电力电子技术习题(西安交通大学版)

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1、第1章电力电子器件填空题：　　1.电力电子器件一般工作在________状态。　　2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为________，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为________。　　3.电力电子器件组成的系统，一般由________、________、________三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加________。　　4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为________、________、________三类。　　5.电力二极管的工作特性可概括为________。　　6.电力二极管的主要类型有________、__

2、______、________。　　7.肖特基二极管的开关损耗________快恢复二极管的开关损耗。　　8.晶闸管的基本工作特性可概括为____正向有触发则导通、反向截止____。　　9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL________IH。　　10.晶闸管断态不重复电压UDRM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDRM________Ubo。　　11.逆导晶闸管是将________与晶闸管________（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。　　12.GTO的________结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。　　13.功率晶体管GTR从高电压小电流向低

3、电压大电流跃变的现象称为________。　　14.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的________、前者的饱和区对应后者的________、前者的非饱和区对应后者的________。　　15.电力MOSFET的通态电阻具有________温度系数。　　16.IGBT的开启电压UGE（th）随温度升高而________，开关速度________电力MOSFET。　　17.功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是________。　　18.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间

4、的性质，可将电力电子器件分为________和________两类。　　19.为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是________。　　20.GTR的驱动电路中抗饱和电路的主要作用是________。　　21.抑制过电压的方法之一是用________吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。在过电流保护中，快速熔断器的全保护适用于________功率装置的保护。　　22.功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用________型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。　　23.晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是________措施，给每只管子并联RC支路是_____

5、___措施，当需同时串联和并联晶闸管时，应采用________的方法。　　24.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有________温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有________温度系数。　　25.在如下器件：电力二极管（PowerDiode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是________，属于半控型器件的是________，属于全控型器件的是________；属于单极型电力电子器件的有________，属于双极型器件的有____

6、____，属于复合型电力电子器件得有________；在可控的器件中，容量最大的是________，工作频率最高的是________，属于电压驱动的是________，属于电流驱动的是________。简答题：　　26.电力电子器件是如何定义和分类的？同处理信息的电子器件相比，它的特点是什么？　　27.应用电力电子器件的系统组成如题图1-27所示，试说明其中保护电路的重要意义？    　　28.二极管的电阻主要是作为基片的低掺杂N区的欧姆电阻，阻值较高且为常量，为何二极管在正向电流较大时管压降仍然很低？　　29.二极管在恢复阻断能力时为什么会形成反向电流和反向电压过冲？这与它们的单相导电

7、性能是否矛盾？这种反向电流在电路使用中会带来什么问题？　　30.使晶闸管导通的条件是什么？　　31.维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？　　32.GTO和普通晶闸管同为PNPN结构，为什么GTO能够自关断，而普通晶闸管不能？　　33.GTR的安全工作区是如何定义的？如题图1-33所示，GTR带电感性负载时，如果不接二极管VD会产生什么问题？有了二极管VD是否还要加缓冲电路呢？　　34.如何防止电力MOSFET