余学院毕业论文格式要求

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1、附件3新余学院毕业设计（论文）书写式样一、页面设置：上2.54cm,下2.54cm,左3.67cm,右2.67cm，页眉设置为：居中，页眉之下划一条线，用5号字宋体，页眉用论文的名字；页脚设置为：插入页码，页码为阿拉伯数字，居中，5号字宋体。二、目录：“目录”两字小三号宋体加粗，目录内容小四号宋体。三、摘要1．中文摘要：标题小二号宋体加粗，“摘要”两字四号宋体，摘要内容小四号宋体，“关键词”三字小四号宋体加粗，2．英文摘要：标题小二号TimesNewRoman体加粗，“Abstract”四号TimesNewRoman体；“Abstract”内容小四号Ti

2、mesNewRoman体，“Keyword”小四号TimesNewRoman体加粗。四、正文：标题四号宋体，正文内容小四号宋体，行间距1.5倍,。五、图表：图表内容五号宋体。六、参考文献：参考文献用四号宋体，参考文献内容小四号宋体，其中英文用小四号TimesNewRoman体。七、致谢：致谢两字四号宋体，致谢内容小四号宋体。八、打印要求：论文封皮封底用浅色皮纹纸打印，论文正文（设计说明书）应使用A4纸单面打印。九、毕业设计（论文）的装订、归档⑴毕业设计（论文）的装订顺序为：①封面；（请到教务处网站下载学校统一封面）②中文题目、摘要、关健词；③英文题目、摘

3、要、关健词；④目录；⑤正文；⑥参考文献；⑦致谢。⑵毕业设计（论文）的资料归档内容为：①已装订成册的毕业设计（论文）文本；②毕业设计（论文）过程管理手册；③学生参加生产实习的日记，实习技术报告，实习单位的鉴定、评价意见等材料；④学生毕业设计（论文）收集的相关材料、以及设计类作品或光盘、电路板、图纸、实物可一并装入毕业设计（论文）的资料袋中；毕业设计（论文）的资料袋由教务处统一发放。（资料袋封面请到教务处网站下载并填入相应数字然后贴在资料袋上）。具体书写式样如下：小三号宋体加粗，居中。中间空一个字符二级标题小四号宋体，居左，首行缩进1个字符。一级标题，小四号

4、宋体加粗，居左。1、理科目录式样三级标题小四号宋体，居左，首行缩进2个字符。目录摘要　………………………………………………………………………………………1Abstract……………………………………………………………………………………2第1章GaN基半导体材料及器件进展（多数文章为“绪论”）…………………………11.1III族氮化物材料及其器件的进展与应用…………………………………………11.1.1III族氮化物材料及其器件的进展………………………………………………11.1.2III族氮化物材料及其器件的进展……………………………………………31.2II

5、I族氮化物的基本结构和性质…………………………………………41.3掺杂和杂质特性…………………………………………………………………121.4氮化物材料的制备…………………………………………………………131.5氮化物器件………………………………………………………………191.7本论文工作的内容与安排………………………………………………24第2章氮化物MOCVD生长系统和生长工艺…………………………………………312.2本论文氮化物生长所用的MOCVD设备…………………………………………32结论…………………………………………………………………………………

6、……136参考文献（References）……………………………………………………………………138致谢………………………………………………………………………………………150小三号宋体加粗，居中。中间空一个字符二级标题小四号宋体，居左，首行缩进1个字符。一级标题，小四号宋体加粗，居左。2、文科目录式样三级标题小四号宋体，居左，首行缩进2个字符。目录摘要　………………………………………………………………………………………1Abstract……………………………………………………………………………………2一、GaN基半导体材料及器件进展（多数文章为“绪论”

7、）…………………………1（一）III族氮化物材料及其器件的进展与应用………………………………………11.III族氮化物材料及其器件的进展………………………………………………12.III族氮化物材料及其器件的进展……………………………………………3（二）III族氮化物的基本结构和性质…………………………………………4（三）掺杂和杂质特性…………………………………………………………………12（四）氮化物材料的制备…………………………………………………………13（五）氮化物器件………………………………………………………………19（六）本论文工作的内容与安排……

8、…………………………………………24二、氮化物MOCVD生长系统和生长工艺………