资源描述:
《一种修饰钙掺杂钛酸铅湿敏纳米薄膜_省略_饰薄膜的制备_湿敏特性和结构表征_王智民》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在教育资源-天天文库。
1、------------------------------------------------------------------------------------------------一种修饰钙掺杂钛酸铅湿敏纳米薄膜_省略_饰薄膜的制备_湿敏特性和结构表征_王智民2003年第61卷第11期,1792~1796化学学报ACTACHIMICASINICAVol.61,2003No.11,1792~1796一种修饰钙掺杂钛酸铅湿敏纳米薄膜的新方法钾修饰薄膜的制备、湿敏特性和结构表征王智民*左霞韩基新刘静波张艳熹(黑龙江大学化学化工学院哈尔滨15
2、0080)摘要为了使感湿性能很差的钛酸铅湿敏改性,选取Ti(O-n-Bu)4,Pb(OAc)2和Ca(OAc)2为起始物,采用溶胶-旋涂法以及烧结晶化过程,在镀有Ag-Pd合金叉指电极的A-Al2O3基片上制备了钾修饰的钙掺杂钛酸铅纳米湿敏薄膜(K+-CaxPb1-xTiO3,缩写为K-CPT).在(20?0.1)e的常温下、相对湿度RH=8.0%~93.6%之间5个检测点上测试了K-CPT的阻-湿特性,并与纯钛酸铅薄膜(PT)、钙掺杂钛酸铅薄膜(CPT)以及锂修饰的钙掺杂钛酸铅薄膜(L-iCPT)进行了比较,对工艺进行了正交实验和研究.结果表明
3、:在x=0.35,K+含量为1%(K/Ti,mol/mol),以及850e/1h的烧结晶化成瓷条件下,所制得的陶瓷薄膜在RH=8.0%~93.6%的实测范围内,灵敏度S=3.3@10,感湿响应时间S=15s,湿滞[?2%;而在RH=0%~100%的全湿范围内,总的电阻值降低值约为104k8,即全湿范围内的灵敏度可达四个数量级:S=104k8/100$RH(%).通过XRD,SEM和TEM手段对薄膜的晶相结构及显微结构进行了表征,薄膜为四方多晶,——————————————————————————————————————--------------
4、----------------------------------------------------------------------------------具有网状孔道和岛形晶界,晶粒呈极化定向排列的电畴结构,粒度为10nm,岛的平均面积为4Lm@5Lm.关键词钾修饰钙掺杂,钛酸铅纳米薄膜,阻-湿特性,结构表征3ANewMethodforModificationofCa2+dopedPbTiO3HumiditySensitiveNano-Film:Preparation,HumiditySensitivityandStructureofK
5、+-ModifiedThinFilmWANG,Zh-iMin*ZUO,XiaHAN,J-iXinLIU,Jing-BoZHANG,Yan-Xi(CollegeofChemistryandChemicalEngineering,HeilongjiangUniversity,Harbin150080)Abstract——————————————————————————————————————---------------------------------------------------------------------------------
6、---------------InordertoincreasethehumiditysensitivityofPbTiO3,usingTi(O-n-Bu)4(or(n-BuO)4Ti),Pb(OAc)2andCa(OAc)2asthestartingmaterials,K-modifiedandCa-dopedPbTiO3nano-film(K-CaxPb1-xTiO3,abbreviatedasK-CPT)waspreparedbyso-lgelmethod,namely,spin-coatingsolonA-Al2O3substratepl
7、atedwithAg-Pdalloyinterdigitalelectrodeandthensinteredat850e/1hforcrystallization.Itspropertyofresistance-relativehumiditywastestedattheconstanttemperatureof(20?011)e,andcomparedwithpurePbTiO3(PT),Ca-dopedPbTiO3(CPT)andLi+-modifiedCa2+-dopedPbTiO3nano-film(Li+-CaxPb1-xTiO3,L-
8、iCPTforshort).Processparameterswereinvestigatedbyorthogonaldesign.Th