关于瑞科锦丰可控硅控制方式的修改

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1、第5页共5页关于瑞科锦丰可控硅控制方式的修改目前北京工厂制造綦江项目加热元件和辐射管出现损坏现象，加热元件析出的黑色物质应与可控硅输出直流分量有关，但不能确定此现象属于个案还是具有普遍性。为避免群发损坏，采取如下预防措施：1．目前唐山工厂未有使用此品牌的可控硅的设备出厂，但部分可控硅已经到货。2．技术部电器图中明确标出该品牌可控硅拨码开关的明确位置，即SW1－1应处于off位置，SW1－2应处于on位置，SW1－3应处于off位置。设计选用可控硅时尽可能采用定周期过零触发方式，瑞科锦丰称为占空比方式。客户有专门要求时可采用三相三控方式。3．制造部负责对电器安装人员进行培训，并将正在组装的项目改

2、正。4．品保部将此项加入设备出厂验收报告，作为出厂前验收重要检查点。5．客服中心负责对所有调试人员进行培训，通知所有调试人员。目前瑞科锦丰可控硅占空比方式周期时间默认为8秒钟，以后有可能可选，改动工作方式时注意对炉温控制性能的影响，必要时调整温控器参数。6．附详细的改正方式。第5页共5页一，损坏的加热元件的明显特征加热元件的支架砖侧面变色，同时也有黑色物质产生，辐射管内壁与此处接触点有腐蚀剥落现象在螺旋砖（特别是两端）的表面有黑色物质产生。二，瑞科锦丰可控硅的外形特点第5页共5页三，可控硅需调整的位置点调整可控硅侧面电路板上的SW1拨码开关，可改变可控硅的控制方式。四，调整方法正确的调整方法：

3、拨码开关SW1-1处于off位置，输出方式为定周期过零触发方式，瑞科锦丰称为占空比输出，避免加热元件损坏。同时SW2-2调整到on位置，作用为过流保护。错误的调整方法：拨码开关SW1-1处于on位置，输出方式为周波输出，加热元件可能容易损坏。第5页共5页五，关于该可控硅控制输出方式的说明第5页共5页