模拟电子技术基础试题（卷）与答案解析

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1、专业技术资料整理分享电子电工专业试卷说明：本试卷分第Ⅰ卷（选择题）和第Ⅱ卷（非选择题）两部分，第Ⅰ卷XXX页，第Ⅱ卷XXX页。两卷满分为100分，考试时间120分钟。Ⅰ卷答案涂在答题卡上，Ⅱ卷答案写在试卷上。第Ⅰ卷（选择题，共35分）注意事项：每小题选出答案后，用铅笔把答题卡上对应题目的答案标号涂黑，如需改动，请用橡皮擦干净后，再选择其答案标号，如果答案不涂写在答题卡上，成绩无效。一、选择题（本大题共10小题，每小题3分，共计30分。每小题只有一个正确答案。）1、半导体二极管加正向电压时，有（）A、电流大电阻小B、电流大电阻大C、电流小电阻小D、电流小电阻大2、半导体稳压二极管

2、正常稳压时，应当工作于（）A、反向偏置击穿状态B、反向偏置未击穿状态C、正向偏置导通状态D、正向偏置未导通状态3、三极管工作于放大状态的条件是（）A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结反偏，集电结反偏4、三极管电流源电路的特点是（）A、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻小B、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻大C、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻小D、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻大5、画三极管放大电路的小信号等效电路时，直流电压源VCC应当（）A、短路B、开路C、保留不变D、电流源6、为了

3、使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合，可以在信号源与低阻负载间接入（）A、共射电路B、共基电路C、共集电路D、共集-共基串联电路7、测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6V、2.7V、2V，（见图2所示）则此三极管为（）图2A、PNP型锗三极管B、NPN型锗三极管C、PNP型硅三极管D、NPN型硅三极管8、当放大电路的电压增益为-20dB时，说明它的电压放大倍数为（）A、20倍B、-20倍C、-10倍D、0.1倍9、电流源的特点是直流等效电阻()WORD文档下载可编辑专业技术资料整理分享A、大B、小C、恒定D、不定10、在单相桥式整流电容滤波电路中，设U2为其输入电压，输出电

4、压的平均值约为（）A、U0=0.45U2B、U0=1.2U2C、U0=0.9U2D、U0=1.4U2二、判断题（本大题共5小题，每小题1分，共计5分。每小题叙述正确的在答题卡上选涂“A”，叙述错误的在答题卡上选涂“B”。）1.P型半导体中，多数载流子是空穴（）2.环境温度升高时，半导体的导电能力将显著下降（）3.二极管正偏时，电阻较小，可等效开关断开（）4.稳压二极管工作在反向击穿区域（）5.光电二极管是一种把电能转变为光能的半导体器件（）WORD文档下载可编辑专业技术资料整理分享第Ⅱ卷（非选择题部分，共65分）一、填空题（25分）1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为V，导通后

5、在较大电流下的正向压降约为V；锗二极管的门槛电压约为__V，导通后在较大电流下的正向压降约为__V。2、二极管的正向电阻；反向电阻。3、二极管的最主要特性是。ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层。4、二极管最主要的电特性是，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个。5、在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是电容，影响高频信号放大的是电容。6、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中，如果电路的其它参数不变，三极管的β增加，则IBQ，ICQ，UCEQ。7、三极管的三个工作区域是，，。集成运算放大器是一种采用耦合方式的放大电路。

6、8、某放大电路中的三极管，在工作状态中测得它的管脚电压Va=1.2V，Vb=0.5V,Vc=3.6V,试问该三极管是管（材料），型的三极管，该管的集电极是a、b、c中的。9、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB和20dB,则该放大电路总的对数增益为dB，总的电压放大倍数为。二、简答题（2*5=10分）1．简述影响放大电路频率特性的主要因素。2．简述负反馈对放大电路性能的影响。三、计算题（3*10=30分）1．电路如图5－1（a）所示，其中电容C1、C2的容量视为无限大。试回答下列问题：（1）写出直流负载线表达式，在图5－1（b）上画出直流负载线，求出静态工作

7、点（ICQ，VCEQ，IBQ）；（2）画出放大电路的小信号等效电路；WORD文档下载可编辑专业技术资料整理分享（3）求出电压增益、输入电阻Ri及输出电阻Ro。3KΩC1C2+VCC+6V++__Rc3KΩRLRb256KΩ图5-1（a）0图5-1(b)2.图所示电路中，运放均为理想器件，求各电路输出电压VO与输入电压Vi或Vi1，Vi2的关系。（10分）WORD文档下载可编辑专业技术资料整理分享3、电路如图6-1所示。合理连线，构成5V的直流电源。图题6-1WORD文档下载可编辑专业技术资料