种环境友好的半导体材料,具有O.85.0.89eV的直接带隙,可在Si表面外延生长,近年来作为一种很有前途的光电材料而被广泛研究。然而大量的研究发现,制备的13-FeSi:薄膜存在着晶体质量不高、膜基结合不好的缺点,因此颗粒化及非晶化正在成为提高其应用性能、改善薄膜质量及膜基界面失配度的有效途径。本次论文工作的目的是利用13-FeSi2/a—Si多层结构
2、来实现13-FeSi2颗粒的纳米化和高密度。本论文采用射频磁控溅射的方法在单晶Si基体上沉积Fe/Si多层膜,通过一定的退火工艺,合成纳米13-FeSi2/a.Si多层结构,并利用透射电子显微镜、高分辨电子显微术、X射线衍射等分析手段,研究了多层结构和制备工艺之间的相互关系。同时还测量了样品的带隙宽度和光致发光信号。研究结果表明,通过磁控溅射制备的Fe/Si多层膜平整度较好,此时Fe/Si多层膜中的si是呈非晶态,沉积的Fe与si层化合直接得到D—FeSi2相小颗粒,未经退火直接就得到D.FeSi2/a—Si结构。颗粒
3、尺寸在20nm以下,远小于50nto的尺寸限,满足产生量子限制效应的要求。颗粒的形状不是很规则,0-FeSi2颗粒和si之间没有明显界面。样品经过1小时的退火,硅化物层会逐渐断裂,团聚生长。而到了8小时,颗粒已经基本由HIJH)J沉积时的不规则形状变成了椭圆形甚至圆形,边缘清晰,团聚生长的现象已经很明显,颗粒尺寸最大可达lOOnm左右。13-FeSi2相成分没有发生变化。红外吸收结果显示B—FeSi2具有直接带隙结构,带隙能量在O.85-0.88eV之间,未退火时p—FeSi2相颗粒尺寸在20nm以下,颗粒尺寸小导致发
4、光蓝移,带隙宽度变大,E!值近似o.94eV。经过850。C的真空退火处理后,颗粒尺寸变大,蓝移效果消失,彰值在0.88eV附近,与B—FeSi2的带隙宽度O.85.0.87eV较为接近。首次在室温下观察到了低信号强度的13-FeSi2光致发光信号,详细分析了这一发光信号来源的可能性,并讨论了退火对B.FeSi2光致发光信号的影响。此外由于受到p相颗粒体积和连续性的影响,本次实验所测得的光致发光信号强度较弱。关键it,q:13-FeSi,;磁控溅射;透射电子显微镜磁控溅射法合成纳米13-FeSi2/a-Si多层结构Na
5、no—D—FeSija—SilayeredconstructionpreparedbymagnetronsputteringAbstractManyeffortshavebeenmadetoexploredirect—gapsemiconductormaterials,sothathJ【ghefficientluminescenceoftheindirect-gapsemiconductor—siliconcanbeachieved.D.FeSi2,asanenvironmental-friendlymaterialw
6、hohasadirect-gapof0.85eV.0.89eV,isoneoftheuncommonsemiconductormetalsilicides.p—FeSi2,alsoapromisingphotoelectronmaterial,canbeepitaxiallygrownonsiliconsurfacesandhasbeenextensivelystudied.However,alotofstudieshaveshownthattheprepared13-FeSi2thinfilmshavedisadva
7、ntageslikebadcrystalqualities,lowfilm-substratebindingforceandsoon.Thus,granulationandvitrificationaretwoeffectivewaysofimprovingitsapplicationproperties,enhancingthefilmqualityanddecreasingthemisfitbetweenthefilmandsubstrate.Theobjectofthisexperimentistorealize
8、thenanocrystallizationandhighdensityofthe13-FeSi2particles.Fe/Simulti—layerfilmswerefabricatedonSi(100)substratesutilizingtheradiofrequencymagnetronsputteringsysteman
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