z石墨炉原子吸收分光光度计操作规程维护规程

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1、重庆市沙坪坝区环境监测站作业指导书文件编号:SPBEMS/CG-53-2015第页共页PinAAcle900z石墨炉原子吸收分光光度计操作及维护规程第版第次修订发布日期:2015-1-1PinAAcle900z石墨炉原子吸收分光光度计操作规程1、开机1)、开机前的准备工作打开氩气瓶,检查氩气压力,减压阀压力位于350-400KPa。2)、打开墙壁上的空气开关,打开电脑电源。3)、打开主机电源,等主机初始化完毕后(约1~2分钟),双击联机。2、编辑方法(以Cu为例)1)、点击,出现图3-1-1。3-1-12)点击图3-1-1中,出现图3-

2、1-2。3-1-23)、在图3-1-2中Element选中Cu,点击,出现图3-1-3。参数默认即可。3-1-34)、图3-1-3中,点击,出现图3-1-4。重复次数,其余参数默认。3-1-45)、点击图3-1-4中的,出现图3-1-5。Step1、2是干燥,Step3是灰化,Step4是原子化,Step5是清洗。Step3和Step4一般要根据实际出峰情况进行更改。3-1-56)、在图3-1-5中,点击,出现图3-1-6。输入进样体积:20uL;稀释液位置:81,一般稀释液加入10uL。介绍一下基体改进剂。3-1-68)、在图3-1-

3、6中,点击,出现图3-1-7。在Equation中一般选择NonlinearThroughZero。3-1-79)、图3-1-7中点击,出现图3-1-8。输入空白,标样浓度和标样位置。介绍推荐条件中的线性范围和特征质量。3-1-810)、方法中的其余参数按照默认的即可。11)、方法编辑完后,可以点击、,检查方法是否合适,如果不合适,按照提示修改方法。12)、保存方法。依次点击,,。3、编辑样品表1)、点击,出现图3-3-1。输入样品名称及A/S位置。3-3-12)、保存样品表。依次点击,,。4、点灯点击,出现图3-4-1(假设Cu灯放在

4、3号位)。On/Off:点亮/熄灭灯;Lamp3:将Cu灯点亮且将仪器波长设置到324.8nm处。3-4-15、调整石墨炉进样针的位置1)、点击,出现图3-5-1。FurnaceOn/Off:按照方法中的温度程序空烧一次石墨管;Cleanout:按照设置的温度空烧石墨管,点击Start开始空烧,再点击Start停止空烧(空烧时间最好不要超过10秒);:打开关闭石墨炉;:老化石墨管;:调整针位置;FlushSampler:清洗管路。3-5-12)、安装石墨管A、点击,打开石墨炉,安装石墨管。安装石墨管时检查石墨管的安装左右,有凸起的一边靠

5、左。安装好后再次点击,关闭石墨炉。B、针对新石墨管,点击老化新石墨管。老化时间约5分钟。3)、调节进样针位置A.进样针的石墨管中位置:调整的要求:进样针在石墨管入口处居中,针尖距石墨管底部为2毫米(2/3处)。a、粗调:点击,选择,点击,按照提示调整针的位置,调整完后点击保存。b、细调:点击,选择,点击,检查位置是否合适。如果合适,点击。不合适,调整后点击。c、再次进行b步的检查,直到满意为止。注:只要动过AS-800,最好检查一下位置有否变动,如有变动,调整。B.进样针吸样的位置:点击,选择,点击,按照提示调整针的位置,调整完后点击保

6、存。6、测量数据测量数据前的准备工作:A、检查是否是否选择了相应的样品托盘。分88个和148个两种。检查时点击再点击菜单,选择相应的88还是148托盘。B、检查管路中有否气泡,如有,点击FlushSampler冲洗管路。1)、点击,出现图3-6-1。3-6-12)、保存数据:点击中,可将分析结果数据保存。3)、点击进入分析选择界面3-7-2。:重新建立当前的标样和未知样;:分析全部;:只分析标样;:只分析样品。注:分析结果在中显示,可以看标准曲线。3-7-27、打印用鼠标点击需要打印的窗口,点击File、Print、ActiveWind

7、ow即可打印。8、测量完毕后关机步骤1)、关灯;2)、关闭程序;关闭电脑电源;3)、关主机电源;4)、关闭氩气气瓶;5)、拔下空压机的插头,将空压机放气放水。重庆市沙坪坝区环境监测站作业指导书文件编号:SPBEMS/CG-53-2012第页共页PinAAcle900z石墨炉原子吸收分光光度计操作及维护规程第5版第0次修订发布日期:2012-1-1PinAAcle900z石墨炉原子吸收分光光度计维护规程1、清洁石墨锥重复性好的分析结果有赖于石墨管和石墨锥良好的电气接触。接触表面必须光滑干净,即使是很小的颗粒也会导致结果不良。如果石墨管破损

8、在炉子里,必须作彻底的清除。用干净的棉签清洁石墨管表面,清洁接触点,将沉淀物刮去,小心不要刮伤表面,用干净压缩空气吹扫。清洁更新炉子的窗口石英的炉子窗口固定在炉子的光线进出两端。长时间使用会有样品残留积累在

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