187-提高多晶si薄膜太阳电池转换效率途径

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1、“微纳电子技术”2008年第4期专家论坛187-提高多晶Si薄膜太阳电池转换效率的途径纳米器件与技术193-小尺寸超高频双极晶体管工艺及特性模拟198-单电子晶体管的蒙特卡罗模拟及宏观建模纳米材料与结构205-腐蚀法制备绒面ZnO透明导电薄膜209-Bi2O3/TiO2纳米复合物的微波合成及光催化性质MEMS器件与技术214-基于MEMS技术的微波滤波器研究进展219-新型三轴MEMS热对流加速度传感器的研究显微、测量、微细加工技术与设备222-纳米光刻对准方法及其原理231-变温腐蚀法制备纳米光纤探针235-一维纳米结构的拉伸力学测试240-Si基GaN薄膜的制备方法及结构表征

2、=======================================专家论坛187-提高多晶Si薄膜太阳电池转换效率的途径彭英才1,2,姚国晓3,马蕾1,王侠1(1.河北大学电子信息工程学院,河北 保定 071002;2.中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京100083;3.中国天威英利新能源有限公司,河北 保定 071051)摘要:多晶Si薄膜对可见光进行有效地吸收、光照稳定性好、制作成本低,被公认为是高效率和低成本的光伏器件材料。以提高多晶Si薄膜太阳电池转换效率为主线,介绍了增大晶粒尺寸以增加载流子迁移率、进行表面和体内钝化以减少复合中心、设计p-

3、I-n结构以增加光收集效率、制作绒面结构以提高对入射光的吸收效果、改进电池结构以谋求最大效率等工艺措施;综述了近5年来多晶Si薄膜电池在材料生长、结构制备和性能参数方面取得的最新进展,并对其发展前景做了预测。关键词:多晶Si薄膜;大晶粒;氢钝化;p-I-n结构;太阳电池;转换效率纳米器件与技术193-小尺寸超高频双极晶体管工艺及特性模拟赵守磊,李惠军,吴胜龙,刘 岩(山东大学孟堯微电子研发中心,济南 250100)摘要:基于通信系统中射频电路设计的特殊要求,对小尺寸(基区宽度低于100nm)、超高频(特征频率高于15GHz)双极晶体管工艺制程和器件的物理特性进行了模拟,为工艺线流

4、片进行可行性研究。该器件采用BiCMOS制程结构实现,在对小尺寸、超高频双极性器件物理模型进行详尽分析的基础上,实现了该器件工艺级(SentaurusProcess)及器件物理特性级(SentaurusDevice)的仿真,提出TCAD工艺及器件的一体化设计方案。模拟结果表明,在高频指标参数17GHz下,所得β值接近于80,满足设计要求。关键词:小尺寸;双极器件;频率特性;工艺仿真;特性模拟198-单电子晶体管的蒙特卡罗模拟及宏观建模孙海定,江建军(华中科技大学电子科学与技术系,武汉430074)摘要:以单电子晶体管为研究对象,系统阐述了库仑阻塞、库仑台阶、单电子隧穿等物理现象的

5、产生机理。微观模拟与宏观建模相结合,着重介绍了如何用蒙特卡罗方法和Matlab相结合对上述各种物理现象进行数值模拟,同时对单电子晶体管进行宏观电路等效,用一些常用元器件进行宏观建模。采用强大的模拟集成电路软件Hspice进行分析模拟,大大减少了计算及仿真时间。通过分析比较,两者曲线得到了较好的吻合,直观地反映了单电子晶体管的电学特性,为进一步研究复杂系统提供了理论依据。关键词:单电子晶体管;单电子隧穿;库仑阻塞;库仑台阶;蒙特卡罗;Hspice纳米材料与结构205-腐蚀法制备绒面ZnO透明导电薄膜刘佳宇,朱开宇,王文辕(河北理工大学信息学院,河北 唐山 063000)摘要:利用中

6、频脉冲磁控溅射系统制备高透过率、高电导率的平面ZnO薄膜。对平面ZnO薄膜进行短时间弱酸腐蚀,可以获得绒面效果的ZnO透明导电薄膜。分析了工作气压和衬底温度对薄膜绒面结构的影响,获得了适合薄膜太阳能电池的绒面ZnO透明导电薄膜。当压力控制在1.92Pa左右,衬底温度150~170℃范围内沉积的薄膜具有最佳的绒面和较低的电阻率,电阻率可达5.57×10-4Ω·cm,载流子浓度2.2×1020cm-3,霍尔迁移率40.1cm2/V·s,在可见光范围平均透过率超过85%。关键词:中频脉冲溅射;绒面ZnO;透明导电膜;腐蚀;结构209-Bi2O3/TiO2纳米复合物的微波合成及光催化性质

7、廖学红,王小佳(黄冈师范学院化学系,湖北 黄冈 438000)摘要:以硝酸铋和硫酸钛为原料,通过直接投料微波辐射水解合成法制备了掺铋TiO2纳米复合物,并用XRD、TEM进行了表征。结果表明,直接投料摩尔比为1∶10掺铋TiO2纳米复合物,经500℃热处理后晶型为锐钛矿型,粒径为6~10nm。以催化降解甲基橙来考察其光催化活性,结果表明所制备的纳米复合物是一个好的催化剂。研究了Bi3+的掺杂量、热处理温度、催化剂用量对掺铋TiO2纳米复合物光催化性能的影响。当催化剂用量为1g/L

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