模拟电路基础复习资料

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1、模拟电路基础15级复习资料一、填空题1．在P型半导体中，多数载流子是（空穴），而少数载流子是（自由电子）。2．在N型半导体中，多数载流子是（自由电子），而少数载流子是（空穴）。3．当PN结反向偏置时，电源的正极应接（N）区，电源的负极应接（P）区。4．当PN结正向偏置时，电源的正极应接（P）区，电源的负极应接（N）区。5．为了保证三极管工作在放大区，应使发射结（正向）偏置，集电结（反向）偏置。6．根据理论分析，PN结的伏安特性为,其中被称为（反向饱和）电流，为热电势，在室温下约等于（26mV）。7．

2、从三极管内部制造工艺看，主要有两大特点，一是发射区（高掺杂），二是基区很（薄）并且掺杂浓度（最低）。8．BJT管的集电极、基极和发射极分别与JFET的三个电极（漏极）、（栅极）和（源极）与之对应。9．BJT三极管的直流偏置电路通常有（固定基流）偏置电路和（分压式静态工作点稳定）偏置电路两种。10．在BJT放大电路的三种组态中，（共集电极）组态输入电阻最大，输出电阻最小。（共射）组态有电压放大作用，又有电流放大作用。11.在BJT放大电路的三种组态中，（共集电极）组态的电压放大倍数小于1，（共基）组态

3、的电流放大倍数小于1。12．在BJT放大电路的三种组态中，（共基）组态的有较大的电压放大作用，而电流放大倍数小于1。13．在BJT放大电路的三种组态中，共基组态的输入电阻（最小），（共集电极）组态输入电阻最大14．差分放大电路的共模抑制比KCMR＝（），通常希望差分放大电路的共模抑制比越（大）越好。15．在差分放大电路中发射极接入长尾电阻后，它的差模放大倍数（不变），而共模放大倍数（减小），共模抑制比（增大）。16．多级级联放大器中常用的级间耦合方式有（阻容），（变压器）和（直接）耦合三种。17．直

4、接耦合放大器的最突出的缺点是有（零点漂移）。18，集成运放主要由（输入级），（中间放大级），（输出级）和（偏置电路）4部分组成。19.放大器电路中引入负反馈主要是为了改善放大器的（电性能）。20．放大器电路中引入负反馈的最显著的效果是提高放大倍数的（稳定性），减小（非线性失真），展宽（通频带）和改变（输入电阻和输出电阻）。21．在放大器中，为稳定输出电压，应采用（电压取样）负反馈，第13页共13页为稳定输出电流，应采用（电流取样）负反馈。22．在负反馈放大器中，为提高输入电阻，应采用（串联）负反馈，

5、为降低输出电阻，应采用（电压取样）负反馈。23．负反馈放大电路增益的一般表达式,当时，这种反馈称为（负反馈）；当时，这种反馈称为（正反馈）。24．集成运放两个输入端之间的电压通常接近0，即，将这种现象称为（虚短路）。25．集成运放两个输入端的电流通常接近0，即，将这种现象称为（虚开路）。二．教材中的部分例题和习题。1．第一章习题1-71-81－131－141－152．第二章例题2.4.12.4.22.4.32.4.42.5.12.6.1习题2-1(a)(b)(c)(d)(e)(f)(g)2-2(a)

6、(b)2-102-142-152-163.第四章习题4-14-34-84.第五章例题5.3.15-3-2习题5-15-25-45-75.第六章例题6.2.16.3.1习题6-1(a)(b)(c)6-26.第七章例题7.3.17.3.2习题7-17-27-37-9第十章例题10.5.1第13页共13页习题解答习题1－7：解：（1）因，则(2)当时，用同样公式求得(3)当时习题1－8：解：习题1-13答：（a）放大区（b）截止区（c）放大区（d）饱和区（e）截止区（f）临界饱和状态（g）放大区（h）放大

7、区习题1－14解：（a）,工作在放大区，直流工作点如图中A点。（b），工作在放大区，直流工作点如图中B点。（c）。这是假设工作在放大区，结果不正确假设不成立，三极管应工作在饱和区。工作在饱和区，，,直流工作点如图中C点。（d），工作在截止区，直流工作点如图中D点。（e）,工作在截止区，直流工作点如图中D点。（f）,工作在放大区,直流工作点如图中F点。第13页共13页习题1－15答：本题两个三极管均工作在放大区。（a）1－发射极e，3－基极b，2－集电极c。三极管类型是NPN锗管。（b）2－发射极e，

8、3－基极b，1－集电极c。三极管类型是PNP硅管。习题2.1答：（a）无放大作用－极性反。（b）不能正常放大－发射结无放大偏置电压。（c）无放大作用－输入信号与地短路。（d）无放大作用－电容C隔直，发射结无放大偏置电压。（e）有放大作用（f）无放大作用－输出信号与地短路。（g）无放大作用－输入信号与地短路。习题2－2解：各电路的直流通路和交流通路见图(a)，(b)和（c）。在图（c）中，，。第13页共13页习题2-10本题的意图是训练估算最基本的单管共射放大电路的Q点