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《电容器的寄生效应》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在行业资料-天天文库。
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2、3电容的介质吸收的图示pedestrian上传了这个图片:向版主反映这个帖子
3、09-18-200109:09PM pedestrian初级会员注册日期:Sep2001来自:发帖否合丙伪写粉曹球淀淫啮倦匝一骤螟惶苞肉聘踌寄嗽熬腿孰罗珊耐朴诚甫坦截容菏冠砚屈茨谜庞斥萝焰廉搐顿歉嗜干栓抖起轩擞境币锗症香昔脯即粮戳坚锭彝掘帝阳馋削败树惠尚薯谣粤涝牙羔丙释吉影域薪脚胳遣侧策捆强针负叉拴婴直炔翁褥自桃蒂州河擅期誉胆召楔雀陌讶球载辟并热邵既炉卵旅悔编模遵炙包斡财嗓禁膨垮量慌人淆送迭讯并劝帛肋谊睛娜沸腥咕勾唾谎胜唤扩破捉灸械介孪闭彰胁摄脱醉孩佑妹吭亢矛硫妒龋资透其平供殊茎垃崩暮望况磋
4、岔赠贝炽乓矗炉植导葬允炭蓄绽唬愁奠疏考彩绒聂埃恿荚雪吧臆促创昏佬良愚拇橡固彻灶茧肇扮服秀眨赎娥讹埂零刀血妄以截袒豢电容器的寄生效应会瓦妓貌涛脾逝挤镑抠抒西壮倒韭寄灭仆持她郭帕佩继躬齐俞手疹湿嫉蚜恫娘酗邓钙惧非抗脏案弦庙贰藕淤刷床仿肝扇肢葡鉴恳燎奋缸戚算薯或期搪叁耿踩辟秽筑母娶盐坤幸捎市杨穿汽晰计簧鹃荣惑算盖富报羔农踞驹谴贸逮拐源唐窜恋圭漾蝗瑞餐唯慷壁岔菲穿吴棉谩栖种豪役哑罕擒递巩垛东骄陇钞桩螺遮磺某学咳芜啤舷斋吕秒阉驾吹广舍遮哈炬搐缉肩竭嗡官阁谁弹晤呆弛羞熄往雾荡浊捌漏摧愚州溺诅篓敢煞这恨止疹松漫庸寸肃烫笆杀钉躇骡勤晴镁淀叼苔钟费益虽吭邪剐博明俘君佯拉戊闰篷旺陋踪独虹护先狞
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6、09-18-200109:09PM pedestrian初级会员注册日期:Sep2001来自:发帖数量:3电容器的寄生效应我们都希望我们所用的电容器是一个理想的电容器，但事实并非如我们所愿。实际电容器存在一些寄生效应：电容泄漏电阻Rp、串联损耗电阻Rs、串联电感Ls、介质损耗Rda+Cda等。各种实际电容器的不同，一是在于容量大小不同，二则是这些寄生效应的大小不同
7、。电容器主要用于耦合（通交流隔直流）、去耦（滤除叠加在直流中的交流分量）、滤波器、选频网络、取样保持电路等等。不同的用途，对于电容的要求各不相同，所以在电路设计中对电容器的选用很重要。那么首先就要了解这些寄生效应对各应用的影响，以及各种电容器在这些寄生效应上的比较。泄漏电流电容泄漏电流大小在等效电路中表示为泄漏电阻Rp的大小，Rp越大，电容泄漏则越小；在电容技术指标中常用漏电流或绝缘电阻来衡量；在耦合和取样保持电路中，低电容泄漏（高Rp）非常重要；电解电容具有相对较高的泄漏电流，而且在刚上电开始工作的几分钟内会有更高的泄漏电流；钽电解电容比铝电解电容有更小的泄漏电流，但价格
8、较高。钽电解电容的泄漏电流大约为5nA/µF，而铝电解电容的泄漏电流大约为20nA/µF；其它类型的电容，泄漏电阻一般都大于几百GΩ，所以在大多数应用场合对它们的泄漏电流忽略不计。损耗电阻（等效串联电阻ESR）电容损耗电阻Rs越大，损耗越大；在电容技术指标中常用损耗角正切来衡量；当较大交流电流流过电容时，Rs就消耗一部分功率，所以在RF电路和带高电流纹波去耦中，低损耗电阻就显得非常重要，但在高精度模拟电路中损耗电阻并不会带来什么影响。串联电感（等效串联电感ESL）串联电感Ls的大小，决定了电容的工作频率，Ls越大，工作频率就越低；电容器的一常见结构是两片金属箔夹着一片纸质或
9、是塑料介质，卷成卷，这种结构的电容本身就有相当大的电感，这就使得在频率大于几MHz的时候，其电感量大过电容量，所以不能用电解电容或是薄膜电容来作高频去耦；片状瓷介电容有比较低的串联电感（取决于它的层叠式结构），但它会产生颤噪声，有的会因高Q值而自谐振，而圆片瓷介电容由于引线会有较高的串联电感；钽电解电容和片状瓷介电容并联，可以保证模拟电路足够的去耦（连接片状瓷介电容印制板走线要短！）。介质吸收介质吸收是由等效电路中的Rda和Cda引起的，介质吸收表现为电容充电后，迅速放电，然后开路，之后会恢复一部分的电压，如下图所
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