《lvds防静电》word版

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1、首先需要澄清EOS和ESD是有区别的，ESD是英文ElectricalStaticDischarge的缩小，中文释为静电放电。电荷从一个物体转移到另一个物体。静电是一种客观的自然现象，产生的方式多种，如接触、摩擦等。静电的特点是高电压、低电量、小电流和作用时间短的特点。人体自身的动作或与其它物体的接触，分离，摩擦或感应等因素，可以产生几千伏甚至上万伏的静电。静电在多个领域造成严重危害。摩擦起电和人体静电是电子工业中的两大危害。生产过程中静电防护的主要措施为静电泄露、耗散、中和、增湿，屏蔽与接地。人体静电防护系统

2、主要有防静电手腕带，脚腕带，工作服、鞋袜、帽、手套或指套等组成，具有静电泄露，中和与屏蔽等功能。静电防护工作是一项长期的系统工程，任何环节的失误或疏漏，都将导致静电防护工作的失败。SN65LVDS84A手册提供的ESDHBM模型6KV仅仅是针对人体静电防护等级，不是其他模型，如果采用其他模型其结果不同.ESD模型分类如下:其中HBM放电模型如下，放电时间在几百ns级别目前绝大多数客户采用的测试方法都是IEC电子枪放电模式来测试，其中不同的标准采用的放电时间又不相同，比如电表客户常用的测试标准IEC614000-

3、4-2,其放电时间放生更短，瞬间电流非常大,如果有这样的外部静电脉冲已经导致元件损坏了，而静电HBM防护模型还没有工作。如果同样是6Kv放电，HBM模型和IEC61400-4-2电子枪放电模型，被测试元件或者系统承受的peakcurrent有好几倍的差异，可以看出IEC电子枪模型更苛刻。客户提到测试过电子枪测试接触4Kv,空气放电8Kv，那要看采用的哪种放电波形，如果是IEC61400模型，那么已经在Level2-3的水平，对于常用的静电都能防护到。除非实际应用场景的静电更高。而对于EOS定义为，ELectri

4、calOverStress的缩写，指所有的过度电性应力。当外界电流或电压超过器件的最大规范条件时，器件性能会减弱甚至损坏。相对比ESD,EOS持续时间长，一般在us级别，损坏的现象包括金属线熔化、发热、高功率、闩锁效应. 短时间的EOS损坏表现为ESD类似.因此EOS是可以从设计来减弱甚至避免的。而ESD则无法避免，必须靠电路和元件本身设计来抵抗。EOS通常产生于1.电源(AC/DC)干扰、电源杂讯和过电压。2.由于测试程序切换（热切换）导致的瞬变电流/峰值/低频干扰。其过程持续时间可能是几微秒到几秒（也可能是

5、几纳秒），很短的EOS脉冲导致的损坏与ESD损坏相似。3.闪电。(产生浪涌)4.测试程序开关引起的瞬态/毛刺/短时脉冲波形干扰。5.测试设计欠佳，例如，在器件尚未加电或已超过其操作上限的情况下给器件发送测试信号。再比如在对器件供电之前加入测试信号，或超过最大操作条件。6.来自其它设备的脉冲信号干扰，即从其它装置发送的脉冲。7.不恰当的工作步骤，工作流程不甚合理8.接地点反跳（由于接地点不够导致电流快速转换引起高电压）如果经常发现损坏的是连接CZ1的几对LVDS输出，那么建议采用AC耦合的方式输出LVDS,可以考

6、虑串接0.1uF电容在每对LVDS输出，然后在另外一端放置Vbias=1.2V作为LVDS的偏置电压.如果导致损坏的是一些低频EOS干扰，并且来自外部，则ACcouple可以有效抑制。如果这个设备是在外部环境使用，有可能是雷击或者其他浪涌导致损坏，可以考虑在靠近外部接口位置放置防雷电路.TVS管如SM712需要靠近外部接口放置，尽量靠近，TVS可以提供低阻抗路径，将浪涌降低;然后在靠近输入交流耦合电容的位置放置10Ω，要求为能支持大peak电流的MELF电阻;该电阻可以限制进入芯片pin的电流，因为ESD防护只

7、能防护小电流模型.浪涌模型如下，其持续时间长，对芯片破坏为累计功率，发热大等。