《太阳电池硅单晶》word版

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1、GB/T××××—××××中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会发布××××-××-××实施××××-××-××发布太阳电池用硅单晶MonoccrystallinesiliconforPV（讨论稿）GB/T××××-××××中华人民共和国国家标准ICS29.045H805GB/T××××-××××前言本标准由中国有色金属工业协会提出。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。本标准起草单位：有研半导体材料股份有限公司，万向硅峰电子材料股份有限公司，洛阳鸿泰电子材料有限公司。本

2、标准主要起草人：孙燕卢立延、翟富义。3GB/T××××-××××太阳电池用硅单晶1　范围本标准规定了太阳电池用硅单晶的产品分类、必要的相关性术语、技术要求、试验方法，检测规则以及标志、包装、运输、贮存。本标准适用于直拉掺杂制备的太阳电池用硅单晶。2　规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注明年代的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注明年代的引用文件，其最新版本适用于本标准。GB/

3、T1550非本征半导体材料导电类型测试方法GB/T1552硅锗单晶电阻率测定直排四探针法GB/T1554硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法GB/T1555半导体单晶晶向测定方法GB/T1557硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法GB/T1558测定硅晶体中代位碳含量的红外吸收方法GB/T2828逐批检查计数抽样程序及抽样表（适用于连续批的检查）GB/T6616半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定非接触涡流法GB/T14143300-900μm间隙氧含量红外吸收测量方法GB/T14264半导体材料术语GB/T14844半导体材

4、料牌号表示方法SEMIM6太阳能光电池用硅片规范SEMIMF1535用微波反射光电导衰减法非接触测量硅片载流子复合寿命的测试方法3　术语GB/T14264规定的术语和定义适用于本标准。4　产品分类4.1　分类:硅单晶按导电类型分为N型，P型两种类型。4.2　牌号硅单晶的牌号表示：按GB/T14844规定。4.3　规格硅单晶按直径分为F100mm、F125mm、F150mm、和F200mm或由供需双方商定规格。5　技术要求5.1　直径及其允许误差5.1.1　硅单晶的直径及其允许偏差应符合表1的规定。在表1中未列出的直径及偏差

5、由供需双方商定。5.1.2　未滚圆硅单晶的直径和允许偏差由供需双方商定。表1　硅单晶的直径及其允许偏差单位为毫米5GB/T××××-××××直拉硅单晶直径a100125150200允许偏差b±0.1±0.1±0.1±0.11.1　电阻率1.1.1　直拉硅单晶的电阻率范围和径向电阻率变化应符合表2的规定。1.1.2　径向电阻率变化如要求按照其它方案进行，由供需双方商定。表1　直拉硅单晶的性能参数导电类型晶向掺杂元素电阻率范围Ω.cm少数载流子寿命μsP<100>或<111>硼0.5-6>100N<100>或<111>磷0.5

6、-3.5>201.1.3　直拉硅单晶晶向偏离度不大于2°。1.2　参考面位置硅单晶的参考面位置及其技术要求应符合GB/T12964的规定。1.3　氧含量1.3.1　直拉硅单晶的间隙氧含量应小于1.5×1017atoms/cm3。具体指标按需方要求提供。1.4　碳含量1.4.1　直拉硅单晶的碳含量应不大于5×1016atoms/cm3。1.5　晶体完整性1.5.1　硅单晶的位错密度应不大于100个/cm3，即无位错。1.5.2　硅单晶应无星形结构、六角网络、孔洞和裂纹。1.6　金属含量1.6.1　硅单晶的体金属含量（Fe）由

7、供需双方商定提供。1.6.2　重掺杂直拉硅单晶的基硼、基磷含量由供需双方商定提供。2　试验方法2.1　硅单晶导电类型测量按GB/T1550进行2.2　硅单晶的电阻率四探针法测量按GB/T1552进行。2.3　硅单晶的晶向及晶向偏离度测量按GB1555进行。2.4　硅单晶的少数载流子寿命按SEMIMF1535进行。2.5　硅单晶的晶体完整性检验按GB/T1554进行。2.6　硅单晶的直径测量按GB/T14140进行。2.7　硅单晶的氧含量按GB/T14143及GB/T1557进行。2.8　硅单晶的碳含量按GB/T1558进行

8、。3　检验规则3.1　检查和验收3.1.1　产品应由供方技术（质量）监督部门进行检验，保证产品质量符合本标准的规定，并填写产品质量保证书。5GB/T××××-××××1.1.1　需方可对收到的产品按本标准的规定进行检验，若检验结果与本标准（或订货合同）的规定不符时，应在收到产品之日起三个月内向供方提出，