《电子技术基础》第01章在线测试

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1、《电子技术基础》第01章在线测试剩余时间：59:54窗体顶端 答题须知：1、本卷满分20分。          2、答完题后，请一定要单击下面的“交卷”按钮交卷，否则无法记录本试卷的成绩。          3、在交卷之前，不要刷新本网页，否则你的答题结果将会被清空。第一题、单项选择题（每题1分，5道题共5分） 1、PN结加正向电压时，空间电荷区将A、变窄B、基本不变C、变宽D、不确定 2、稳压管的稳压区是其工作在A、正向导通B、反向截止C、反向击穿D、不一定 3、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为A、前者反偏、后者也反偏B、前者正偏、后

2、者反偏C、前者正偏、后者也正偏D、两者均正偏 4、当温度升高时，二极管反向饱和电流的绝对值A、增大B、不变C、减小D、不确定 5、当PN结未加外部电压时，扩散电流漂移电流A、大于B、小于C、等于D、不确定第二题、多项选择题（每题2分，5道题共10分） 1、UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A、结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、绝缘栅型管 2、P型半导体是在本征半导体中掺入，N型半导体是在本征半导体中掺入。A、三价元素B、四价元素C、五价元素D、六价元素 3、温度升高后，二极管反向电流将，正向压降将。A、增大B、减小C、不变D、不定 

3、4、硅二极管与锗二极管相比，一般情况，正向压降较，反向电流较。A、大B、小C、不定D、相等 5、PN结加正向电压时，由形成电流，其耗尽层。A、扩散运动B、漂移运动C、变宽D、变窄第三题、判断题（每题1分，5道题共5分） 1、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。正确错误 2、结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。正确错误 3、若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。正确错误 4、只要在稳压管两端加反向电压就能稳压。正确错误 5、二极管所加正向电压增大时，其动态电阻增大。正确错

4、误窗体底端A,c,b,a,cAc,ac,ab,ab,adbabbb