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时间:2020-03-03
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1、一、结构分析S3C2410处理器集成了8位NandFlash控制器。目前市场上常见的8位NandFlash有三星公司的k9f1208、k9f1g08、k9f2g08等。k9f1208、k9f1g08、k9f2g08的数据页大小分别为512Byte、2kByte、2kByte。它们在寻址方式上有一定差异,所以程序代码并不通用。本文以S3C2410处理器和k9f1208系统为例,讲述NandFlash的读写方法。NandFlash的数据是以bit的方式保存在memorycell里的,一般来说,一个cell中
2、只能存储一个bit,这些cell以8个或者16个为单位,连成bitline,形成所谓的byte(x8)/word(x16),这就是NANDDevice的位宽。这些Line组成Page,page再组织形成一个Block。k9f1208的相关数据如下:1block=32page;1page=528byte=512byte(MainArea)+16byte(SpareArea)。总容量为=4096(block数量)*32(page/block)*512(byte/page)=64MbyteNandFlash以
3、页为单位读写数据,而以块为单位擦除数据。按照k9f1208的组织方式可以分四类地址:ColumnAddress、halfpagepointer、PageAddress、BlockAddress。A[0:25]表示数据在64M空间中的地址。ColumnAddress表示数据在半页中的地址,大小范围0~255,用A[0:7]表示;halfpagepointer表示半页在整页中的位置,即在0~255空间还是在256~511空间,用A[8]表示;PageAddress表示页在块中的地址,大小范围0~31,用A[
4、13:9]表示;BlockAddress表示块在flash中的位置,大小范围0~4095,A[25:14]表示;二、读操作过程K9f1208的寻址分为4个cycle。分别是:A[0:7]、A[9:16]、A[17:24]、A[25]。读操作的过程为:1、发送读取指令;2、发送第1个cycle地址;3、发送第2个cycle地址;4、发送第3个cycle地址;5、发送第4个cycle地址;6、读取数据至页末。K9f1208提供了两个读指令,‘0x00’、‘0x01’。这两个指令区别在于‘0x00’可以将A[
5、8]置为0,选中上半页;而‘0x01’可以将A[8]置为1,选中下半页。虽然读写过程可以不从页边界开始,但在正式场合下还是建议从页边界开始读写至页结束。下面通过分析读取页的代码,阐述读过程。staticvoidReadPage(U32addr,U8*buf) //addr表示flash中的第几页,即‘flash地址>>9’{U16i;NFChipEn(); //使能NandFlashWrNFCmd(READCMD0);//发送读指令‘0x00’,由于是整页读取,所以选用指令‘0x00’WrNFAdd
6、r(0); //写地址的第1个cycle,即ColumnAddress,由于是整页读取所以取0WrNFAddr(addr); //写地址的第2个cycle,即A[9:16]WrNFAddr(addr>>8); //写地址的第3个cycle,即A[17:24]WrNFAddr(addr>>16);//写地址的第4个cycle,即A[25]。WaitNFBusy();//等待系统不忙for(i=0;i<512;i++) buf[i]=RdNFDat();//循环读出1页数据NFChipDs();
7、//释放NandFlash}三、写操作过程写操作的过程为:1、发送写开始指令;2、发送第1个cycle地址;3、发送第2个cycle地址;4、发送第3个cycle地址;5、发送第4个cycle地址;6、写入数据至页末;7、发送写结束指令下面通过分析写入页的代码,阐述读写过程。staticvoidWritePage(U32addr,U8*buf) //addr表示flash中的第几页,即‘flash地址>>9’{U32i;NFChipEn(); //使能NandFlashWrNFCmd(PROGCMD
8、0); //发送写开始指令’0x80’WrNFAddr(0); //写地址的第1个cycleWrNFAddr(addr); //写地址的第2个cycleWrNFAddr(addr>>8);//写地址的第3个cycleWrNFAddr(addr>>16);写地址的第4个cycleWaitNFBusy(); //等待系统不忙for(i=0;i<512;i++) WrNFDat(buf[i]);//循环写入1页数据WrNFCmd(PRO
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